MEMS麦克风结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN103391501B

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201210143668.2

    申请日:2012-05-10

    发明人: 柳连俊

    IPC分类号: H04R19/04 H04R31/00

    摘要: 本发明提供一种MEMS麦克风结构及其制作方法,所述MEMS麦克风结构将和第二衬底共同形成信号处理电路的第二导电结构层与形成有MEMS麦克风组件的第一衬底上的第一导电结构层通过第一导电粘合结构和第二导电粘合结构面对面贴合,并且第一导电结构层中包括连接第一衬底的第一衬底导电结构,第二导电结构层中包括连接第二衬底的第二衬底导电结构,采用本发明的MEMS麦克风结构,在MEMS麦克风组件工作时,所述第一衬底导电结构和/或第二衬底导电结构连接地电位或通过低阻抗接地或其他屏蔽电位,可以屏蔽外界的电干扰,提高了MEMS麦克风结构的抗干扰能力。

    MEMS麦克风及其形成方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102158788B

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201110061552.X

    申请日:2011-03-15

    发明人: 柳连俊

    IPC分类号: H04R19/04 H04R31/00

    摘要: 一种MEMS麦克风及其形成方法,其中MEMS麦克风包括:基底,所述基底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;贯穿所述基底的开口;形成在所述基底的第一表面的多个连接电极;位于在所述基底第一表面并覆盖所述多个连接电极的介质层;位于在所述介质层内的导电插塞;位于所述介质层内并与开口贯通的空腔;位于空腔内的敏感薄膜;位于敏感薄膜表面的至少一个的敏感薄膜支撑;部分位于所述介质层表面并连接所述敏感薄膜支撑的敏感薄膜支撑桥臂;与所述敏感薄膜对应的固定电极,且所述固定电极内形成有多个贯穿所述固定电极的通孔;与导电插塞电连接的顶层电极。本发明能够降低MEMS麦克风的应力,且能够避免敏感薄膜和固定电极损伤。

    MEMS麦克风及其形成方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102158788A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110061552.X

    申请日:2011-03-15

    发明人: 柳连俊

    IPC分类号: H04R19/04 H04R31/00

    摘要: 一种MEMS麦克风及其形成方法,其中MEMS麦克风包括:基底,所述基底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;贯穿所述基底的开口;形成在所述基底的第一表面的多个连接电极;位于在所述基底第一表面并覆盖所述多个连接电极的介质层;位于在所述介质层内的导电插塞;位于所述介质层内并与开口贯通的空腔;位于空腔内的敏感薄膜;位于敏感薄膜表面的至少一个的敏感薄膜支撑;部分位于所述介质层表面并连接所述敏感薄膜支撑的敏感薄膜支撑桥臂;与所述敏感薄膜对应的固定电极,且所述固定电极内形成有多个贯穿所述固定电极的通孔;与导电插塞电连接的顶层电极。本发明能够降低MEMS麦克风的应力,且能够避免敏感薄膜和固定电极损伤。

    MEMS麦克风及其形成方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104796832A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510084456.5

    申请日:2015-02-16

    发明人: 周文卿

    IPC分类号: H04R19/04 H04R31/00

    摘要: 一种MEMS麦克风及其形成方法,其中的形成方法包括:提供包括第一表面和第二表面的第一衬底,第一衬底包括至少一层导电层,导电层位于第一衬底的第一表面一侧;提供包括第三表面和第四表面的第二衬底,第二衬底包括第二基底和敏感电极,第二衬底包括敏感区,敏感电极位于敏感区内,敏感电极位于第二衬底的第三表面一侧;将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定;之后去除第二基底,形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面;在第一衬底和第二衬底的敏感区之间形成空腔;自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至至少一层导电层的第一导电插塞。MEMS麦克风的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。

    多轴传感器及其制作方法、差分的传感器系统

    公开(公告)号:CN102539830B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201210020324.2

    申请日:2012-01-29

    发明人: 柳连俊

    IPC分类号: G01P15/125 B81C1/00

    摘要: 本发明提供一种多轴传感器,包括:衬底;固定于衬底之上的质量块支撑;第一传感器的第一惯性质量块以及第二传感器的第二惯性质量块位于衬底之上且与衬底分隔开,所述第一惯性质量块包围第二惯性质量块且与第二惯性质量块间具有间隔;所述质量块支撑位于所述间隔内;所述第一惯性质量块通过第一弹性结构连接至所述质量块支撑,所述第二惯性质量块通过第二弹性结构连接至所述质量块支撑。通过各自的弹性结构连接到共同的质量块支撑上,减少了质量块支撑的分布和设计,有利于简化与其他连线层电连接,减小了连线布局的面积,同时,质量块支撑可以使第一惯性质量块和第二惯性质量块在机械上实现隔离,保证了各自独立移动,避免了交叉轴效应。

    MEMS压力传感器及其形成方法

    公开(公告)号:CN104655334B

    公开(公告)日:2017-05-03

    申请号:CN201510084520.X

    申请日:2015-02-16

    发明人: 周文卿

    CPC分类号: G01L9/0073 G01L9/0042

    摘要: 一种MEMS压力传感器及其形成方法,形成方法包括:提供包括第一表面和第二表面的第一衬底,第一衬底包括导电层,导电层位于第一衬底的第一表面一侧;提供包括第三表面和第四表面的第二衬底,第二衬底包括第二基底和压敏电极,第二衬底包括压力传感区,压敏电极位于压力传感区内,压敏电极位于第二衬底的第三表面一侧;将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定,并在第一衬底与第二衬底的压力传感区之间形成空腔;去除第二基底,形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面;自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至导电层的第一导电插塞,实现导电层与压敏电极形成电连接。MEMS压力传感器的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。

    MEMS压力传感器及其形成方法

    公开(公告)号:CN104634487A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201510084563.8

    申请日:2015-02-16

    发明人: 周文卿

    IPC分类号: G01L1/22 G01L1/14 B81C1/00

    摘要: 一种MEMS压力传感器及其形成方法,形成方法包括:提供包括相对的第一表面和第二表面的第一衬底,包括至少一层导电层,导电层位于第一衬底的第一表面一侧;提供包括相对的第三表面和第四表面的第二衬底,包括第二基底和压敏电阻元件,第二衬底包括压力传感区,压敏电阻元件位于压力传感区内,压敏电阻元件位于第二衬底的第三表面一侧;将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定;在第一衬底与第二衬底的压力传感区之间形成空腔;去除第二基底,形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面;自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至至少一层导电层表面的第一导电插塞。MEMS压力传感器的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。