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公开(公告)号:CN1439118A
公开(公告)日:2003-08-27
申请号:CN01811690.6
申请日:2001-03-27
申请人: 东进半导体化学株式会社
IPC分类号: G03F7/30
CPC分类号: G01N21/359 , C23F1/00 , C23F1/46 , G01N21/3577 , G11B23/505 , H01L21/32134
摘要: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中,首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后,通过将分析的成分与基准成分进行比较,确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束,则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反,如果该腐蚀剂的寿命还没有结束,则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。
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公开(公告)号:CN1397366A
公开(公告)日:2003-02-19
申请号:CN02122428.5
申请日:2002-06-06
申请人: 卡拉韦高尔夫公司
IPC分类号: A63B53/04
CPC分类号: A63B53/02 , A63B53/04 , A63B53/0466 , A63B60/00 , A63B2053/0408 , A63B2053/0412 , A63B2053/0416 , A63B2053/0441 , A63B2053/0458 , A63B2053/0462 , A63B2053/0491 , A63B2209/00 , A63B2209/023 , B21J5/00 , B21K17/00 , C22F1/183 , C23F1/00 , C23F1/26
摘要: 公开了一种有一球棒头(42)的高尔夫球棒(40),该球棒头包括一表面件(60)和一后壳体(61)。该表面件(60)包括一击球板部(72)和一转折部(74)。该后壳体(61)由一冠部(62)、一跟部(64)和一任选围带部(90)构成。表面件(60)由金属材料制成,后壳体(61)由非金属材料如复合材料或热塑材料制成。该击球板部(72)的宽高比最好小于1.7。该击球板部(72)最好包括厚度变化的同心区,其中中心区(102)最厚。该球棒头(42)的体积为300~600立方厘米,重量为165~300克,击球板部(72)的表面积为4.00~7.50平方英寸。该高尔夫球棒头(42)的回弹系数大于0.81。
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公开(公告)号:CN1316549A
公开(公告)日:2001-10-10
申请号:CN01111616.1
申请日:2001-03-16
申请人: 鲁瓦里斯有限责任公司
摘要: 本发明涉及一种借助传统的酸洗法进行的,选择性地去除由含铅铜合金制成的自来水管件中的铅的工艺,在除铅时,在精整步骤之前,将经过处理和洗涤的管件浸在含有至少一种选自甲酸,丙烯酸,丙酸和丁酸的羧酸的除铅液中。本发明还涉及含所述至少一种羧酸的选择性除铅液。本发明的工艺及除铅液能彻底去除载于所述管件表面上的铅,同时又不改变存在于构成该合金的其它金属的比例。
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公开(公告)号:CN1284137A
公开(公告)日:2001-02-14
申请号:CN98813466.7
申请日:1998-12-02
申请人: 东陶机器株式会社
摘要: 本发明提供了防止铅由含铅铜合金制的水阀栓配件等中溶出的防止含铅铜合金铅溶出的处理方法,及防止了铅溶出的含铅铜合金制的水道用器具。而且,通过在含铅铜合金材的表面形成铬酸盐被膜,可以减低表面少量残留的铅的溶出。另外,在镀镍铬工序的前处理工序中,将含铅铜合金制的水道用器具在碱系浸蚀液中浸渍,选择性地除去含铅铜合金材表面的铅,然后在硫酸、盐酸等液体中活性化。再进行镀镍,然后在装饰性镀铬电解液中或氟化铬镀液中进行镀铬,也可在铬酸盐液中浸渍形成铬酸盐被膜。
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公开(公告)号:CN1240239A
公开(公告)日:2000-01-05
申请号:CN99105761.9
申请日:1999-04-15
申请人: 日本巴卡莱近估股份有限公司
IPC分类号: C23F1/00
CPC分类号: C23C22/78 , C23C22/18 , C23C22/22 , C23C22/34 , C23C22/52 , C23F1/00 , C23G1/08 , C23G1/103 , C23G1/106 , C23G1/125
摘要: 本发明是有关于使金属表面粗面化而用的表面处理方法,尤指与有机高分子物质等在粘接时,不限于金属构件的形状或材质,利用简单的步骤,可达成有牢固的粘接强度的粘接性优越的金属的表面处理方法,及具有由该表面处理方法而得的表面的金属构件。本发明的金属表面处理方法,其特征在于金属表面上进行伴随着被膜形成的化学蚀刻处理的第一步骤,利用该第一步骤进行化学反应以去除已形成于金属表面上的被膜的处理的第二步骤,与视必要时进行金属表面上形成被膜的处理的第三步骤,及具有由该表面处理方法而得的表面的金属构件。
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公开(公告)号:CN105092898B
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201410185201.3
申请日:2014-05-04
IPC分类号: G01Q60/00 , G01Q60/46 , G01Q30/20 , H01L21/02 , H01L23/544
摘要: 一种半导体检测结构及形成方法、检测方法,其中,半导体检测结构的形成方法包括:提供表面具有待测器件结构的衬底,所述衬底和待测器件结构表面具有介质层,所述介质层表面具有导电结构、以及用于电隔离所述导电结构的绝缘层;采用第一平坦化工艺去除所述导电结构和绝缘层,直至暴露出所述介质层的第一表面为止;在所述第一平坦化工艺之后,采用粘结层使介质层的第一表面固定于基底表面;在所述介质层固定于基底表面之后,去除所述衬底,并暴露出介质层的第二表面和待测器件结构表面为止,所述介质层的第二表面与待测器件表面齐平,所述介质层的第二表面与第一表面相对。所形成的半导体检测结构用于扫描探针显微镜检测,能够使检测结果更精确。
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公开(公告)号:CN105196094B
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201510535576.2
申请日:2011-05-24
申请人: 恩特格林斯公司 , 维瑞安半导体设备联合公司
IPC分类号: B23Q3/152 , H01L21/683
CPC分类号: H02N13/00 , B05D5/12 , B23Q3/152 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2237/06 , C04B2237/062 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/086 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , C23F1/00 , H01L21/6833
摘要: 根据本发明之一具体实例,提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层,该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘,该表面层包括一电荷控制层,该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。
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公开(公告)号:CN107615458A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201680031649.7
申请日:2016-04-15
申请人: 株式会社斯库林集团
IPC分类号: H01L21/304 , B05C11/08 , B05C11/10 , B05D3/00 , B05D3/10 , B05D7/24 , H01L21/027
CPC分类号: B05D1/005 , B05C11/08 , B05C11/10 , B05D3/007 , C23F1/00 , C23F1/08 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67742 , H01L21/68707
摘要: 本发明的基板处理装置具有:涂敷处理单元,其通过将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给,由此在被处理面形成含金属涂敷膜;金属去除单元,其在通过涂敷处理单元来形成含金属涂敷膜后,以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域的方式,向基板的周缘部供给用于使金属溶解的去除液;以及搬送机构,其在通过涂敷处理单元来形成含金属涂敷膜后,将基板搬送至金属去除单元。通过由涂敷处理单元向基板的被处理面供给含金属涂敷液,来在被处理面形成含金属涂敷膜。通过搬送机构将形成含金属涂敷膜后的基板搬送至金属去除单元。通过金属去除单元,以含金属涂敷膜残留在基板被处理面的除周缘部以外的区域的方式对基板的周缘部供给去除液。
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公开(公告)号:CN107604302A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201710624050.0
申请日:2014-09-24
申请人: 大日本印刷株式会社
CPC分类号: C23C14/042 , C21D6/001 , C21D8/00 , C21D2261/00 , C23F1/00 , C23F1/02
摘要: 本发明的目的在于提供一种金属板、金属板的制造方法、和使用金属板制造蒸镀掩模的方法,该金属板能够制作抑制了贯通孔位置的偏差的蒸镀掩模。将热处理前后的距离之差相对于热处理前的样品中的2个测定点间的距离的百万分率定义为热复原率。该情况下,各样品中的热复原率的平均值为-10ppm以上且+10ppm以下,且各样品中的热复原率的偏差为20ppm以下。
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