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公开(公告)号：CN1959541A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610153964.5
申请日：2006-09-15
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F7/70933 , G21K2201/06
摘要： 用于清洁光刻装置的元件的方法，例如清洁诸如收集反射镜的光学元件的方法，包括提供含有氮的气体；从至少部分气体产生氮基团，由此形成含有基团的气体；以及向所述装置的一个或多个元件提供至少部分含有基团的气体。光刻装置包括辐射源和光学元件，以及布置成产生射频放电的放电发生器。
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公开(公告)号：CN1791793A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013804.X
申请日：2004-05-18
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC分类号： G21K1/06 , B08B7/00 , B08B7/0057 , B82Y10/00 , G03F7/70166 , G03F7/70925 , G03F7/70941
摘要： 本发明涉及一种至少一个照射设备的至少一个光学元件的清洁方法，该照射设备在一个真空室中具有至少一个产生尤其是强紫外线和/或软x射线的辐射源，其射线通过该光学元件引到一个待处理的工件上，由于通过该辐射源带入的无机物质，该光学元件至少部分地被污染。为此，建议将至少一种对射线(118)基本上透光或透明的反应组分(124)根据当前的反应条件通过一个供料装置(126)输入，该反应组分与沉积物(128)起化学反应，从而将其从光学元件(110)上去除掉。
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公开(公告)号：CN1638883A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805657.7
申请日：2003-03-11
申请人： 卡尔蔡司SMT股份公司
IPC分类号： B08B7/00
CPC分类号： G03F7/70925 , B08B7/0057
摘要： 本发明涉及一种利用UV射线在清洁气体中对射束导向透镜的表面进行去污的方法和装置。按照本发明，所用的UV射线的波长在强吸收氧的区域，清洁气体中的氧浓度低于空气中的氧浓度。
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公开(公告)号：CN1580956A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410057883.6
申请日：2004-08-11
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/707 , G03F7/70783 , G03F7/70925 , G03F7/70975
摘要： 一种光刻投影装置，包括可将衬底或掩模等固定成穿过光路的支撑台。支撑台具有支撑面和从支撑面上延伸出来的突起的阵列，以便将衬底等的背面支撑在突起上。设置了检测器来测量会影响衬底等的表面光洁度的各个突起的高度偏差。在去除装置具有足够的去除强度以从单个突起中除去部分突起材料的情况下，位置选择性的材料去除和/或增添装置设置成可在支撑台处于光刻投影装置中的可操作状态时对单个突起独立地起作用。控制单元可控制材料去除和/或增添装置，以便选择性地从各个突起材料中与各个突起的各自测得的高度偏差相对应地除去一定量的材料，和/或为各个突起材料增添一定量的材料。
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公开(公告)号：CN1510518A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310121698.4
申请日：2003-12-19
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： L·H·J·斯特文斯 , M·H·A·里德斯 , H·梅林 , J·H·J·莫尔斯
CPC分类号： G03F7/70925 , B08B7/0035
摘要： 本发明披露了各种新颖的清洁方法。先前的清洁方法普遍在于它们都包括将氧气注入整个系统内并将提供清洁辐射光束的单个辐射源接入到光刻装置内的每个光学元件。这会导致一些光学元件的过度曝光，而同时其它的光学元件并未被足够程度地清洁。通过提供一种系统就可以克服这一问题，该系统允许选择性地清洁一些或一组光学元件，且允许在光学元件的表面上出现空间变化的清洁。这可以通过仅仅向一个或一些光学元件供给清洁辐射光束和/或通过增加某些光学元件附近的局部氧气密度来实现。通过使用可以是动态自适应的灰色滤光片或者通过使用可控制的电子束部件就能够获得空间分解的清洁。
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公开(公告)号：CN1497351A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03164862.2
申请日：2003-09-29
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70883 , G03F7/70925
摘要： 光刻装置具有用于向装置中的空间提供一种或多种全卤C1－C6烷烃和一种或多种化合物中的至少一个的装置，所述化合物基本上由一个或多个氮原子以及从氢，氧和卤素中选择的一种或多种原子构成。通过应用适当的激活装置而产生的烷烃和化合物的激活提供活性反应组分，这些活性反应组分能够高选择性的蚀刻碳氢化合物组分，而将对敏感光学表面的损坏降为最小。
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公开(公告)号：CN1474234A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN02151872.6
申请日：2002-11-15
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , B08B11/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F7/70883 , G03F7/70933
摘要： 在分子氧存在的情况下，通过用波长短于250nm的UV或EUV射线辐射内装光学元件的空间，可以就地清洗光刻投射设备中用的光学元件。用除了含有常用的洗涤气体组分外还含有少量分子氧的洗涤气体清洗所述空间。该方法也可以用在抽真空的空间中，给空间引入低压分子氧。该方法避免使用诸如臭氧的不稳定的材料。
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公开(公告)号：CN1125917A
公开(公告)日：1996-07-03
申请号：CN94192170.0
申请日：1994-04-11
申请人： 大锅有限合伙人公司
发明人： A·C·恩格斯堡
IPC分类号： B08B7/00 , H01L21/306 , H01L21/00 , B23K26/00
CPC分类号： B08B7/0057 , B08B7/0042 , B23K26/142 , B23K26/1436 , B23K26/1437 , B23K26/1462 , G03F7/704 , G03F7/70866 , G03F7/70925 , H01L21/02046 , H01L21/32051 , H01L21/321 , H01L21/67028 , H01L21/76819
摘要： 一种从衬底表面清除表面沾污物的设备和方法，其在衬底表面(12)上方提供一个惰性气体(18)的片流，同时对衬底进行辐照。本发明使得能够清除表面沾污物而不改变下方衬底的分子晶体结构。高能辐射源包括脉冲或连续波激光器或者高能灯。
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公开(公告)号：CN107168017B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710130530.1
申请日：2017-03-07
申请人： 格罗方德半导体公司
发明人： E·R·霍斯勒
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F7/70033 , G03F7/70175
摘要： 本发明涉及利用低温制程的原位EUV收集器清洗的方法及装置，其揭示利用低温制程及磁阱进行原位EUV收集器清洗的方法及装置。实施例包括提供包括反射表面的光源收集器；向该收集器的表面施加冷却剂，以加速该反射表面上的污染物的特性转换；向该反射表面施加清洁剂，以去除该转换后的污染物；以及将该去除的污染物移至远离该反射表面的收集舱。
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公开(公告)号：CN106997154A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201611222845.0
申请日：2016-12-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B08B3/02 , B08B3/04 , G03F7/162 , G03F7/70925
摘要： 提供了一种用于清洗光刻胶工艺工具的杯状清洗盘。上托板布置在下托板上方以限定上托板和下托板之间的空腔。下托板包括与空腔流体连通且沿着下托板的周边布置的周边开口。多个垫片布置在上托板和下托板之间以将上托板和下托板间隔开且限定上托板和下托板之间的狭缝。狭缝与空腔流体连通。还提供了一种使用杯状清洗盘清洗光刻胶工艺工具的方法。本发明的实施例还涉及光刻胶工艺工具。
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