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公开(公告)号:CN107817542A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201710811021.5
申请日:2017-09-11
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70116 , G02B7/1822 , G03F7/70075 , G02B5/09 , G02B7/1821 , G03F7/70175
Abstract: 本发明涉及一种光学模块,尤其是分面反射镜,具有用于光学表面的载体单元和支撑其的支撑结构。支撑结构具有基础单元、第一支撑单元和与第一支撑单元不同的第二支撑单元。第一支撑单元定义载体单元的第一运动平面和第一倾斜轴线,载体单元可相对于基础单元围绕第一倾斜轴线倾斜。第二支撑单元定义载体单元的第二运动平面和第二倾斜轴线,载体单元可相对于基础单元围绕第二倾斜轴线倾斜。第一和第二支撑单元彼此运动学并联地布置在基础单元与载体单元之间并且分别设计为四连杆机构,其允许载体单元相对于基础单元在相应的运动平面中进行平移运动。第一和第二支撑单元分别具有至少一个脱耦区段,其允许在相应的另一支撑单元的运动平面中平移运动。
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公开(公告)号:CN105637421B
公开(公告)日:2018-02-27
申请号:CN201480056123.5
申请日:2014-08-25
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor: M.德冈瑟
CPC classification number: G02B19/0023 , G02B5/09 , G02B19/0095 , G03F7/70075 , G03F7/70175 , G03F7/702 , G21K1/06 , G21K2201/064
Abstract: 本发明涉及一种聚光器(15),其用于将EUV光从辐射源区域传输至照明镜头。聚光器的聚焦镜头(26)将辐射源区域(3)聚焦至下游焦点区域。聚焦镜头(26)设计为使得辐射源(3)由辐射源区域(3)与下游焦点区域之间以小于20°的波束角发射的EUV光(14)聚焦,具有至少一个第一放大率,并且使得辐射源(3)由以大于70°的波束角发射的EUV光(14)聚焦,具有至少一个第二放大率。一方面小于20°的波束角,另一方面大于70°的波束角的两个放大率相差不超过2.5倍。根据本发明的照明系统除了相应聚光器外还具有场分面传输镜头。一方面来自第一聚光器放大率和第一分面放大率的,另一方面来自第二聚光器放大率和第二分面放大率的分配给波束角的乘积相差不超过2.5倍。结果,通过聚光器,保证EUV光有效率地传输到照明或物场。
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公开(公告)号:CN101836165B
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN200880113387.4
申请日:2008-10-11
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G02B5/0891 , G02B13/143 , G02B17/06 , G03F7/70175 , G03F7/70233
Abstract: 成像光学系统(7)具有多个镜(M1至M6)。这些镜将物平面(5)中的物场(4)成像到像平面(9)中的像场(8)。在成像光学系统(7)中,镜(M1至M6)的反射表面上的成像光(3)的最大入射角和成像系统(7)的像方数值孔径的比小于33.8°。这产生为镜的反射涂层提供好的条件的成像光学系统,利用该成像光学系统,当成像光通过该成像光学系统时,尤其甚至在小于10 nm的EUV范围内的波长,对于成像光仍能够获得低的反射损失。
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公开(公告)号:CN102099744B
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN200980127688.7
申请日:2009-07-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70033 , G03F7/70141 , G03F7/70175 , G03F7/70825 , G03F7/7085
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备(2),包括:辐射源(SO),配置成提供辐射(200);辐射收集器(CO),配置成收集来自辐射源(SO)的辐射(200);照射系统(IL)和探测器(300)。探测器(300)设置成与照射系统(IL)的相对于其对准所述收集器(CO)的部分具有固定的位置关系。此外,收集器(CO)的区域(310)可以配置成引导从辐射源(SO)发射并穿过所述区域(310)朝向探测器(300)的辐射(200)的一部分。所述探测器(300)布置成探测所述辐射(200)的一部分的改变。这种改变表示所述收集器(CO)相对于所述照射系统(IL)的相对于其对准所述收集器(CO)的部分的位置或取向的改变。
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公开(公告)号:CN102119365B
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN200980131196.5
申请日:2009-07-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70916 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70883 , G03F7/70908 , G03F7/70983 , H05G2/003
Abstract: 一种光刻设备(1),包括:辐射源(SO),被配置成产生极紫外辐射,所述辐射源(SO)包括:腔(210),在所述腔中产生等离子体(225);收集器反射镜(270),被配置以反射由所述等离子体(225)发射的辐射;和碎片减缓系统(230),所述碎片减缓系统(230)包括:气体供给系统(235),被配置以朝向所述等离子体供给第一气流(240),所述第一气流(240)被选择以将由所述等离子体(225)产生的碎片热能化;和多个气体岐管(247),被布置在靠近所述收集器反射镜(270)的位置处,所述气体岐管被配置成将第二气流(250)供给到所述腔(210)内,所述第二气流(250)被朝向所述等离子体(225)引导,以防止被热能化的碎片沉积到所述收集器反射镜(270)上。
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公开(公告)号:CN102385257A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110254363.4
申请日:2011-08-31
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G21K1/06 , G03F7/70175 , G03F7/70891 , G21K2201/065 , G21K2201/067
Abstract: 一种收集且传输来自EUV辐射源的辐射的EUV集光器(15)包括:至少一个反射EUV辐射源的发射的集光器反射镜(23),其被关于中轴(24)旋转对称配置;以及冷却该至少一个集光器反射镜(23)的冷却装置(26),其中该冷却装置(26)包括至少一个冷却元件(27),所述冷却元件各自具有关于集光器反射镜(23)的巷道,以使得所述巷道在垂直于中轴(24)的平面内的投影具有主方向,所述主方向和预先确定的优选方向(29)一起包围至多为20°的角度。由集光器(15)传输以用来照明物场的辐射的质量由所述类型的集光器(15)改善。
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公开(公告)号:CN102144192A
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN200980134829.8
申请日:2009-04-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70916 , G03F7/70175 , G03F7/70858 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/005
Abstract: 一种辐射系统,配置成产生辐射束。所述辐射系统包括:辐射源(50),配置成产生发射辐射和碎片的等离子体;辐射收集器(70),配置成引导所收集的辐射至辐射束发射孔(60)。磁场产生装置(200)配置成产生具有磁场强度梯度的磁场,以将等离子体引导离开辐射收集器(70)。
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公开(公告)号:CN105334705B
公开(公告)日:2018-06-19
申请号:CN201510484698.3
申请日:2015-08-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 川岛春名
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/702 , G02B5/09 , G02B5/10 , G02B17/0657 , G02B19/0019 , G02B19/0023 , G02B19/0047 , G02B19/0095 , G03F7/70175
Abstract: 本发明涉及光源装置、照明装置、曝光装置和装置制造方法。提供一种光源装置,该光源装置包括:被配置为从具有预先确定的尺寸的发光区域发射光束的光源;和被配置为会聚光束而允许光束出射到外面的会聚器。发光区域具有旋转对称的发光强度分布。会聚器关于被定义为发光区域的旋转对称轴的光轴旋转对称、被设置为包围发光区域、并且具有分别具有用于反射从发光区域发射的光束的反射表面的四个或更多个反射镜。所述四个或更多个反射镜包含反射表面为椭圆形的椭圆表面反射镜和反射表面为球面的球面反射镜。椭圆表面反射镜和球面反射镜沿所述光轴的方向被交替布置,并且,被一个球面反射镜反射的光束进一步被跨着发光区域相对设置的一个椭圆表面反射镜反射,而允许光束出射到外面。
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公开(公告)号:CN105122140B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201480021392.8
申请日:2014-03-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G02B19/0023 , G02B5/09 , G02B5/10 , G02B7/1815 , G02B19/009 , G02B27/0006 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70575 , G03F7/70891 , G03F7/7095
Abstract: 一种辐射收集器(141),包括:多个反射表面(400‑405),其中所述多个反射表面中的每个反射表面与多个椭圆面(40‑45)中的一个椭圆面的一部分重合;其中所述多个椭圆面具有共同的第一焦点(12)和第二焦点(16);所述多个反射表面中的每个反射表面与所述多个椭圆面中不同的椭圆面重合;其中,所述多个反射表面被配置为接收源自第一焦点(12)的辐射,并且向第二焦点(16)反射辐射。图11示出的设备(820)包括冷却系统(832)和反射器(831),其中冷却系统被配置为冷却反射器,所述冷却系统包括:多孔结构(823),所述多孔结构与辐射收集器热接触,其中所述多孔结构被配置为接收液相状态的冷却剂;冷凝器(825),所述冷凝器被配置为从(826)所述多孔结构接收蒸汽相状态的冷却剂,冷凝所述冷却剂,由此使所述冷却剂经历转化为液相状态的相变并输出液相状态的冷凝的冷却剂以进入(827)所述多孔结构。
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公开(公告)号:CN107436539A
公开(公告)日:2017-12-05
申请号:CN201710375971.8
申请日:2017-05-25
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 大野文靖
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70175 , G03F7/70191 , G03F7/7085
Abstract: 本发明涉及一种曝光装置以及物品的制造方法。进行基板的扫描曝光的曝光装置具有:投影光学系统,将原版的图案投影到所述基板;以及控制部。投影光学系统包括:包含凹面镜和凸面镜在内的多个光学部件;多个调整部,为了调整凹面镜的面形状,对凹面镜的背面的多个部位施加力;以及测量部,测量所述光学部件的位置以及姿势中的至少某一个。控制部根据由测量部测量出的测量结果进行多个调整部的控制,以使得在扫描曝光的执行过程中调整凹面镜的面形状。
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