公开(公告)号：CN101432457A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580028242.0

申请日：2005-08-02

申请人： 太阳领域有限责任公司

发明人： N·W·约翰斯顿

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/56 ,  C23C14/58

CPC分类号： C23C14/0629 ,  C23C14/228 ,  C23C14/562 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5846 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1836 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 一种用于在大气压下涂覆衬底的方法，该方法包含下列步骤：在加热的惰性气流中在基本上大气压下蒸发可控质量的半导体材料，以产生具有高于该半导体材料凝结温度的温度的流体混合物；在基本上大气压下将该流体混合物引导到具有低于该半导体材料凝结温度的温度的衬底上；并且在该衬底的表面上淀积一层该半导体材料。

公开(公告)号：CN101048877A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036891.5

申请日：2005-10-26

申请人： 巴斯福股份公司

发明人： H-J·施特策尔

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0296 ,  C30B29/48

CPC分类号： H01L31/068 ,  C30B23/02 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种包含光电活性半导体材料的光电池。所述光电池的特征在于光电活性半导体材料为具有式(I)的二元化合物或具有式(II)的三元化合物的p－掺杂或n－掺杂的半导体材料：ZnTe(I)，Zn1－xMnxTe(II)，其中x为0.01－0.99的数。在所述光电活性半导体材料中的一定比例碲离子由卤离子和氮离子替代且卤离子选自氟离子、氯离子和溴离子或其混合物。

公开(公告)号：CN104247037B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280062411.2

申请日：2012-10-16

申请人： 第一太阳能有限公司

发明人： 伊戈尔·桑金 ,  马库斯·格洛克勒 ,  本雅明·布勒 ,  基兰·崔西

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  H01L31/073

CPC分类号： H01L31/065 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02562 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 一种改进的光伏装置及其制造方法，该光伏装置包括邻近半导体吸收层的界面层，其中，界面层包括在半导体层中从界面层的接触吸收层的一侧到界面层的相反的一侧浓度减小的材料。

公开(公告)号：CN106461800A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580034428.0

申请日：2015-06-22

申请人： 伦斯勒理工学院

发明人： 拉金德拉·P·达哈尔 ,  伊瑟拉·B·比哈特 ,  亚龙·达农 ,  詹姆斯·建强·鲁

IPC分类号： G01T3/08 ,  H01L27/14 ,  H01L31/115 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/115 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1856 ,  Y02E10/544

摘要： 本发明呈现辐射检测结构及其制造方法。所述方法包含(例如)：提供衬底，所述衬底包含从其上表面延伸到所述衬底中的至少一个沟槽；以及从所述衬底的所述至少一个沟槽的一或多个侧壁外延地形成辐射响应性半导体材料层，所述辐射响应性半导体材料层通过在其中产生电荷载流子来响应于入射辐射。在一个实施例中，所述衬底的所述至少一个沟槽的所述侧壁包含所述衬底的(111)表面，其促进外延地形成所述辐射响应性半导体材料层。在另一实施例中，所述辐射响应性半导体材料层包含六方氮化硼，且所述外延地形成包含利用a轴线来提供所述六方氮化硼，所述a轴线平行于所述沟槽的所述侧壁。

公开(公告)号：CN106365128A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610531464.4

申请日：2016-07-07

申请人： 四川大学

发明人： 刘明洋 ,  余睽 ,  余启钰 ,  张静 ,  朱婷婷

IPC分类号： C01B19/04 ,  C01G11/02 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C01B19/002 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02601 ,  C01B19/04 ,  C01G11/02 ,  C01P2004/64

摘要： 魔尺寸纳米晶类物质的制备方法，以含有元素周期表ⅡB族、ⅢA和 A族中至少一种金属元素的成分，以及ⅥA族和ⅤA族中至少一种非金属元素的成分为原料，在制备常规纳米晶类物质的反应体系中和惰性气体氛围中，加热反应后，冷却至低于其反应实际加热温度50%的温度后静置，得到所述的魔尺寸纳米晶类物质目标产物。该制备方法可以得到纯净的所需目标产物。

公开(公告)号：CN106206254A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610551531.9

申请日：2016-07-13

申请人： 合肥工业大学

发明人： 于永强 ,  耿祥顺 ,  许克伟 ,  李智 ,  罗林保

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L33/28

CPC分类号： H01L21/02631 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/28

摘要： 本发明公开了具有优异光致发光特性的大面积二维层状材料的制备方法，其是采用脉冲激光沉积技术，在基片表面沉积上过渡金属硫族化合物的薄膜。通过本发明的方法制备的薄膜具有单层或少数原子层半导体材料的特性，这种材料在光照射下具有很好的光致发光特性，且本发明的方法操作简单、重复性强。

公开(公告)号：CN102208484B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201110089632.6

申请日：2011-03-30

申请人： 初星太阳能公司

发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/086 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明一般提供在基体(12)上形成导电氧化物层(14)的方法。在一个具体实施方案中，所述方法可包括在包含镉的溅射气氛用靶(例如包含锡酸镉)在基体(12)上溅射透明导电氧化物层(14)。可在约100℃至约600℃的溅射温度溅镀透明导电氧化物层(14)。本发明也一般提供制备基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。

公开(公告)号：CN104425652A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310472442.1

申请日：2013-08-30

申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 ,  CTF太阳能有限公司

发明人： 克里什纳库马·维拉潘 ,  巴斯蒂安·希普欣 ,  贝蒂娜·斯帕特 ,  克里斯蒂安·德罗斯特 ,  彭寿

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/073 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1836 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提出一种生产衬顶构造或衬底构造的太阳能电池的方法。根据本发明的方法是一种使由于CdS层中的吸收而引起的损失最小化并且除去CdCl2活化处理步骤的有效方法。这通过在太阳能电池的CdS层和CdTe层之间施加金属卤化物牺牲层来实现。

公开(公告)号：CN104247037A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201280062411.2

申请日：2012-10-16

申请人： 第一太阳能有限公司

发明人： 伊戈尔·桑金 ,  马库斯·格洛克勒 ,  本雅明·布勒 ,  基兰·崔西

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  H01L31/073

CPC分类号： H01L31/065 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02562 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 一种改进的光伏装置及其制造方法，该光伏装置包括邻近半导体吸收层的界面层，其中，界面层包括在半导体层中从界面层的接触吸收层的一侧到界面层的相反的一侧浓度减小的材料。

公开(公告)号：CN102136524B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201010615759.2

申请日：2010-12-16

申请人： 通用电气公司

发明人： S·费尔德曼-皮博迪 ,  B·利塔 ,  M·B·科曾斯 ,  M·萨德希 ,  赵宇 ,  R·M·惠特尼

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： C23C14/0629 ,  C23C14/5846 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明名称为“制作光伏电池的方法”。公开了一种用于制作光伏(PV)电池的方法。该方法包括至少以下步骤：提供包括含有界面区(304)的碲化镉(CdTe)层的第一组件(300)，以及在存在包括铜的材料的情况下，使第一组件进行功能化处理。