公开(公告)号：CN101771098A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010109509.1

申请日：2006-09-29

申请人： 夏普株式会社

发明人： 岸本克史

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其特征在于：通过在同一等离子体CVD膜沉积室中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)，所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200-3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01-0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法，可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。

公开(公告)号：CN101755340A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880025511.1

申请日：2008-12-05

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。

公开(公告)号：CN100533776C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN03120662.X

申请日：2003-03-04

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 寺川朗 ,  浅海利夫

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/202 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种可以提高晶体硅类半导体和非晶体硅类半导体的界面特性，改善结合特性的光电转换装置。这种光电转换装置可以按照夹持着i型非晶体硅制薄层(12)的方式，叠层设置有n型单晶体硅制基板(11)和p型非晶体硅制薄层(13)，在单晶体硅制基板(11)的内面侧处还通过i型非晶体硅制薄层(14)，设置有n型非晶体硅制薄层(15)，而且在单晶体硅制基板(11)与i型非晶体硅制薄层(12)、(14)间的界面处，存在有其浓度比i型非晶体硅制薄层(12)、(14)中的氧原子浓度高的氧原子。

公开(公告)号：CN101447516A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810178488.1

申请日：2008-12-01

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 木下敏宏

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02245 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明的目的在于提供一种抑制贯通孔的内壁面与贯通孔电极之间短路的发生的太阳能电池和太阳能电池的制造方法。包括对贯通孔的内壁面进行各向异性蚀刻的第一蚀刻工序、和对受光面进行各向异性蚀刻的第二蚀刻工序，在第一蚀刻工序中使用高浓度NaOH液(约5重量％)，在第二蚀刻工序中使用低浓度NaOH液(约1.5重量％)。

公开(公告)号：CN100474637C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510059859.0

申请日：2005-03-31

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 中岛武 ,  丸山英治

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明提供了一种光生伏打装置，其具有优异的环境耐久性以及良好的与由金属糊制成的集电极的粘合性。该光生伏打装置包括在其光入射面上的在p型无定形氢化硅膜上的ITO膜，以及在该ITO膜上的由银糊制成的集电极。至少在ITO膜上没有形成集电极的区域上有由SiOx制成的氧化硅绝缘膜。该氧化硅绝缘膜的厚度比下层的ITO膜的算术平均偏差(Ra)厚大约1至10倍。该氧化硅绝缘膜是具有可以通过X-射线光电子光谱法测算的半峰全宽为2.45或更小的Si-2p峰的膜。

公开(公告)号：CN1755947A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510059859.0

申请日：2005-03-31

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 中岛武 ,  丸山英治

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明提供了一种光生伏打装置，其具有优异的环境耐久性以及良好的与由金属糊制成的集电极的粘合性。该光生伏打装置包括在其光入射面上的在p型无定形氢化硅膜上的ITO膜，以及在该ITO膜上的由银糊制成的集电极。至少在ITO膜上没有形成集电极的区域上有由SiOx制成的氧化硅绝缘膜。该氧化硅绝缘膜的厚度比下层的ITO膜的算术平均偏差(Ra)厚大约1至10倍。该氧化硅绝缘膜是具有可以通过X－射线光电子光谱法测算的半峰全宽为2.45或更小的Si－2p峰的膜。

公开(公告)号：CN1423839A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN01805305.X

申请日：2001-12-20

申请人： 能源系统国际公司

发明人： 阿德里安努什·德勒伊特

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/18 ,  G01N21/00

CPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/0488 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及一种光电装置(1),包括一系列的安置在基片(3)上的P－I－N光电元件(2),其中所述的元件(2)被以相互平行的单层的形式排列,其中导线(7)层被安置在每个元件(2)的连续层N(6)和层P(5)之间以便使所述的元件电串联。该光电装置在玻璃窗中的应用、生产该装置的方法、执行该方法的装置、控制透明的光电装置的方法以及用于执行所述的控制方法的装置。

公开(公告)号：CN109638094A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811472130.X

申请日：2018-12-04

申请人： 江苏爱康能源研究院有限公司

发明人： 郭小勇 ,  易治凯 ,  汪涛 ,  王永谦

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202

摘要： 本发明涉及的一种高效异质结电池本征非晶硅钝化层结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片（1），所述N型晶体硅片（1）的正面和背面均设有多层非晶硅本征层；所述第二层非晶硅本征层（3）的外侧设有非晶硅掺杂层（4），所述非晶硅掺杂层（4）的外侧设有TCO导电膜（5），所述TCO导电膜（5）的外侧设有若干Ag电极（6）。本发明的非晶硅本征层采用叠层，第一层采用纯硅烷沉积，有效了避免晶体硅/非晶硅界面初始沉积的外延生长，第二层采用高氢稀释的硅烷沉积，提高了第一层非晶硅的薄膜氢含量，同时增强了界面钝化。

公开(公告)号：CN107425088A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710857818.9

申请日：2017-09-21

申请人： 暨南大学 ,  暨南大学韶关研究院

发明人： 杨恢东 ,  张翠媛 ,  宋香荣 ,  夏锦辉 ,  王菁 ,  陈玉玲 ,  彭炳荣 ,  李俊魁

IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/0336

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/077 ,  H01L31/0336

摘要： 本发明公开了一种新型的异质结太阳电池，包括背电极层、位于背电极层之上的P层、位于P层之上的窗口层，所述窗口层为掺杂了Al的ZnO薄膜；掺杂了Al的ZnO薄膜与P层形成PN结。本发明将透明导电氧化层与N型窗口层合二为一，形成NIP型异质结太阳电池，通过在单晶硅上用不同带隙的材料制备而成异质结，提高了太阳电池的效率，增加了太阳能的利用率。

公开(公告)号：CN104752536B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201410143530.1

申请日：2014-04-10

申请人： 新日光能源科技股份有限公司

发明人： 丁兆民 ,  阮信晓 ,  林昆志 ,  廖智弘 ,  曾奕文

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种太阳能电池及其制造方法，包含一晶体硅半导体基板、一本质非晶硅半导体层、一非晶硅半导体层以及一透明导电层。所述晶体硅半导体基板具有一第一型掺杂，且所述晶体硅半导体基板上设有至少一沟槽，形成一封闭图形，封闭图形内定义为一第一电极区域，封闭图形外定义为一第二电极区域。其中本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层依序形成于晶体硅半导体基板上以及沟槽内，所述本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层于沟槽处会形成不连续的结构，并于第一与第二电极区域之间产生绝缘效果。