公开(公告)号：CN102113127B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980129888.6

申请日：2009-08-20

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 山口贤刚 ,  坂井智嗣 ,  鹤我薰典

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： C23C14/086 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C23C14/3407 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

摘要： 提供一种通过将暴露于氢等离子体后的导电率设定在适当的范围而抑制漏电流并提高转换效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上包括至少具备2层发电单元层(91、92)的光电转换层(3)和夹在所述发电单元层(91、92)之间的中间接触层(5)，所述光电转换装置的特征在于，所述中间接触层(5)主要包含由Zn1-xMgxO(0.096≤x≤0.183)表示的化合物。

公开(公告)号：CN101627478A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200780032376.9

申请日：2007-08-06

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 中野要治 ,  竹内良昭 ,  山口贤刚 ,  山内康弘

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光电转换装置及其制造方法，其兼容高的光电转换效率和高的生产性，该光电转换装置(90)至少具有在透明绝缘性基板(1)上设置透明电极层(2)而形成的带透明电极基板、以及在该带透明电极基板的透明电极层(2)一侧上依次形成的主要具有结晶硅类半导体的光电转换层(92)以及背面电极层(4)，其中所述带透明电极基板的透明电极层(2)的表面为混合存在大小凹凸的形状，并且光谱模糊率在550nm以上800nm以下的波长时为20％以上，主要具有所述结晶硅类半导体的光电转换层的膜厚为1.2μm以上2μm以下，喇曼比为3.0以上8.0以下。

公开(公告)号：CN101755340B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200880025511.1

申请日：2008-12-05

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。

公开(公告)号：CN101755340A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880025511.1

申请日：2008-12-05

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。

公开(公告)号：CN102067325B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200980123940.7

申请日：2009-07-08

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L27/1423 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供使开路电压增加并且改善n层与背面侧透明电极层或n层与中间接触层的接触性而提高形状因子的光电转换装置及其制造方法。一种在基板(1)上具备层叠p层(41)、i层(42)和n层而成的光电转换层(3)的光电转换装置(100)，在该光电转换装置(100)中，所述n层包括含氮n层(43)和在该含氮n层(43)的与所述基板(1)相反一侧的面上形成的界面处理层(44)，所述含氮n层(43)以1％以上且20％以下的原子浓度含有氮原子，并且结晶化率为0以上且小于3，所述界面处理层(44)为结晶化率1以上且6以下。

公开(公告)号：CN102105992B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980128959.0

申请日：2009-08-18

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 山口贤刚 ,  坂井智嗣 ,  竹内良昭

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种通过高速制成覆盖良好的n层来同时实现高生产性和高转换效率的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法包含利用等离子体CVD法在基板(1)上形成硅系的光电转换层(3)的工序，其特征在于，形成所述光电转换层(3)的工序包含形成由晶质硅构成的i层(42)的工序和在该i层(42)上以氢稀释率0倍以上且10倍以下的条件形成n层(43)的工序。

公开(公告)号：CN102176487A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110079917.1

申请日：2008-12-05

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。

公开(公告)号：CN102105992A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128959.0

申请日：2009-08-18

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 山口贤刚 ,  坂井智嗣 ,  竹内良昭

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种通过高速制成覆盖良好的n层来同时实现高生产性和高转换效率的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法包含利用等离子体CVD法在基板(1)上形成硅系的光电转换层(3)的工序，其特征在于，形成所述光电转换层(3)的工序包含形成由晶质硅构成的i层(42)的工序和在该i层(42)上以氢稀释率0倍以上且10倍以下的条件形成n层(43)的工序。

公开(公告)号：CN102165281B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200980138578.0

申请日：2009-07-02

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 坂井智嗣 ,  中野要治 ,  小林靖之 ,  山口贤刚 ,  高野晓巳

IPC分类号： G01B11/06 ,  H01L21/205

CPC分类号： G01B11/0625

摘要： 薄膜检查装置包括：存储部(14)，该存储部保存有至少2个特征量特性，所述2个特征量特性由以下方式得到：从因第1透明薄膜和第2透明薄膜的至少一方的膜厚变动而受到影响的分光反射光谱的特征量中选择至少2个特征量，并将所选择的该特征量中的每一个特征量与第1透明薄膜的膜厚和第2透明薄膜的膜厚分别建立关联；对被检查基板(S)从透明玻璃基板侧照射白色光的光照射部(11)；接受来自被检查基板(S)的反射光的受光部(12)；和运算部(15)，从基于受光的反射光的分光反射光谱求出在存储部(14)中保存的各特征量的实测值，使用求出的各特征量的实测值和在存储部(14)中保存的特征量特性，分别求出第1透明薄膜和第2透明薄膜的膜厚。

公开(公告)号：CN102165282B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200980138478.8

申请日：2009-07-02

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 坂井智嗣 ,  川添浩平 ,  山口贤刚 ,  高野晓巳

IPC分类号： G01B11/30 ,  G01N21/59 ,  G01N21/88

CPC分类号： G01N21/8422 ,  G01B11/06 ,  G01B11/30 ,  G01N2021/8928

摘要： 本发明目的在于能够降低薄膜的基板面内的膜厚变动的影响，实现计测精度的提高。包括：对在璃基板上形成有薄膜的被检查基板(W)从该玻璃基板侧照射单波长的光的光源；以受光轴相对于从光源射出的照明光的光轴以预定的倾斜角度交叉的方式配置，对透过被检查基板(W)的扩散透过光进行受光的受光元件；和基于由受光元件接受的光的强度求出薄膜的雾度率的计算机(7)。计算机(7)具有将雾度率与扩散透过光的光强度建立关联而成的雾度率特性，利用该雾度率特性和由上述受光元件接受的光强度求出雾度率。