基板清洗装置和基板清洗方法

    公开(公告)号:CN104217979A

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201410232087.5

    申请日:2014-05-28

    CPC分类号: H01L21/67051

    摘要: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗方法。一边使基板旋转一边向基板的中心部依次喷射清洗液和气体,在使喷射清洗液和气体的喷嘴朝向基板的周缘侧移动之后,切换至设定在自第1清洗液喷嘴的移动轨迹偏离的位置上的第2清洗液喷嘴来喷射清洗液,一边喷射清洗液并喷射气体一边使两个喷嘴朝向基板的周缘侧移动,以使自第2清洗液喷嘴的喷射位置起到基板的中心部为止的距离与自气体喷嘴的喷射位置起到基板的中心部为止的距离之间的差逐渐变小的方式使各喷嘴移动。

    涂敷方法和涂敷装置
    72.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102289151B

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201110168382.5

    申请日:2011-06-17

    IPC分类号: G03F7/16

    摘要: 本发明提供一种涂敷方法和涂敷装置,即使在涂敷液例如抗蚀剂液的供给量较少的情况下也能在基板的表面上均匀地形成涂敷膜。涂敷方法包括:预湿工序,将预湿液供给到基板(W)的中心,并且使基板旋转而使预湿液扩散到第1基板的整个表面上;涂敷膜形成工序,向供给了预湿液的基板供给涂敷液(例如抗蚀剂液),使该涂敷液干燥,从而在上述第1基板的表面形成涂敷膜。采用比涂敷液的表面张力高的混合液体作为预湿液,通过使能够溶解涂敷膜成分(例如抗蚀剂成分)的溶剂、和表面张力高于该溶剂的高表面张力液体混合,获得上述混合液体。分别独立地准备溶剂和高表面张力液体,在供给预湿液时,使溶剂与高表面张力液体混合。

    显影装置和显影方法
    74.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101833250B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201010132989.3

    申请日:2010-03-12

    IPC分类号: G03F7/30

    CPC分类号: G03F7/3021 H01L21/6715

    摘要: 本发明提供能够高均匀性地对基板供给显影液、抑制成品率的降低的显影装置、显影方法和存储介质。显影装置包括:基板保持部,其水平地保持表面涂布有抗蚀剂并被曝光后的基板;表面处理液雾化机构,其使用于提高显影液对上述基板的浸润性的表面处理液雾化;第一喷雾喷嘴,其将已雾化的上述表面处理液向上述基板喷雾;和显影液喷出喷嘴,其向已喷雾上述表面处理液的基板喷出显影液进行显影。雾化的表面处理液与保持液状的表面处理液相比,对基板的表面张力较低,所以在基板上的聚集受到抑制,能够容易地向基板整体供给,能够提高上述浸润性。其结果为,因为能够高均匀性地向基板供给显影液,成品率的降低能够得到抑制。

    基板洗净方法和基板洗净装置

    公开(公告)号:CN102654735A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201210156325.X

    申请日:2009-03-16

    摘要: 本发明是对水的静接触角是85度以上的基板表面进行洗净的方法。包含如下工序:以基板的中心部和旋转中心部一致的方式使基板保持部水平保持基板;使所述基板保持部围绕垂直轴旋转的同时,从洗净喷嘴向基板的中心部喷出洗净液,通过离心力扩展到基板的表面整体;接着在使基板保持部旋转的状态下将基板上的洗净液的喷出位置变更到从基板的中心部偏移的偏心位置上,并在将洗净液的喷出位置的气体喷出位置侧界面和气体喷嘴的气体喷出位置的洗净液喷出位置侧界面的距离设定为9mm~15mm的状态下,从所述气体喷嘴向所述基板的中心部喷出气体形成洗净液的干燥区域;在使基板保持部旋转的状态下,以比所述干燥区域向外扩展的速度慢的速度使洗净液的喷出位置向基板的周缘移动。

    基板清洗方法以及显影装置

    公开(公告)号:CN101615568B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN200910140027.X

    申请日:2005-07-07

    摘要: 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后,在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液,该清洗液向周围扩展而形成液膜,接下来使上述喷嘴移动,使基板的中心部产生干燥区域,以1500rpm的转速旋转基板,通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置,在此处停止排出清洗液。此外,预先在该位置配置其它的喷嘴,从该处预先排出清洗液,在干燥区域即将到达此处之前,可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下,优选将气体喷吹向基板的中心部,并立刻停止该喷吹。

    涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机可读取的存储介质

    公开(公告)号:CN101398627B

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN200810161932.9

    申请日:2008-09-27

    IPC分类号: G03F7/16 H01L21/00

    CPC分类号: G03F7/162

    摘要: 本发明涉及涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机可读取的存储介质。一种基板的涂敷处理方法,具有:第一工序,在使基板旋转的状态下,从喷嘴向该基板的中心部喷出涂敷液,将涂敷液涂敷在基板上;第二工序,在第一工序之后,对基板的旋转减速,使基板持续旋转;第三工序,在第二工序之后,对基板的旋转加速,使基板上的涂敷液干燥,其中,在第一工序之前,以第一速度的恒定速度使基板旋转,在第一工序中,使在开始前具有第一速度的基板的旋转逐渐加速,以便在开始后其速度连续地变动,在结束时,使基板的旋转的加速度逐渐减少,使基板的旋转达到比第一速度快的第二速度。

    涂敷处理方法及涂敷处理装置

    公开(公告)号:CN101750898A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910252191.X

    申请日:2009-12-15

    IPC分类号: G03F7/16

    摘要: 本发明提供一种实现抑制涂敷涂敷液时产生的气泡来提高涂敷液膜的均匀化及成品率的涂敷处理方法及涂敷处理装置。还提供实现涂敷液的有效利用及涂敷液膜的均匀化的涂敷处理方法及涂敷处理装置。本发明的涂敷处理方法如下所述:使半导体晶圆(W)以低速的第1转速旋转,向晶圆中心部供给纯水(DIW)而形成纯水的积水部,然后在使晶圆以上述第1转速旋转的状态下,向晶圆中心部供给水溶性的涂敷液(TARC),使该涂敷液和上述积水部的纯水混合。然后使晶圆以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜。