导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置

    公开(公告)号:CN104733541B

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201510124556.6

    申请日:2015-03-19

    发明人: 操彬彬 林致远

    摘要: 本发明提供了一种导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置,该导电结构的制作方法包括:在基板上依次形成阻挡金属薄膜、与所述阻挡金属薄膜层叠设置的铜金属薄膜;在所述铜金属薄膜上形成预设的光刻胶图案;对所述阻挡金属薄膜以及所述铜金属薄膜进行刻蚀;对所述刻蚀后所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁进行氧化处理;采用剥离液剥离所述光刻胶图案。本发明实施方式提供的导电结构的制作方法,通过在采用湿法剥离工艺去除导电结构上的光刻胶前,对导电结构暴露出的侧壁进行氧化处理,使侧壁形成均一的金属氧化层,在进行湿法剥离时,能够有效改善铜金属薄膜与阻挡金属薄膜之间的界面分离现象。

    触控基板及其制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN106775167A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710025532.4

    申请日:2017-01-13

    发明人: 操彬彬 曹可 艾力

    IPC分类号: G06F3/044 G06F3/041

    摘要: 本发明提供一种触控基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。本发明的触控基板,包括基底,设置在所述基底上的多个触控电极块,位于任意两相邻林的所述触控电极块之间设置有填充块;其中,所述填充块的材料的折射率为n3,所述基底的材料的折射率为n1,所述触控电极块的材料的折射率为n2,且|n2‑n3|<|n2‑n1|。在本发明中在各个触控电极块之间设置填充块,且|n2‑n3|<|n2‑n1|,即填充块材料的折射率与触控电极块的材料折射率差值,小于基底材料与触控电极块的材料折射率差值,同时由于材料的折射率决定了其反射率,故填充块材料的反射率与触控电极块的材料反射率相差不大,因此,本发明中的触控基板的消影效果较好。

    阵列基板、阵列基板的制造方法和显示装置

    公开(公告)号:CN106353937A

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201611064649.5

    申请日:2016-11-28

    IPC分类号: G02F1/1343

    摘要: 本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制造方法和显示装置,属于显示技术领域。该阵列基板包括:衬底基板;衬底基板上设置有至少一个电极;设置有至少一个电极的衬底基板上设置有树脂层;设置有树脂层的衬底基板上设置有至少一个电极;其中,树脂层包括绝缘区域和至少一个导电区域,每个导电区域分别与位于导电区域上下两侧,且需要导通的两个电极接触。本发明提供的阵列基板,通过树脂层中的导电区域将树脂层两侧的电极进行连接,解决了相关技术中绝缘区域上方的电极在通过绝缘区域过孔与绝缘区域下方电极连接时,绝缘区域过孔处会形成较大的凹陷,阵列基板的平坦度较低的问题。达到了阵列基板的平坦度较高的效果。

    一种单片玻璃式触控面板及其制作方法

    公开(公告)号:CN104898884A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201510334229.3

    申请日:2015-06-16

    发明人: 张健 操彬彬

    IPC分类号: G06F3/041

    摘要: 本发明公开了一种单片玻璃式触控面板及其制作方法,属于半导体技术领域。所述制作方法包括:在基板第一表面上涂覆一层树脂保护层;在基板第二表面上形成黑矩阵、多个第一电极、多个第二电极、第一覆盖层、多个导电桥,第二表面为基板的与第一表面相反的表面;第二表面包括可视区域和非可视区域,黑矩阵设置在非可视区域,第一电极和第二电极交叉设置在可视区域,第二电极包括沿第二电极的延伸方向间隔设置的多个导电块,各导电块位于相邻的第一电极之间,第一覆盖层覆盖在第一电极和第二电极上并隔开导电块与第一电极,导电桥设置在第一覆盖层上并连接属于同一个第二电极的导电块。本发明提升了单片玻璃式触控面板良率。

    一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法

    公开(公告)号:CN106711154B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201710011079.1

    申请日:2017-01-06

    IPC分类号: H01L27/12 H01L21/84

    摘要: 本发明公开了一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。显示基板包括栅极、位于栅极之上的有源层,以及位于有源层之上的源极、漏极和数据线,其中,源极具有凹形口,漏极与源极相对设置且具有伸入凹形口的条状部,凹形口与条状部的间隙形成U形沟道,数据线搭接于源极远离凹形口的一端。相比现有技术,该方案将数据线搭接于源极远离凹形口的一端,可以使U形沟道底部的透光强度因金属线密度的影响而减弱,达到中和的效果,从而得到较为均一的膜层厚度,进而可以避免沟道短路的现象发生,提高了显示装置的产品品质。

    阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN116210080A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202180002779.9

    申请日:2021-09-30

    IPC分类号: H01L21/77 H01L27/12

    摘要: 一种阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置;阵列基板的制备方法包括:依次形成第一电极材料层(81)、导电增强材料层(82)和保护材料层(83),保护材料层(83)的抗氧化性强于导电增强材料层(82)的抗氧化性;在保护材料层(83)的远离第一电极材料层(81)的一侧形成掩模图案(92),掩模图案(92)包括第一部分(921)和第二部分(922),第一部分(921)的厚度大于第二部分(922)的厚度;对掩模图案(92)进行灰化,以去除第二部分(922)使第二部分(922)覆盖的保护材料层(83)裸露;对第一电极材料层(81)进行图案化处理形成第一电极(811);对保护材料层(83)以及导电增强材料层(82)进行图案化处理对应形成保护层(831)和导电增强层(821)。避免第一电极(811)的断开的不良。