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公开(公告)号：CN102446686A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010514055.6
申请日：2010-10-13
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02
摘要： 一种双通道快速充气气路包括：减压阀(1)；气体过滤器(2)；节流阀(3)；超高纯隔膜阀(4)；高流量隔膜阀(5)。所述的减压阀(1)连接在气路起始端，与气体过滤器(2)连接，气体气体过滤器(2)后的气路分两个支路，所述的节流阀(3)和超高纯隔膜阀(4)连接在一个分支，所述的高流量隔膜阀(5)连接在另一个分支，然后两个支路再合并为一个气路。通过控制超高纯隔膜阀(4)和高流量隔膜阀(5)的开关，实现不同的充气速度，从而满足不同情况的充气要求。
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公开(公告)号：CN102445901A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010514201.5
申请日：2010-10-13
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种离子源自动稳弧流的方法，离子源装置包括阴极(1)灯丝(2)、弧室(3)、弧压电源(4)、灯丝电源(5)、偏置电源(6)。自动稳弧流的方法就是通过检测弧压电源(4)的负载电流——弧流的变化，用PID控制器来控制影响阴极发射电子的灯丝电源(5)的负载电流——灯丝电流，达到稳定弧流的目的。在灯丝电源(5)和弧压电源(4)之间形成一闭环控制，从而使弧流自动稳定，不需要人工或主控计算机干预。
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公开(公告)号：CN102347261A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010243475.5
申请日：2010-08-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明公布了一种硅片传输系统布局结构，该布局结构包括两个片库、三个真空机械手、两个片库、六个隔离阀、一个缺口定向台、一个工艺处理靶台、一个主真空腔体。本发明应用在真空环境中的硅片传输，各个单元之间协调配合工作，在传输硅片过程中任务分配合理，实现在线多片硅片流水线式传输，最大可能地提高了传输硅片的效率。
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公开(公告)号：CN102347224A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010243033.0
申请日：2010-08-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子注入机用的晶片缺口定位装置，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：本发明采用一个带标准缺口晶片1，一个旋转托盘2，一根旋转轴，一个红外光的LED发光光源组件4，一个检测红外光光强的传感器5，一个遮光罩6，一个安装支撑座7，一个定位驱动皮带8和两个驱动轮9，一个带高精度编码的直流伺服电机10。
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公开(公告)号：CN102347190A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010243070.1
申请日：2010-08-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
摘要： 一种分体式离子源引出电极系统，包括：减速电极3、屏蔽筒2、绝缘子4、加速电极7、减速电极连接杆1、加速电极连接杆8、电极基座10，所述屏蔽筒2安装在减速电极3上面向加速电极7的一侧；所述绝缘子4安装加速电极上7面向减速电极3的一侧，靠近屏蔽筒2并与屏蔽筒2相对应，其特征在于，其中所述减速电极3通过所述减速电极连接杆1连接固定到基座10上；其中所述加速电极7通过所述加速电极连接杆8连接固定到基座10上，连接方式使得所述加速电极7在需要时能够通过所述加速电极连接杆8的前后移动而沿离子束流的方向精确地前后移动。本发明的离子源引出电极结构稳定可靠，在过热的情况下加速电极和减速电极之间不会产生应力应变，从而不会损失电极的精度，还具有许多其它优点。
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公开(公告)号：CN102002758A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910090660.2
申请日：2009-09-03
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： C30B33/02
摘要： 本发明是一种新型的晶片快速退火装置，应用上下两排正交的加热灯管对位于石英腔体内的晶片快速加热，通过灯管的适当排列和分区控制来调节热场的分布，利用加热金属腔体的内壁涂复特殊涂层增加对红外的反射，涂层的粗糙化处理其目的是使光路随机化，从而使辐射在整个晶片上均匀地分布。该发明特别适用于快速退火炉这类热处理装置，属于半导体制造领域。
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公开(公告)号：CN102001240A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910090662.1
申请日：2009-09-03
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
摘要： 一种丝网印刷设备和方法，是将一个与模板上的图案一致的图案印刷到被放置在印刷平台上的承印物上，所用步骤是：抬升/降低印刷头到一个推进量，使印刷头和承印物之间有一定的压力，使印刷剂能够印刷到承印物上。调整印刷头的运动速度，用以控制印刷时间，当印刷头被推进到网板上时，使印刷头沿水平方向运动，从而使印刷剂通过网板上的花纹被印刷到承印物上。
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公开(公告)号：CN101414545B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710175968.8
申请日：2007-10-17
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/265 , G01B21/22 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子注入机的平行束角度测量法拉第装置，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：本发明采用一个法拉第收集框，一个电子抑制板，一个收集框底板，七个固定角度法拉第杯和一个移动法拉第杯组成，一个移动法拉第杯，所述的法拉第收集框收集入射离子束流，所述的抑制电子板抑制离子束轰击法拉第杯金属体产生的电子溢出，所述的角度收集底板用于真空连接密封法拉第收集框和法拉第杯，七个固定角度法拉第杯测得离子束电流大小，结合靶室区布置的移动法拉第来确定注入离子束的中心位置，当平行束是与晶平面垂直入射的束线时，此时移动法拉第的挡束中心位置与固定法拉第测束中心一致，移动法拉第电流达到峰值时的位置，固定的角度法拉第杯电流也同时达到峰值位置。当平行束中心线与晶平面法线有一个角度β入射，移动法拉第电流达到峰值位置与固定的角度法拉第杯电流达到峰值位值有一个偏差值Δx，而移动法拉第杯与固定法拉第杯体间的水平距离L是恒定值，由此偏差可以计算出角度本发明原理简单，装卸便捷，测得的角度准确性高。
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公开(公告)号：CN101764078A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810238894.2
申请日：2008-12-04
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明专利涉及一种静电吸盘的制造方法，包括：制成一层薄的氧化铝陶瓷电介质，利用喷镀的方法在电介质表面上形成一层均匀的电极薄膜，电极薄膜有很强的粘力和良好的导电性能，并在电极上电镀一层导电合抗氧化的金属层。然后利用粘胶将另一层电介质和粘有电极的电介质粘接在一起。
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公开(公告)号：CN101728202A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810224639.2
申请日：2008-10-22
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/248 , H01J37/317 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种应用于360kv高压倍加器的均压结构，包括9级均压环，9对球状固定栓，上金属圆盘和下金属圆盘。高压倍加器的电路板两端分别固定在上下金属圆盘上，在上下金属圆盘之间均匀分布9级均压环，各均压环分别用绝缘绑带固定在倍加器电路板上。在每级均压环正对倍压整流板的正中打螺孔，通过双球状固定栓固定引出引线接到倍压整流板上。本发明针对新型无油设计的高压倍加器，设计简洁，装配简单。有效实现均匀分配高压倍加器两端360kv的高压，有效抑制了倍加器由于不均匀高压分布引起的空间放电现象。
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