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公开(公告)号：CN106365668A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610687475.1
申请日：2016-08-19
申请人： 哈尔滨工业大学(威海)
IPC分类号： C04B37/02
CPC分类号： C04B37/021
摘要： 本发明涉及一种Al2O3陶瓷和钛环的扩散连接方法，将待连接Al2O3陶瓷和钛环放入丙酮中超声清洗5min~10min；将钛环的待连接面朝下置于Al2O3陶瓷薄片的待连接面上，装配成Al2O3陶瓷/钛环的装配件；将得到的装配件放置在真空加热炉中，施加压力为1MPa~15MPa，当真空度达到(1.3~2.0)×10-3Pa时，通电加热，控制升温速度为5℃/min~15℃/min，升温至900~1000℃，然后保温60min~120min，再控制冷却速度为3℃/min~10℃/min，冷却至300℃，然后随炉冷却，即完成Al2O3陶瓷与钛环的扩散连接。本发明所得Al2O3陶瓷/钛环接头组织致密，具有较高强度，可应用于人造视网膜结构。
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公开(公告)号：CN103978305B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410252486.8
申请日：2014-06-09
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种金属表面冷金属过渡毛化后与异种金属连接的方法，它属于异种金属的连接技术领域。它要解决现有异种金属连接时存在接头强度低，工艺复杂的问题。方法：一、制备毛化表面：采用冷金属过渡方法；二、表面清理：打磨及清洗；三、装配：平行接头或搭接接头；四、焊接：真空扩散焊。本发明通过在金属A表面制备毛刺，实现了异种金属待焊面接触形式的改变。通过毛刺刺入塑形好的低熔点被焊金属B内部，去除金属B表面氧化膜并增大待焊接触面积，促进异种金属之间的互相扩散和化学反应，形成更为可靠的冶金结合。通过扩散焊接与机械连接复合作用，形成异种金属间的高强度接头。本发明工艺方法简单，成本低，适用于多体系的异种金属连接。
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公开(公告)号：CN103194795B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310147768.7
申请日：2013-04-25
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种低成本制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。本发明是要解决CVD方法制备大尺寸单晶石墨烯材料中常用单晶基底表面处理工序复杂，难以重复利用以及价格昂贵的技术问题。本发明的方法为：一、在单晶云母基底上蒸镀单晶金属薄膜；二、将步骤一获得的单晶金属薄膜放入化学气相沉积设备中，抽真空通入H2、Ar，升温进行热处理；三、继续通入CH4气体，进行沉积；四、关闭加热电源，停止通入CH4气体，以Ar和H2为保护气体，快速冷却到室温，在单晶金属基底表面均匀生长出高质量单晶石墨烯，即完成。本发明制备的单晶石墨烯尺寸大，质量高，缺陷少。本发明应用于单晶石墨烯材料制造领域。
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公开(公告)号：CN103831526B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410083014.4
申请日：2014-03-07
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 利用一种去膜辅助装置进行扩散连接的方法，本发明涉及扩散连接的方法。本发明要解决现有扩散连接时，材料表面的钝化膜降低扩散连接强度，而提高扩散连接的温度或延长连接时间，导致母材晶粒粗大、强度降低以及界面处金属间化合物产生的问题。装置包括夹紧环、纵向齿条、上齿轮、斜向齿条、下齿轮、横向齿条、刀具、刀具齿轮和刀具齿条；方法：一、装夹待连接材料；二、抽真空；三、去膜；四、扩散连接。本发明方法降低了对连接面的要求，并明显降低扩散连接所需要的温度，缩短连接时间，提高扩散连接效率。本发明方法会降低焊接过程中对母材的影响，有效提高焊缝强度。本发明用于扩散连接。
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公开(公告)号：CN103789744B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201410074549.5
申请日：2014-03-03
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/513 , B22F1/00 , H01H1/023
摘要： 一种原位生长碳纳米管增强银基电接触材料的制备方法，本发明涉及电接触材料的制备方法。本发明要解决常用的CNTs/Ag复合材料制备方法存在着碳纳米管分散不均匀、结构缺陷多的技术问题。方法：一、制备Ni(NO3)2/Ag复合粉末；二、采用离子体方法制备电接触材料。本发明采用等离子体增强化学气相沉积方法低温原位生长碳纳米管，保证了银粉末中碳纳米管的结构完美和均匀分散性，避免了CNTs/Ag基电接触复合粉末中碳纳米管的团聚，真正意义上实现了碳纳米管对CNTs/Ag基电接触复合粉末性能的改善。本发明用于制备原位生长碳纳米管增强银基电接触材料。
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公开(公告)号：CN104096939A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410353044.2
申请日：2014-07-23
申请人： 哈尔滨工业大学
CPC分类号： B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K1/206 , B23K2103/16 , C23C16/272 , C23C16/44
摘要： 一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有陶瓷基复合材料表面钎料难润湿性而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：去除陶瓷基复合材料表面杂质，然后将陶瓷基复合材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节温度及压强，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，得到表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料，将钛基钎料置于表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料和金属材料的待焊接面之间，并放置于真空钎焊炉中，抽真空并在高温下保温，冷却，即完成新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊过程。本发明用于一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法。
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公开(公告)号：CN103831526A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410083014.4
申请日：2014-03-07
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种去膜辅助装置及利用该去膜辅助装置进行扩散连接的方法，本发明涉及用于扩散连接的装置及方法。本发明要解决现有扩散连接时，材料表面的钝化膜降低扩散连接强度，而提高扩散连接的温度或延长连接时间，导致母材晶粒粗大、强度降低以及界面处金属间化合物产生的问题。装置包括夹紧环、纵向齿条、上齿轮、斜向齿条、下齿轮、横向齿条、刀具、刀具齿轮和刀具齿条；方法：一、装夹待连接材料；二、抽真空；三、去膜；四、扩散连接。本发明方法降低了对连接面的要求，并明显降低扩散连接所需要的温度，缩短连接时间，提高扩散连接效率。本发明方法会降低焊接过程中对母材的影响，有效提高焊缝强度。本发明用于扩散连接。
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公开(公告)号：CN103276322A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310239601.3
申请日：2013-06-17
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C22C47/00 , C22C49/06 , C22C49/14 , B23K35/28 , C22C101/10
摘要： 一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料及其制备方法，本发明涉及钎料及其制备方法。本发明要解决传统铝基钎料在钎焊连接铝基复合材料构件时存在的热应力大及接头力学性能差的问题。一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料由六水硝酸镍和铝基复合粉末制备的；本发明方法：一、制备Ni(NO3)2/铝基复合粉末；二、原位沉积碳纳米管。本发明通过碳纳米管增强的铝基复合钎料，可以有效地改善其力学和热学性能。本发明用于制备原位生长碳纳米管增强铝基钎料。
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公开(公告)号：CN103214260A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310139849.2
申请日：2013-04-22
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C04B37/02
摘要： 一种采用Nb/Ni复合中间层扩散连接DD3高温合金和Ti3AlC2陶瓷的方法，它涉及连接DD3高温合金和Ti3AlC2陶瓷的方法。本发明要解决DD3高温合金和Ti3AlC2陶瓷难于连接的问题。方法：一、切割；二、打磨、抛光、清洗；三、装配成DD3高温合金/Nb箔/Ni箔/Ti3AlC2陶瓷的装配件；四、完成采用Nb/Ni复合中间层扩散连接DD3高温合金和Ti3AlC2陶瓷的方法。本发明成功实现了DD3高温合金和Ti3AlC2陶瓷的连接，并获得了可靠的接头。接头的室温剪切强度最高可达86.3MPa。本发明用于采用Nb/Ni复合中间层扩散连接DD3高温合金和Ti3AlC2陶瓷。
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公开(公告)号：CN102699572A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210207704.7
申请日：2012-06-21
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 纳米颗粒增强的Ag基复合钎料及其制备方法，它涉及一种复合钎料及其制备方法。本发明为了解决常规Ag基钎料钎焊陶瓷和金属获得的接头使用温度低、高温环境下接头性能差的技术问题。本发明钎料由Ag粉、Cu粉、Ti粉以及纳米Si3N4颗粒制成。本方法如下：一、备料；二、球磨；即得纳米颗粒增强的Ag基复合钎料。采用本发明中复合钎料钎焊Si3N4陶瓷和TiAl合金获得的接头在400℃高温环境中抗剪强度可达156MPa，比直接采用商用AgCuTi钎料钎焊获得的接头强度提高2倍，接头的室温抗剪强度可以达到115MPa。
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