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公开(公告)号：CN101090070A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710111998.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，以1秒钟～5秒钟使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
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公开(公告)号：CN101090068A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710111995.9
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是通过一边将气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，将高频功率供给上述等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将高频功率供给上述真空容器内的用于放置试样的电极，在上述放置试样的电极上放置的试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，供给上述等离子体发生装置或者上述试样电极的上述高频功率的行进波功率为Pf，反射波功率为Pr时，以1msec～100msec的间隔采集功率差Pf－Pr的值，在功率差Pf－Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。
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公开(公告)号：CN101053066A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580037487.X
申请日：2005-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/68735 , H01J37/32642 , H01L21/2236 , H01L21/67069
Abstract: 一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。
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公开(公告)号：CN1897214A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101558.4
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供具有高发光效率的PDP及其制造方法。在相互对置的前面板和背面板之间填充放电气体而成的等离子体显示器面板中，前面板(100)包括：玻璃基板(1)、位于玻璃基板(1)上的电极(2)(透明电极2a及总线电极2b)、覆盖电极(2)及玻璃基板(1)并含有氟原子的第一电介质层(4)、覆盖第一电介质层(4)并以比第一电介质层(4)少的量含有氟原子的第二电介质层(5)、覆盖第二电介质层(5)的保护层(6)。
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公开(公告)号：CN1741251A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510092358.2
申请日：2005-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/223
Abstract: 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1648640A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005692.X
申请日：2005-01-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/3463 , G01J3/443 , G01N21/71 , G01N2021/95646 , H05K1/0269 , H05K2203/095 , H05K2203/162
Abstract: 在本发明的成分分析方法和成分分析装置中，通过向靠近被分析对象物体配置的大气压等离子体源2供给氦气，同时由电源4提供高频电力而产生等离子体5，使被等离子体5照射的被分析对象物体发光。该光通过光学纤维6被导入滤光器7、光电二极管8而进行光电变换。进行了光电变换的信号再被送入控制装置9，由控制装置9判定被分析对象物体中是否含有特定元素。
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公开(公告)号：CN1438831A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03104127.2
申请日：2003-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32376 , H01J37/32935 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
Abstract: 提供一种等离子体处理方法及装置，本发明的等离子体处理方法，其特征在于是在一边向配置在被处理物旁边的微等离子体源空间内供给气体，一边向上述微等离子体空间旁边的部件供给电力，在上述微等离子体源的空间内，发生微等离子体，从与上述空间连接的上述微等离子体源开口部分释放出的活性粒子作用于上述被处理物，在被处理物上形成细微线状部分的等离子体处理方法中，使气体与上述被处理物平行，沿着上述细微线状部分的长度方向，在开口部分附近进行流动，并在上述被处理物上形成细微线状部分。
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公开(公告)号：CN1437223A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN03104241.4
申请日：2003-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32082 , C23F4/00 , Y02E50/30
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理方法及装置。一边向真空室内供给气体一边排气、使其控制在规定的压力，在与载置在所述真空室内的基片电极上的基片对向、设置在所述真空室内的天线上供给频率为30MHz～3GHz的高频电功率的同时，通过向所述天线供给所述频率为另外的频率100kHz～20MHz的高频电功率，使所述真空室内产生等离子体，处理形成在所述基片上的高熔点金属膜。
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公开(公告)号：CN1121303A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95104699.3
申请日：1995-05-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种螺旋波等离子处理方法和装置，它在真空容器内设置装载基板的电极，在与真空容器的基板对置的壁面上配置多个放电管，各放电管的周围设有螺旋天线及产生静磁场用线圈。另外还设有使直流电流流入产生磁场用各线圈的天线用高频电源，使得多个产生静磁场用线圈中至少一个线圈产生的静磁场的方向与其它线圈产生的静磁场方向相反，上述方法和装置能在较高真空下产生高密度等离子体，具有成品率高、小型化，适合于大型基板处理等优点。
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公开(公告)号：CN1110832A
公开(公告)日：1995-10-25
申请号：CN95100622.3
申请日：1995-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/30 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/509 , H01J37/32165 , H01J37/32568
Abstract: 一种真空等离子处理装置。该装置在与基座13相对的真空处理容器11的绝缘体壁面上按栅格状排列凸球形的分电极15a、15b、15c，且分电极15a、15b、15c接有产生等离子区用的高频电源16a、16b、16c，施加分别相差120°相位的高频电压，从而可在被处理基板的上方产生均匀的高密度等离子区。
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