公开(公告)号：CN114695562A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210365954.7

申请日：2016-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。

公开(公告)号：CN114068723A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111357336.X

申请日：2017-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  肥塚纯一 ,  羽持贵士

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/15 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/34 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括玻璃衬底和沟道蚀刻型晶体管的半导体装置。沟道蚀刻型晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、第二绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第三绝缘膜、像素电极以及包含铜的导电膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含第一元素，第一导电膜及第三导电膜包含相同的第二元素，氧化物半导体膜包含铟、镓和锌。

公开(公告)号：CN107210230B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201680008956.3

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。

公开(公告)号：CN113675275A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110965455.7

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

公开(公告)号：CN107591316B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201710788148.X

申请日：2013-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。

公开(公告)号：CN112635573A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011577605.9

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  井口贵弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。

公开(公告)号：CN107408579B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201680012805.5

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn(M为Al、Ga、Y或Sn)。在第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二栅电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN111868899A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980019782.4

申请日：2019-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  中泽安孝

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及导电层。第一绝缘层与半导体层的顶面的一部分接触，导电层位于第一绝缘层上，第二绝缘层位于半导体层上。半导体层包含金属氧化物，包括与导电层重叠的第一区域及不与导电层重叠的第二区域。此外，第二区域与第二绝缘层接触，第二绝缘层包含氧及第一元素，第一元素是磷、硼、镁、铝和硅中的任一个以上。

公开(公告)号：CN110911419A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910986729.3

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  黒崎大辅 ,  中田昌孝 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。

公开(公告)号：CN106256017B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201580020352.6

申请日：2015-04-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  黑崎大辅

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体装置中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极；以及与氧化物半导体膜电连接的漏电极，在晶体管上设置有第二绝缘膜，在第二绝缘膜上设置有保护膜，第二绝缘膜包含氧，且保护膜包含用于氧化物半导体膜的金属元素中的至少一个。