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公开(公告)号：CN1267092A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN99102936.4
申请日：1999-03-10
申请人： 光磊科技股份有限公司
发明人： 邱清彰
IPC分类号： H01L31/00
摘要： 一种光电晶体,包括一基板,基板上设有:一集电极区,电连接一集电极接点于基板底面;一基极区,覆盖在集电极区上,其上端电连接一基极接点于基板表面;一发射极区,设于基极区上方,其上端电连接一发射极接点于基板表面;发射极接点自中心延伸一打线面积,打线面积正下方的基板全部为集电极区,打线面积与集电极区之间设有一绝缘层。本光电晶体,在打线时,打线应力不会损伤到E－B及C－B接合面,可提高产品合格率,质量稳定。
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公开(公告)号：CN111110885A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811296261.7
申请日：2018-11-01
申请人： 光磊科技股份有限公司
摘要： 本发明旨在揭露一种紫外线LED封装结构，其利用一封装体将一紫外线LED、一驱动装置、一控制装置以及一指示灯整合于一基板上进行封装。藉由控制装置电性连接驱动装置以及指示灯进行操控，得以有效利用本发明进行光照杀菌作业，并且维持/提升杀菌效果，更可透过指示灯亮度与否的变化，判断紫外线LED是否异常。
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公开(公告)号：CN110504344A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201811396713.9
申请日：2018-11-22
申请人： 光磊科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光晶粒、封装结构、及其相关制造方法。该发光晶粒，包括：一基板、一第一型层、一发光层、一第二型层、一第一型电极与一第二型电极。该第一型层包括一第一部分与一第二部分。该第二部分的该第一型层位于该基板的上方，且该第一部分的该第一型层位于该第二部分的该第一型层上方。发光层位于第一部分的该第一型层上方。第二型层位于该发光层上方。第一型电极，接触于第二部分的该第一型层的侧边，且该第一型电极接触于该基板的侧边。第二型电极，接触于该第二型层。
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公开(公告)号：CN102683530B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110393782.6
申请日：2011-12-01
申请人： 光磊科技股份有限公司
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0012 , H01L33/0062 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种具有宽视角的发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：一基板；多个柱状结构，形成于该基板上，每一该柱状结构中均包括一第一型半导体层、一作用层、与一第二型半导体层，其中该第一型半导体层是形成于该基板上，且该些柱状结构是利用该第一型半导体层达成电气的连接关系；一填充结构形成于该些柱状结构之间；一透明导电层，覆盖于该表面钝化层、电气隔离层与该些柱状结构中该第二型半导体层所形成的一表面上；一第一电极接触于该透明导电层；以及一第二电极接触于该第一型半导体层。
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公开(公告)号：CN100394624C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610092864.6
申请日：2006-06-16
申请人： 光磊科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提出一种发光二极管的结构及其制造方法，其中该结构包括：永久基板，该永久基板具有第一表面；金属层，其位于该永久基板的该第一表面上，且该金属层可区分为第一区域与第二区域，且该第一区域视为第二电极；以及，晶粒，其位于该金属层的该第二区域上；其中，该晶粒包括至少包含堆叠的第一电极和发光区域，且该晶粒利用晶粒接合技术接合于该金属层的该第二区域上，使得该金属层与该发光区域形成电性连接。因此，本发明能克服基板吸光的问题，大幅提升发光效率，当芯片与基板进行熔合时的低温加工工艺，不会造成芯片的劣化，产品的合格率高且利于散热，更适于高功率发光二极管的应用。
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公开(公告)号：CN1874021A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610092864.6
申请日：2006-06-16
申请人： 光磊科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提出一种发光二极管的结构及其制造方法，其中该结构包括：永久基板，该永久基板具有第一表面；金属层，其位于该永久基板的该第一表面上，且该金属层可区分为第一区域与第二区域，且该第一区域视为第一电极；以及，晶粒，其位于该金属层的该第二区域上；其中，该晶粒包括至少包含堆叠的第二电极和发光区域，且该晶粒利用晶粒接合技术接合于该金属层的该第二区域上，使得该金属层与该发光区域形成电性连接。因此，本发明能克服基板吸光的问题，大幅提升发光效率，当芯片与基板进行熔合时的低温加工工艺，不会造成芯片的劣化，产品的合格率高且利于散热，更适于高功率发光二极管的应用。
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公开(公告)号：CN1204631C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01110422.8
申请日：2001-04-04
申请人： 光磊科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 一种光电元件及其形成方法。为提供一种提高光电元件发光效率及输出功率的光电元件及其形成方法，提出本发明，其光电元件包括数个凸出的晶片承载座及数个光电元件晶片；光电元件晶片设有第一电极及以导线与导线架电气连接的第二电极；各凸出的晶片承载座形成数个凸出部；于各凸出部顶面形成固晶面；第一电极电气连接至凸出的晶片承载座；且第一电极与固晶面相接的表面大于固晶面；形成方法包括成型复数个顶面形成固晶面凸出部的晶片承载座、以第一电极将与晶片承载座各凸出部顶面的固晶面连线及以第二电极与另一极性的电气连接装置电气连接。
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公开(公告)号：CN1558451A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410003284.6
申请日：2004-02-03
申请人： 光磊科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/60 , H01L29/866 , H01L25/075 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/32 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明是有关于一种发光二极管元件，尤指一种可防止静电破坏的发光二极管元件，其主要是于一表面绝缘基板上设有至少一第一供电电路及至少一第二供电电路，第一供电电路可电性连接于一发光二极管的LED第一电极及一抗静电保护元件的ESD第二电极，而第二供电电路则可电性连接于发光二极管的LED第二电极及一抗静电保护元件的ESD第一电极，致使发光二极管及抗静电保护元件形成一反接的并联电路，由第一供电电路及第二供电电路的作用面积大于ESD第一电极及ESD第二电极的特性，因此，不但可简化制作程序及提高生产良率，且又可增加发光二极管元件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN1529364A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310101051.5
申请日：2003-10-13
申请人： 光磊科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明是有关于一种发光元件，尤指一种可提高发光作用区域的发光元件，其主要是在一LED基板表面依序设有一第一材料层及第二材料层，而第一材料层与第二材料层之间自然形成一PN界面，另外，设有一可贯穿第二材料层及部分第一材料层的第一延伸凹槽，并在第一延伸凹槽内设有一第一延伸电极，第一延伸电极可与设于第二材料层部分上表面的第一电极电性连接，如此第一电极即可与一同样设于第二材料层其他部份上表面的第二电极具有近似相同的水平位置，不仅可方便后续的制程进行，又可因为不需如常用发光元件必须移除部分第二材料层体积以供第一电极的形成，因此可相对增加PN界面的发光作用区域，借此以有效提高发光亮度及使用寿命。
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公开(公告)号：CN1157801C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN00126376.5
申请日：2000-09-12
申请人： 光磊科技股份有限公司 , 李清庭
发明人： 李清庭
摘要： 一种基于氮化镓的III-V族化合物半导体装置的制造方法，包括：在基板上方形成半导体叠层构造，半导体叠层构造包括n型半导体层、主动层以及p型半导体层；蚀刻半导体叠层构造，以露出n型半导体层的一部分；在n型半导体层上形成第一电极，其中第一层电极包括欧姆接触层、阻障层与焊垫层；进行退火制作工艺，用以降低第一电极与n型半导体层之间的接触电阻，同时活化p型半导体层；与在p型半导体层上形成一第二电极。
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