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    半导体加工工艺传感器及表征半导体加工工艺的方法
    72.
    发明授权
    半导体加工工艺传感器及表征半导体加工工艺的方法 有权

    公开(公告)号：CN104135236B

    公开(公告)日：2017-08-08

    申请号：CN201410379803.2

    申请日：2009-09-22

    申请人： 天工方案公司

    发明人： J.H.李

    IPC分类号： H03F1/30

    CPC分类号： G01R31/2601 ,  H03F1/30 ,  H03F2200/447

    摘要： 半导体加工工艺传感器以及表征用来形成半导体加工工艺传感器的半导体加工工艺的方法。所述半导体加工工艺传感器包括：恒定参考电压源，配置为产生恒定参考电压信号；加工工艺传感器元件，其耦接到所述恒定参考电压源，并被配置为接收所述恒定参考电压信号，感测表示用来形成所述半导体加工工艺传感器的半导体加工工艺的加工工艺参数，并基于该感测的加工工艺参数产生表征用来将半导体加工工艺传感器形成为额定、高于额定或低于额定中的一种的半导体加工工艺的加工工艺测量信号。

    用于电力变换器中的开关电路及发电系统
    74.
    发明授权
    用于电力变换器中的开关电路及发电系统 有权

    公开(公告)号：CN102882358B

    公开(公告)日：2016-12-21

    申请号：CN201210243397.8

    申请日：2012-07-13

    申请人： 通用电气公司

    发明人： R.G.瓦戈纳

    IPC分类号： H02M1/08 ,  H02P9/00

    CPC分类号： H02M1/08 ,  H03F1/302 ,  H03F2200/447 ,  H03K5/08 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/14

    摘要： 本发明提供一种用于电力变换器中的开关电路。所述开关电路包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)，其包括栅极引线、集电极引线和发射极引线，栅极驱动电路以电气方式连接到所述栅极引线，且经配置以开启和关闭所述IGBT，且抗温度漂移箝位电路在所述IGBT的所述栅极引线和所述集电极引线之间以电气方式连接，所述抗温度漂移箝位电路经配置以保持所述集电极引线处的电压低于阈电压，且有助于减小温度对所述开关电路的运行的影响。

    多级放大器
    75.
    发明公开
    多级放大器 有权 转让

    公开(公告)号：CN106208979A

    公开(公告)日：2016-12-07

    申请号：CN201610366160.7

    申请日：2016-05-27

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 平间哲也

    IPC分类号： H03F1/30

    CPC分类号： H03F3/211 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/30 ,  H03F1/301 ,  H03F1/302 ,  H03F3/193 ,  H03F3/45183 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/45479 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/468 ,  H03F2200/555

    摘要： 提供一种低消耗功率且具有良好的特性的多级放大器。多级放大器(10)具有：初级放大器置电路(31)，其将电流偏置供给至初级放大器(11)；以及偏置电路(32)，其将电流偏置供给至最终级放大器(13)。设置调整电路，该调整电路对流过中间节点(150)的电流的量进行调整，以对中间节点(150)的电位变动进行抑制。在实施方式1中，第2级放大器(12)起该调整电路的作用。第2级放大器(12)能够优选地应用自偏置型CMOS逆变器。偏置电路(31)以偏置的大小对应于电路温度的上升而增大的方式将电流偏置供给至初级放大晶体管(Tr1、Tr2、Tr3)的栅极。(11)；第2级放大器(12)；最终级放大器(13)；偏

    放大电路
    78.
    发明公开
    放大电路 失效

    公开(公告)号：CN104467711A

    公开(公告)日：2015-03-25

    申请号：CN201410474523.X

    申请日：2014-09-17

    申请人： 索尼公司

    发明人： 塩原秀明

    IPC分类号： H03F3/30

    CPC分类号： H03F3/211 ,  H03F1/307 ,  H03F1/34 ,  H03F3/181 ,  H03F3/3077 ,  H03F3/3079 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/03 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/96 ,  H03F2203/21142

    摘要： 一种放大电路，包括：第一电源；集电极连接到第一电源的第一双极型晶体管；一端连接到第一双极型晶体管的发射极的第一电阻；集电极连接到第一电阻的另一端的第二双极型晶体管；第二电源；集电极连接到第二电源的第三双极型晶体管；一端连接到第三双极型晶体管的发射极的第二电阻；以及集电极连接到第二电阻的另一端的第四双极型晶体管。第二双极型晶体管的发射极直接连接到第四双极型晶体管的发射极，由此成为输出端。

    数字功放电路
    79.
    发明公开
    数字功放电路 有权

    公开(公告)号：CN104270105A

    公开(公告)日：2015-01-07

    申请号：CN201410470752.4

    申请日：2014-09-16

    申请人： 广州杰士莱电子有限公司

    发明人： 李杨春

    IPC分类号： H03F3/20 ,  H03F1/30 ,  H03F1/52

    CPC分类号： H03F1/52 ,  H03F1/303 ,  H03F2200/447

    摘要： 一种数字功放电路，包括DSP、LCD显示屏、AB类功放电路、D类功放电路、高音喇叭、低音喇叭、主电源和副电源，外部信号源输入到DSP，经过DSP进行处理分析后，高音部分通过AB类功放电路直接驱动高音喇叭，低音部分通过D类功放电路直接驱动低音喇叭，所述主电源分别给AB类功放电路和D类功放电路供电，副电源给DSP供电；所述DSP与LCD显示屏连接。本发明对AB类功放电路和D类功放电路均有多项保护电路，一方面能够防止烧机的情况出现，另一方面使功放运行稳定性更好。

    放大器偏压装置及方法
    80.
    发明授权
    放大器偏压装置及方法 失效

    公开(公告)号：CN102549917B

    公开(公告)日：2015-01-07

    申请号：CN201080046184.5

    申请日：2010-10-15

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 维贾雅库马尔·哈纳斯凯伦

    IPC分类号： H03F1/30

    CPC分类号： H03F1/308 ,  H03F3/3027 ,  H03F2200/447

    摘要： 本发明提供用于产生AB类放大器的偏压电压的技术，所述AB类放大器具有第一有源晶体管及第二有源晶体管。在示范性实施例中，二极管耦合式第一晶体管支持第一电流，且所述第一晶体管的栅极电压耦合到所述第一有源晶体管的栅极电压。将所述第一电流分成第二电流及由第二晶体管支持的第一辅助电流，用所述AB类放大器的所要共模输出电压对所述第二晶体管加偏压。所述第一辅助电流进一步与将由第三晶体管支持的第三电流组合，其中所述第三晶体管经配置以复制所述第二有源晶体管的特性。此外，提供用于将所述第三晶体管的漏极电压设定成接近于所述共模输出电压的技术。可使用本文中所描述的技术为AB类放大器中的NMOS有源晶体管及/或PMOS有源晶体管提供偏压电压。