-
公开(公告)号：CN117222292A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311239459.2
申请日：2023-09-22
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852
摘要： 本发明公开了一种共价有机框架掺杂的硫化铋热电材料及其制备方法。所述方法采用溶剂热法合成n型Bi2S3纳米材料，然后与BND‑TFP COFs在乙二醇中混合均匀后，采用放电等离子体烧结技术，制得高性能的BND‑TFP COFs掺杂的Bi2S3热电材料。本发明利用掺杂BND‑TFP COFs可以提高电子浓度，增强迁移率，提高电导率，提高其功率因子，并且采用放电等离子体烧结技术，在高温下将Bi2S3与BND‑TFP COFs结合，降低晶格热导率，从而实现zT的提高，功率因子在789 K时达到了0.47 mW/m/K2，热电优值zT最高达到了0.75，明显提高了Bi2S3纳米材料的热电性能。
-
公开(公告)号：CN116761491B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311046008.7
申请日：2023-08-18
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明属于热电转换技术领域，具体公开了一种Kirigami结构的柔性热电器件及其制备方法。将柔性PCB板设计成Kirigami结构，使得柔性PCB板具有柔性和可拉伸性，并在每个像素单元中间隔焊接P型和N型半导体热电颗粒，形成独立的像素单元。每个像素单元中P型和N型半导体热电颗粒交替布置，通过上、下电极形成电串联、热并联结构。本发明采用柔性PCB板、Kirigami结构和热电颗粒的有效结合，实现柔性、可拉伸的热电器件，并通过热电器件的帕尔贴效应，可以使热电器件制冷或制热，以此达到对人体的冷热刺激，进一步增加人们在VR应用中的体验。
-
公开(公告)号：CN117168657A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210562537.1
申请日：2022-05-23
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种高温合金基底上多层异质薄膜结构热流计及其制备方法，包括合金基底，过渡层合金薄膜、热生长氧化薄膜以及离子束溅射薄膜依次设置在合金基底上；热阻层薄膜和热导层薄膜二者均设置在离子束溅射薄膜上；正极热电偶与负极热电偶二者均设置在热阻层薄膜和热导层薄膜上，正极热电偶设置在负极热电偶的两侧，正极热电偶与负极热电偶二者分别通过热节点和冷节点连接，且热节点位于热阻层薄膜的上方，冷节点位于热导层薄膜的上方；一个正极热电偶和一个负极热电偶串联形成一对热电偶，多对热电偶首尾搭接形成薄膜热电堆。本发明通过利用多层异质薄膜结构热流计，有助于进行瞬态大热流的测量，从而有助于提高热流计的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN116283295B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310251194.1
申请日：2023-03-15
申请人： 佛山(华南)新材料研究院
IPC分类号： C04B35/547 , H10N10/852 , H10N10/855 , H10N10/01 , C04B35/622 , C04B35/645
摘要： 本发明公开了一种碲化铋基复合热电材料及其制备方法，所述碲化铋基复合热电材料包括在未掺杂的Bi0.5Sb1.5Te3材料内掺入PbTiO3材料，且为Pb取代Sb位点并生成TiO2粒子的Bi0.5Sb1.5Te3基复合热电材料。本申请TiO2粒子和PbTiO3@TiO2微结构的存在对热导率的降低效果显著；同时原位反应使得Pb元素取代了Sb位点，增大了载流子浓度，显著提升了复合热电材料的电性能。且碲化铋基复合热电材料（x mol%PbTiO3+Bi0.5Sb1.5Te3）对复合比例x进行优选控制，使x≤1.5，进一步确保热电性能。
-
公开(公告)号：CN111527613B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880081665.6
申请日：2018-12-26
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H10N10/851 , B22F1/054 , H10N10/857 , H10N10/01 , B82Y30/00 , C01B33/02
摘要： 提供一种硅体热电转换材料，该材料通过降低硅的热传导率来使热电性能与现有技术相比得到提高。在该硅体热电转换材料为硅单体中，在室温下仅含硅时ZT超过0.2。该硅体热电转换材料具有：多个硅粒，其尺寸在1‑300nm；第一孔，其存在于多个所述硅粒中及所述硅粒表面，且平均尺寸1‑30nm以下；以及第二孔，其存在于多个所述硅粒之间，且平均尺寸为100‑300nm，所述硅
-
公开(公告)号：CN117156941A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311433904.9
申请日：2023-11-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有六方密排微孔实心衬底结构流量芯片的制作方法。本发明包括提供N型双抛硅片；在N型双抛硅片的表面制备一层有序六方密排PS球阵列层；采用反应离子刻蚀对N型双抛硅片表面进行蚀刻，形成衬底空腔，同样，采用反应离子刻蚀对有序六方密排PS球阵列层进行蚀刻，使其PS球的形状从球形变成椭球体，从而得到PS椭球体阵列层；在衬底空腔中填充PS树脂球；在PS椭球体阵列层上覆盖一层六方密排SIO层；在六方密排SIO层上覆盖一层氮化硅支撑层；在氮化硅支撑层表面分别制作MEMS热式流量传感器芯片的上游热电堆测温元件、下游热电堆测温元件以及中心热源。该衬底使MEMS热式流量传感器具有优良的稳定性和高可靠性。
-
公开(公告)号：CN117156939A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311396885.7
申请日：2023-10-26
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 发明公开了一种含有阻焊功能的陶瓷集成电路及其制备方法，属于激光加工技术领域，制备方法包括步骤：通过激光加工，将陶瓷集成电路基片的金属层中的金层去除，并将下层的钯层和镍层氧化，最终形成多条氧化层沟壑，对焊料起到阻流的作用；再使用激光加工将氧化层沟壑延伸方向两端的金属层全部去除，在陶瓷集成电路基片的基板上形成溢流槽，起到阻止焊料溢流扩散的作用。本发明提供的制备方法成本较低，获得的阻焊区阻焊效果良好。
-
公开(公告)号：CN111433924B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201880078694.7
申请日：2018-12-04
申请人： LG伊诺特有限公司
摘要： 根据本发明的一个实施例的热转换设备包括：管道，冷却流体通过该管道；第一热电模块，其设置在管道的第一表面上；第二热电模块，其设置在管道的与第一表面平行设置的第二表面上；以及气体引导构件，其设置于在管道的第一表面与第二表面之间设置的第三表面上并且与第三表面间隔开，其中，气体引导构件包括与第一热电模块接触的一端、与第二热电模块接触的另一端以及将一端连接到另一端的延伸部，并且气体引导构件可以具有其距第三表面的距离朝向一端和另一端之间的中央逐渐增加的形状。
-
公开(公告)号：CN117089918A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311023691.2
申请日：2023-08-14
申请人： 南方科技大学
摘要： 本发明涉及一种硒化锡单晶薄膜的制备方法和热电器件。本发明提供了一种硒化锡单晶薄膜的制备方法，该方法包括将锡、硒和钠混合并封入坩埚中，将坩埚置于布里奇曼炉中的反应位置，在第一加热条件下加热，得到熔融物，其中，布里奇曼炉内包括自上至下依次设置的上温区、中温区、梯度区和下温区，所述反应位置位于梯度区的上方9mm‑11mm范围内；在第二加热条件下，将坩埚向下转移至退火位置使所述熔融物降温后退火，得到硒化锡单晶；从所述硒化锡单晶的自然解离面撕拉下硒化锡单晶薄膜。由此，采用该方法得到的硒化锡单晶薄膜具有优异的热电性能，并且其功率因子PF在室温下达到24μW/cm·K2。
-
公开(公告)号：CN117069071A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311172254.7
申请日：2023-09-12
申请人： 西北有色金属研究院
IPC分类号： C01B19/00 , H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本发明公开了一种FeSe掺杂的GeTe基热电材料的制备方法，该方法包括：一、将锗粉和碲粉研磨；二、压制得到Ge‑Te坯体；三、将Ge‑Te坯体熔炼后淬火冷却和退火得到GeTe热电合金；四、将铁粉和硒粉研磨；五、压制得到Fe‑Se坯体；六、将Fe‑Se坯体熔炼后烧结得到FeSe热电合金；七、将GeTe热电合金和FeSe热电合金分别高能球磨处理；八、将高能球磨得到的粉末混合后放电等离子烧结得到FeSe掺杂的GeTe基热电材料。本发明采用相变工程调控GeTe基热电材料的全温区的载流子浓度，优化其功率因子，通过不同相之间界面处的晶格错配降低体系的晶格热导率，使GeTe基热电材料的热电优值大幅提升。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
846 条记录 (耗时 0.023 秒)
