公开(公告)号：CN115602751A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211314394.9

申请日：2022-10-25

申请人： 江苏华兴激光科技有限公司(CN) ,  无锡华兴光电研究有限公司(CN)

发明人： 徐鹏飞 ,  王岩

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01R31/265 ,  G01R31/28

摘要： 本发明公开了一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置及其检测方法，涉及半导体技术领域，包括激光光源、连续光衰减片、分光镜、透镜、红外雪崩探测芯片、光功率计、电压电流源和计算机；利用激光进行退火可以选择性的对芯片进行局部退火，不影响电极与材料的欧姆接触，同时激光的波长及能量可以调节，可以对不同的吸收层材料进行有选择性的退火；主要针对探测芯片的吸收层材料进行选择性退火，同时选择的激光波长通过衰减至合适范围，可以对探测芯片的光响应性能进行检测，达到对退火效果的监测。

公开(公告)号：CN111366833B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202010182382.X

申请日：2020-03-16

申请人： 深圳第三代半导体研究院

发明人： 杨安丽 ,  张新河 ,  高博 ,  陈施施 ,  温正欣 ,  张志新 ,  张国旗

IPC分类号： G01R31/265 ,  G01N21/64

摘要： 本发明实施例涉及半导体材料分析及检测技术，公开了一种测量半导体中杂质活化能的方法，拓展了时间分辨荧光光谱的应用场合。包括以下步骤：半导体中的杂质参与荧光辐射复合发光。获取杂质发光峰的波长及半峰宽；确定带通滤波片，确定激光激发强度，测定不同温度下对应发光峰的荧光强度衰减曲线，记录t＝0时刻探测器所得的荧光最大强度；对不同温度下探测器所测得的荧光最大强度和温度的倒数绘制阿累尼乌斯曲线进行线性拟合得到斜率后，乘以玻尔兹曼常数取得杂质的活化能。该方法利用变温时间分辨荧光光谱不仅可以获得温度依赖的载流子寿命的信息，而且可以求得杂质引入能级的活化能，简单方便，易操作，实验成本大幅降低同时运算效率大大提高。

公开(公告)号：CN114295952A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111645339.3

申请日：2021-12-30

申请人： 河北工业大学

发明人： 辛振 ,  刘新宇

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/265 ,  G01R31/302

摘要： 本发明为一种用于功率器件动态电压测量的非接触式电压测量方法，包括电压信号采集电路以及信号处理电路，电压信号采集电路为至少四层金属板结构的PCB板构成，PCB板的中间一层与功率器件在运行过程中产生动态电压信号的PCB印制电路板相连，当功率器件在开关过程中产生动态电压信号时，中间一层会同时产生功率器件开关过程中的动态电压，中间二层用于采集中间一层在功率器件开关过程中产生的动态电压，并传输至信号处理电路；中间一层与中间二层会产生耦合电容C2；PCB印制电路板顶层和底层采用全面覆铜接地处理。该方法利用PCB层间电场耦合原理实现功率器件动态电压的非接触式电压测量，为电路的优化设计、故障检测与实时监测提供重要的信息支撑。

公开(公告)号：CN113030688B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110255495.2

申请日：2021-03-09

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 马英起 ,  陈钱 ,  韩建伟 ,  朱翔 ,  上官士鹏

IPC分类号： G01R31/265

摘要： 本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统，包括：激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机；激光产生和控制模块，用于产生脉冲激光，并对脉冲激光往光学模块传播进行控制；光路模块，用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光，对激光光斑进行调节控制和测量，对激光能量进行调节控制和测量，将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上；检测模块，用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案，可以提高激光模拟的准确性，同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。

公开(公告)号：CN113447790A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110791806.7

申请日：2021-07-13

申请人： 西安交通大学

发明人： 翟小社

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/265 ,  G01R31/27 ,  G01R19/00

摘要： 本发明公开了一种非接触型IGBT状态监测的装置，包括缓冲电路、PCB型磁场传感器、输入二极管、输入电阻、信号处理电路及光电转换电路；缓冲电路并联于IGBT的集电极与发射极之间，缓冲电路包括导体、缓冲电阻及缓冲电容；导体位于PCB型磁场传感器与聚磁结构之间，且缓冲电阻经导体与缓冲电容相连接，PCB型磁场传感器的一端经输入二极管与输入电阻的一端及信号处理电路的输入端相连接，PCB型磁场传感器的另一端及输入电阻的另一端均接地，且信号处理电路经光电转换电路与外部设备相连接，该装置能够监测IGBT的状态。

公开(公告)号：CN110838479B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911183955.4

申请日：2019-11-27

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 武城 ,  赵新伟 ,  段淑卿 ,  高金德

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  G01R31/265

摘要： 本发明提供了一种测试结构，包括蛇形金属线和两个相对交错设置的测试梳状结构，每个测试梳状结构分成至少两个子梳状结构，且每个所述测试梳状结构中的相邻两个所述子梳状结构之间具有间隔，且每个所述测试梳状结构中的至少一个所述间隔处的所述蛇形金属线的至少一个拐弯部位上引出有焊盘。即通过上述方法将所述测试结构分成了若干个小面积的测试结构，能够解决EBIRCH不能定位到超大面积结构nA级别漏电的短路点的问题；同时结合电阻比例法，以使得EBIRCH能轻易定位到超大面积结构nA级别漏电的短路点，从而找到失效的根本原因，对解决工艺问题以及促进研发进度能有很大的帮助。

公开(公告)号：CN110133471B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201910448737.2

申请日：2019-05-28

申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所

发明人： 栾崇彪 ,  赵娟 ,  李洪涛 ,  马勋 ,  肖金水 ,  黄宇鹏

IPC分类号： G01R31/265

摘要： 本发明公开了一种GaAs光导开关载流子浓度分布变化测试方法，属于半导体器件测试领域，本发明利用激光照射GaAs光导开关的不同位置，根据被照射位置折射率的变化，获得GaAs光导开关导通过程中内部载流子浓度分布变化曲线，本发明提供的GaAs光导开关导通过程中内部载流子准动态分布诊断方法，填补了光导开关内载流子浓度分布变化诊断的空白，可为新型GaAs光导开关设计提供依据。

公开(公告)号：CN110083081B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910178186.2

申请日：2019-03-11

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

发明人： 毕潇 ,  郑宏超 ,  李哲 ,  杜守刚 ,  于春青 ,  赵旭 ,  穆里隆 ,  彭惠新 ,  徐雷霈 ,  张栩燊 ,  董方磊 ,  武永俊

IPC分类号： G05B19/042 ,  G01R31/265 ,  G01R31/308

摘要： 本发明涉及一种自动化单粒子辐照测试控制系统及方法，包括实验仪器程控模块、注量率监测模块、错误数统计模块、计时检测模块。本发明通过预设辐照条件阈值，实现了芯片辐照测试自动的开启和关闭，有效的提高了集成电路单粒子辐照试验的自动化程度，减小了单粒子辐照试验机时的浪费和实验人员的工作量；同时生成的数据文件包含了全部的试验数据(粒子注量率、粒子总注量、测试电流、单粒子错误数、测试波形)，提高了单粒子试验准确度，便于后续人员对试验结果的分析。

公开(公告)号：CN108089109B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201711021668.4

申请日：2017-10-27

申请人： 宇泽(江西)半导体有限公司

发明人： 闫平平 ,  周锋

IPC分类号： G01R31/265 ,  G01R31/26

摘要： 本发明涉及半导体材料测试技术领域，具体涉及一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法，在待测试硅材料表面提供一个短波长的稳定光照,使之在硅材料中形成一个有利于阻滞在硅材料体内产生的非平衡少子向硅材料表面扩散的少数载流子分布。测试时使用一束测试光脉冲，在硅材料的体内激发非平衡少数载流子，当测试光脉冲结束后，记录硅材料附加电导率的衰减，以此反映硅材料体内非平衡少数载流子的衰减，经计算得出硅材料中的非平衡少数载流子的复合寿命值τ。该方法的优点：有利于阻止在硅材料体内产生的非平衡少子向硅材料表面的扩散，减少硅材料表面复合对测试结果的影响，待测的硅材料事先无需处理，测试速度快，并有满意的测试准确度。

公开(公告)号：CN110879344A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201911106502.1

申请日：2019-11-13

申请人： 上海华力集成电路制造有限公司

发明人： 徐晶 ,  肖尚刚 ,  周波

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/265 ,  G01R31/307

摘要： 本发明公开了一种用于半导体器件制造过程中的共享接触孔刻蚀缺陷检测方包括：在半导体器件中形成所述共享接触孔，共享接触孔下方是该半导体器件有源区，共享接触孔与该半导体器件多晶硅栅之间电性隔离；对共享接触孔进行电子束扫描缺陷检测的电压衬度模式检测判断是否存在刻蚀缺陷。本发明所提供技术方案解决目前现有监控方式面临着接触孔蚀刻工艺窗口监测的反馈时间长及灵敏度不够的问题。本发明采用短制程将多晶硅线换为绝缘介质(如氮化硅)线的方法，可跳过(不执行)多道离子注入且无需锗硅制程，无需设计额外测试图形或光罩，可实现在有源区和多晶硅栅共享接触孔上高灵敏度地对蚀刻工艺窗口进行监测。