公开(公告)号：CN111627997B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202010119402.9

申请日：2020-02-26

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 秋山千帆子

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/00 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管和半导体器件。场效应晶体管包括：半导体区，其包括在第一方向上并排布置的第一非有源区、有源区和第二非有源区；在有源区上的栅电极、源电极和漏电极；在第一非有源区上的栅极焊盘；栅极保护部，其在半导体区上并与半导体区接触，该栅极保护部与栅极焊盘分开并且位于半导体区的第一非有源区侧上的边缘与栅极焊盘之间；在第二非有源区上的漏极焊盘；漏极保护部，其在半导体区上并且与半导体区相接触，该漏极保护部与漏极焊盘分开并且位于半导体区的第二非有源区侧上的边缘与漏极焊盘之间；以及金属膜，该金属膜被电连接到栅极保护部。

公开(公告)号：CN111384664B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201911366331.6

申请日：2019-12-26

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 小松宪人

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/14 ,  H01S5/0687

Abstract: 本发明涉及一种调谐激光器装置的发射波长的方法，其包括以下步骤：获取目标波长；获取波长可调谐激光二极管的驱动条件；基于驱动条件驱动波长可调谐激光二极管；获取由第一光电探测器测量的第一电流的测量值、由第二光电探测器测量的第二电流的测量值和驱动条件的测量值；将第一电流的测量值确定为第一目标值；根据驱动条件的测量值和第一电流的目标值计算第二电流的第二目标值；并且通过改变驱动条件，使第一电流的测量值相对于第二电流的测量值的比值与第一电流的第一目标相对于第二电流的第二目标的比值相一致。

公开(公告)号：CN112753144B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201980063436.6

申请日：2019-12-17

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 宫田充宜

IPC: H01S5/0232 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/02325

Abstract: 一种光学半导体装置，其设置有：壳体，其具有侧壁；馈通件，其穿透所述壳体的侧壁并具有伸出部，所述伸出部从所述侧壁朝向所述壳体的外部伸出；连接端子，其电连接到安装在所述壳体中的部件，并设置在所述馈通件的所述伸出部上；第一温度感测部，其设置在所述壳体的侧壁的外壁上，以感测所述壳体的温度；以及柔性基板，其一个端部连接到所述连接端子，并且其从所述一个端部离开的一部分连接到所述第一温度感测部。所述第一温度感测部设置在所述外壁和所述柔性基板之间。

公开(公告)号：CN118248654A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311758116.7

申请日：2023-12-20

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边健一

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供能抑制绝缘层的剥离的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板；第一绝缘层，设于所述基板之上；第一金属层，设于所述第一绝缘层之上；第二金属层，设于所述第一金属层之上；以及第二绝缘层，覆盖所述第一金属层和所述第二金属层，所述第一金属层的上表面具有：第一区域，供所述第二金属层接触；以及第二区域，远离所述第二金属层，所述第二绝缘层与所述第一金属层的侧面和所述第二区域以及所述第二金属层的上表面和侧面直接接触，所述第一金属层的宽度在与所述基板平行的方向上大于等于所述第二金属层的宽度。

公开(公告)号：CN118202457A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202180102775.8

申请日：2021-09-28

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 王业宏

IPC: H01L23/02 ,  H01L25/00

Abstract: 一种半导体器件包括金属基座、壁、盖、半导体管芯和至少一个电容器。壁被放置在金属基座上，并且在壁的内部提供开口部分。盖被放置在壁上。半导体管芯被放置在金属基座上。半导体管芯被壁包围以便放置在开口部分中。电容器被放置在壁上。电容器的第一端电连接到半导体管芯，并且电容器的第二端电连接到金属基座。

公开(公告)号：CN117712051A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202310989367.X

申请日：2023-08-08

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 佐桥明

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498

Abstract: 半导体装置具备：布线基板，形成有贯通两个主面的开口，并被构成为包含绝缘材料；金属基底，以从主面侧堵塞开口的方式固定于布线基板；半导体芯片，固定于金属基底的主面上的开口的内侧；树脂，从布线基板的主面上到金属基底的主面上的开口的内侧，以覆盖半导体芯片的方式进行配置，该树脂由热膨胀系数与布线基板的热膨胀系数不同的材料构成；以及包含金属膏的粘接剂，配置于布线基板的开口的侧面与树脂之间以及金属基底的主面与树脂之间，在金属基底的主面上，从开口的中心侧到布线基板的侧面，以厚度逐渐变大的方式配置粘接剂。

公开(公告)号：CN110875782B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201910804356.3

申请日：2019-08-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 黑川宗高 ,  藤村康 ,  芦泽建 ,  金丸圣

IPC: H04B10/61

公开(公告)号：CN110600378B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN201910501356.6

申请日：2019-06-11

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 野濑幸则

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L21/324 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及半导体器件制造方法和半导体器件。一种半导体器件制造方法，其包含以下步骤：形成电极，所述电极包含在半导体层上依次层叠的Ni层和Au层；通过在350℃以上的温度下对该电极进行热处理以在Au层的至少一部分表面处析出Ni、并且将所析出的Ni氧化从而形成Ni氧化膜；以及形成与Ni氧化膜接触并且含有Si的绝缘膜。

公开(公告)号：CN117276210A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310279894.1

申请日：2023-03-20

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 堤优也 ,  江森正臣

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供一种即使减小材料成本也能抑制散热性的下降的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；以及第一导电体层，覆盖所述第二主面，包含树枝状晶体，在所述基板形成有贯通所述基板并具有内壁面的过孔，所述第一导电体层覆盖所述内壁面。

公开(公告)号：CN108987264B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201810547951.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种形成外延衬底的方法，其中该外延衬底包括在由碳化硅(SiC)制成的衬底上生长的由氮化铝(AlN)制成的成核层。该方法包括以下步骤：(1)首先测量SiC衬底表面的第一反射率R0；(2)生长由AlN制成的成核层，同时测量AlN成核层的生长表面的第二反射率R1；以及(3)当反射率的比值R1/R0进入预设范围时，结束AlN成核层的生长。