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公开(公告)号：CN107112389B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201580069819.6
申请日：2015-12-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L33/30 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。
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公开(公告)号：CN106068547B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201580011736.1
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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公开(公告)号：CN109643670A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051581.3
申请日：2017-07-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。
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公开(公告)号：CN109564887A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047185.3
申请日：2017-04-24
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种装载埠以及晶圆搬送方法，该装载埠设有：构成晶圆搬送室的壁面的一部分且具有使该晶圆搬送室内开放的开口的板状部、载置晶圆收纳容器的载置台、使该开口得以开闭的扉部、得以吸着支承盖的吸着具、得以进行容器本体与盖的固定及固定解除的闩、以及收纳有闩驱动机构的闩驱动机构收纳部。该装载埠配置成能够使闩驱动机构收纳部的内部的气压较无尘室的气压为同压，或较无尘室的气压更为低压。由此提供能防止于自晶圆收纳容器进行晶圆出入时，在装载埠及晶圆收纳容器的盖内部的可动部等发生的尘埃附着于晶圆的装载埠及晶圆的搬送方法。
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公开(公告)号：CN109564856A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780046457.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105814669B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201480067818.3
申请日：2014-11-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B27/06 , B28D5/04
Abstract: 本发明是一种工件的切断方法，其在利用工件保持夹具(1)来保持工件并测定晶轴方位后，以不弄乱已测定的晶轴方位的方式利用工件保持夹具来保持工件，并在该状态下将工件保持夹具设置在线锯上，然后调整切断面方位，且将工件压抵至金属线列上，从而进行切断，其特征在于，工件保持夹具由能够在保持所述工件的状态下进行滑动的滑动部(2)和固定该滑动部的固定部(3)构成，在测定晶轴方位后，使滑动部滑动，且以不弄乱晶轴方位的方式使工件移动到工件保持夹具的中央部，并通过固定部来固定滑动部，且将工件保持夹具设置在线锯上，然后调整切断面方位，并进行切断。由此，提供一种工件的切断方法及工件保持夹具，其不但能够在不受限于方位测定器与工件测定面的距离的限制的情况下进行方位测定，且能够抑制翘曲的恶化与工件的破损。
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公开(公告)号：CN106062924B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201580011892.8
申请日：2015-02-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种贴合式晶圆的制造方法，关于自贴合晶圆的表面以氢离子、惰性气体离子的至少一种气体离子进行离子注入而于晶圆内部形成离子注入层，将该贴合晶圆经离子注入的表面与基底晶圆的表面直接或是透过绝缘膜贴合后，借由以该离子注入层使贴合晶圆剥离，制造于该基底晶圆上具有薄膜的贴合式晶圆，而对于该贴合式晶圆，透过在含有氢气的氛围下进行RTA处理而将该薄膜表面平坦化，其中，于自该RTA处理的最高温降温而自热处理炉取出该贴合式晶圆之间，在该热处理炉内于该薄膜的表面形成保护膜，之后将形成有该保护膜的贴合式晶圆自该热处理炉取出，之后使用蚀刻该保护膜及该薄膜的洗净液以洗净。借此能够在RTA处理及进行其后的洗净后亦能良好维持薄膜的膜厚度的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN109216222A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810663483.1
申请日：2018-06-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 提供一种方法，其能够评价由相对晶片外表面的外延反应或蚀刻反应而产生的晶片内表面的凹凸部是因沉积反应和蚀刻反应中的哪者而产生的。准备SOI晶片（S1），测定SOI晶片的SOI层的厚度（S2）。按照SOI层朝向基座侧的方式，将SOI晶片上下翻转并放置于基座上，进行外延反应或蚀刻反应（S3，S4）。将反应后的SOI晶片上下翻转成SOI层朝向上方的状态，测定SOI层的厚度（S5，S6）。通过求出反应前后的SOI层的厚度的差，来获得晶片内表面的沉积反应与蚀刻反应的面内分布（S7）。另外，根据已获得的面内分布，求出用于使该面内分布均匀化的外延生产的工艺条件，根据该工艺条件，在制品衬底上进行外延生长。
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公开(公告)号：CN109153104A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780027731.7
申请日：2017-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 宇佐美佳宏
IPC: B24B27/06 , B24B49/10 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种线锯装置，包含：伸出钢线的钢线供给轴盘、通过螺旋状缠绕于多个钢线导线器的周围的钢线而形成的钢线列、卷收钢线的钢线卷收轴盘、以及将切断目标的工件予以支承的工件支承部，此外于将被工件支承部所支承的工件予以推压至以至少重复前进后退1次以上而行进的钢线列进行切断加工，其中该线锯装置具备装设于工件支承部的振动传感器，以及检测钢线张力的荷重元。由此提供能透过于工件的切断之前判断发生钢线过紧或线锯装置异常振动的状态，而防止自工件切出的晶圆质量恶化的线锯装置及工件的切断方法。
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公开(公告)号：CN109148656A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810459772.X
申请日：2018-05-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种磊晶晶圆的制造方法，相较以往的磊晶晶圆，发光亮度为之提升，其于基板上形成n型磊晶层、p型磊晶层，其中，n型磊晶层及p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，n型磊晶层的形成具有形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一n型层的步骤，p型磊晶层的形成具有于第一n型层上形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一p型层的步骤以及于第一p型层的上方形成化合物半导体组成为固定且不含氮且较第一p型层的载子浓度为高的第二p型层的步骤，第一n型层的厚度较第一p型层的厚度为薄。
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