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    用于选择性蚀刻膜的系统和方法
    81.
    发明授权
    用于选择性蚀刻膜的系统和方法 有权

    公开(公告)号：CN107086178B

    公开(公告)日：2023-08-04

    申请号：CN201710076114.8

    申请日：2017-02-13

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 詹姆斯·尤金·卡朗 ,  艾夫林·安格洛夫 ,  朴俊洪 ,  杨邓良

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

    摘要： 本发明提供一种用于选择性蚀刻膜的系统和方法。一种用于相对于衬底的另一种暴露材料选择性蚀刻衬底的一种暴露材料的方法，包括：a)将衬底布置在处理室中；b)设定室压强；c)为RF等离子体设置RF频率和RF功率；d)将等离子体气体混合物供应到所述处理室；e)以电模式(E‑模式)和磁模式(H‑模式)之一在处理室中激励RF等离子体；和f)在所述衬底的等离子体处理期间，改变所述室压强、所述RF频率、所述RF功率和所述等离子体气体混合物中的至少一个，以从所述E模式和所述H模式中的一个切换到所述E模式和所述H模式中的另一个。

    等离子体径向边缘环阻隔密封件
    82.
    发明公开
    等离子体径向边缘环阻隔密封件 审中-实审

    公开(公告)号：CN116469743A

    公开(公告)日：2023-07-21

    申请号：CN202211164405.X

    申请日：2022-09-23

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 亚当·克里斯多夫·梅斯

    IPC分类号： H01J37/32

    摘要： 一种用于等离子腔室的阻隔密封环包含沿外径从顶表面竖直向下延伸至底表面的外密封支腿和从顶表面向下延伸至内径的内密封支腿。内密封支腿的上支腿部相对于外密封支腿以一定角度延伸，并且下支腿部从上支腿部的底部向下延伸，并且界面被限定在上支腿部和下支腿部之间。该界面允许内密封支腿在安装在设置于等离子体腔室的下电极中的基底环的凹槽内期间朝向外密封支腿的内表面向内折叠。

    用于等离子体处理室的电极
    84.
    发明授权
    用于等离子体处理室的电极 有权

    公开(公告)号：CN109994352B

    公开(公告)日：2023-07-18

    申请号：CN201811201784.9

    申请日：2018-10-16

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 埃文·爱德华·巴顿 ,  约翰·多尔蒂

    IPC分类号： H01J37/04 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67

    摘要： 本发明涉及用于等离子体处理室的电极。一种用于将射频功率传输到等离子体处理区的电极包括由半导体材料形成的板和形成在所述板的顶表面上并与所述板成一体的高导电率层。所述高导电率层具有比所述板的所述半导体材料的电阻低的电阻。所述电极包括分布的通孔。每个通孔延伸穿过所述电极的从所述高导电率层的顶表面到所述板的底表面的整个厚度。在一些实施方式中，板可以由硅材料形成，并且高导电率层可以是由板的硅材料形成的硅化物材料。

    用于防止流体的渗透和泄漏的多层且多环的密封件
    85.
    发明公开
    用于防止流体的渗透和泄漏的多层且多环的密封件 审中-实审

    公开(公告)号：CN116438639A

    公开(公告)日：2023-07-14

    申请号：CN202180072424.7

    申请日：2021-10-18

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 卡尔·弗雷德里克·利瑟 ,  布兰得利·泰勒·施特伦 ,  尼克·拉伊·小林百格

    IPC分类号： H01L21/67

    摘要： 一种密封件包含第一带状构件、第二带状构件、以及桥接构件，所述密封件用于防止流体通过所述密封件与第一主体之间的第一界面。第一带状构件在所述第一带状构件的第一侧限定第一带状密封表面。所述第一带状构件被配置成在被挤压至所述第一主体时与所述第一主体一起提供第一流体密封。第二带状构件在所述第二带状构件的第一侧限定第二带状密封表面，所述第二带状构件被配置成在被挤压至所述第一主体时与所述第一主体一起提供第二流体密封。所述第一带状构件和所述第二带状构件至少部分地在所述第一带状构件与所述第二带状构件之间限定空腔。桥接构件延伸通过所述空腔并且将所述第一带状构件连接至所述第二带状构件。

    硬掩膜的自限性平坦化
    87.
    发明授权
    硬掩膜的自限性平坦化 有权

    公开(公告)号：CN107039265B

    公开(公告)日：2023-07-04

    申请号：CN201710061603.6

    申请日：2017-01-26

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 杨邓良 ,  朴俊洪

    IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

    摘要： 本发明提供硬掩膜的自限性平坦化。一种用于处理半导体衬底的方法包括：a)提供衬底叠层，所述衬底叠层包括第一层、以间隔关系布置在所述第一层上的多个芯和布置在所述第一层下方的一个或多个底层；b)在所述第一层和所述多个芯上沉积共形层；c)部分蚀刻所述共形层以产生与所述多个芯的侧壁相邻布置的间隔件，其中所述共形层的部分蚀刻使得所述间隔件的上部具有不对称轮廓；d)相对于所述间隔件和所述第一层选择性地蚀刻所述多个芯；e)在所述间隔件的侧壁上沉积聚合物膜；以及f)蚀刻所述间隔件的上部以去除所述不对称轮廓并平坦化所述间隔件的上部。

    用于等离子体处理系统的可移动边缘环
    89.
    发明公开
    用于等离子体处理系统的可移动边缘环 审中-实审

    公开(公告)号：CN116349002A

    公开(公告)日：2023-06-27

    申请号：CN202180068527.6

    申请日：2021-09-29

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 克里斯托弗·金博尔 ,  达雷尔·埃利希 ,  尤马·奥库拉

    IPC分类号： H01L21/683

    摘要： 一种用于衬底处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部可移动环，其包括围绕衬底支撑件布置的第一环状主体。所述顶部可移动环在衬底处理期间暴露于等离子体。可移动支撑环被布置在所述顶部可移动环下方和所述衬底支撑件的基板的径向外侧，并且包括第二环状主体。屏蔽环被布置在所述可移动支撑环的径向外侧，并且包括第三环状主体。覆盖环包括被布置在所述顶部可移动环的径向外边缘上方的第四环状主体。致动器和升降销被配置成调整所述顶部可移动环和所述可移动支撑环相对于所述屏蔽环和所述覆盖环的位置。