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公开(公告)号：CN112368644A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980040257.0
申请日：2019-08-08
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G73/06 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于，提供：对形成能应用湿式工艺、且耐热性、耐蚀刻性、向台阶基板的埋入特性和膜的平坦性优异的光致抗蚀剂下层膜有用的、光刻用膜形成材料等。前述课题可以通过以下的光刻用膜形成材料而达成。一种光刻用膜形成材料，其包含：具有式(0A)的基团的化合物(式(0A)中，RA为氢原子或碳数1～4的烷基，RB为碳数1～4的烷基)；和，具有式(0B)的基团的化合物。
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公开(公告)号：CN107406383B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201680015557.X
申请日：2016-03-09
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C07D209/86 , C07D405/04 , C08G61/12 , G03F7/11
Abstract: 下述式(1)所示的化合物。式(1)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或为无桥接，R1各自独立地选自由氢原子、卤素基团、硝基、氨基、羟基、碳原子数1～30的烷基、碳原子数2～30的烯基、碳原子数6～40的芳基、及它们的组合组成的组，此处，该烷基、该烯基及该芳基任选包含醚键、酮键或酯键，R2各自独立地为碳数1～30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～40的芳基、碳数2～30的烯基、硫醇基或羟基，此处，R2的至少1个为包含羟基或硫醇基的基团，m各自独立地为1～7的整数，p各自独立地为0或1，q各自独立地为0～4的整数，n为0或1。
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公开(公告)号：CN112005168A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027296.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式((11))中所，示L的为除化合OR物1以和外含的硅配化体合，物R1。为[氢Lx原Te子(O、取R1代)y或](未1)取(上代述的式碳数1～20的直链状或碳数3～20的支链状或环状的烷基、取代或未取代的碳数6～20的芳基、和取代或未取代的碳数2～20的烯基中的任意者，x为0～6的整数，y为0～6的整数，x与y的总计为1～6，x为2以上的情况下，多个L任选相同或不同，y为2以上的情况下，多个R1任选相同或不同。)。
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公开(公告)号：CN110637256A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032121.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/20 , G03F7/26
Abstract: 本发明提供光刻用膜形成材料，其包含具有下述式(0)的基团的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110325501A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880012865.6
申请日：2018-02-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本申请提供：对形成溶剂溶解性优异、能用于湿式工艺、耐热性和耐蚀刻性优异的光刻用膜有用的化合物、树脂和组合物。另外，提供：使用该组合物的图案形成方法。进而，提供：该化合物和树脂的纯化方法。使用含有具有特定结构的化合物和/或具有源自该化合物的结构单元的树脂的组合物。
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公开(公告)号：CN109476576A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780045278.2
申请日：2017-07-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 越后雅敏
IPC: C07C43/23 , C07C43/20 , C07C43/205 , C07D303/27 , C07D311/78 , C07D311/82 , C07D407/12 , C08G59/20 , G03F7/031 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 下述式(0)所示的化合物。(0)(RY：碳数1～30的烷基或碳数6～30的芳基，RZ：碳数1～60的N价的基团或单键，RT：碳数1～30的烷基、碳数6～30的芳基、碳数2～30的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子、硝基、氨基、羧基、巯基、羟基或羟基的氢原子被羟基烷基或缩水甘油基所取代的基团(烷基、芳基、烯基、烷氧基任选包含醚键、酮键或酯键)，RT的至少1个包含羟基的氢原子被羟基烷基所取代的基团或被缩水甘油基所取代的基团。X：氧原子、硫原子或为无桥接，m：0～9的整数(至少1个为1～9的整数)，N：1～4的整数，r：0～2的整数)
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公开(公告)号：CN104281006B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201410350098.3
申请日：2007-11-01
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , C08G8/20 , C07C69/736 , C07C67/31
Abstract: 本发明提供了含有高灵敏度、高分辨力、高耐蚀刻性、低逸气量、以及得到的抗蚀图形的形状良好的抗蚀剂化合物的放射线敏感性组合物；以及使用该放射线敏感性组合物的抗蚀图形的形成方法；以及光学特性和耐蚀刻性良好的、而且实质上无升华物的用于形成新的光刻胶下层膜的组合物及由其形成的下层膜。该放射线敏感性组合物含有具有特定结构的环状化合物和溶剂，所述环状化合物为通过醛类化合物A1和酚类化合物A2的缩合反应而合成的分子量为700‑5000的环状化合物A，其中所述醛类化合物A1为碳原子数为2‑59且具有1‑4个甲酰基的化合物，所述酚类化合物A2为碳原子数为6‑15且具有1‑3个酚羟基的化合物。还提供了用于该组合物的环状化合物。
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公开(公告)号：CN103733135B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201280039340.4
申请日：2012-08-09
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明涉及含有通式(1)或(2)所示的化合物的抗蚀剂组合物，使用其的抗蚀图案形成方法，用于其的多元酚化合物以及由其衍生而得到的醇化合物。(通式(1)以及(2)中，R1分别独立地为单键、或碳数1～30的2n价烃基，该烃基也可以具有环式烃基、双键、杂原子或者碳数6～30的芳香族基团，R2分别独立地为氢原子、卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的链烯基或羟基，在同一萘环中R2可以相同也可以不同，R2的至少1个为羟基，n为1～4的整数，式(1)以及式(2)的重复单元的结构式可以相同也可以不同，通式(1)中，m1分别独立地为1～7的整数，通式(2)中，X分别独立地为氧原子或硫原子，m2分别独立地为1～6的整数。)
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公开(公告)号：CN105764892B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480064733.X
申请日：2014-11-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C07D311/92 , C08G8/20
Abstract: 本发明的精制方法为下式(1)所示的化合物或具有下式(2)所示结构的树脂的精制方法，其包括使含有不能与水任意混合的有机溶剂和前述化合物或前述有机溶剂和前述树脂的溶液(A)与酸性的水溶液接触的工序。(下式中，X是氧原子或硫原子，R1是单键或烃基，R2是烷基或羟基等，在此，R2中的至少一个是羟基，R3是单键或亚烷基，m是1～6，m2是1～5，p是0或1，n是1～4。)
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