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公开(公告)号：CN107614472A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030254.5
申请日：2016-04-26
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
摘要： 本发明的羟基取代芳香族化合物的制造方法包括如下工序：将羟基取代芳香族化合物在氧浓度低于20体积％的气氛中进行干燥。另外，本发明的羟基取代芳香族化合物的包装方法包括如下工序：将羟基取代芳香族化合物在氧浓度低于20体积％的气氛中进行包装。
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公开(公告)号：CN105764892B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480064733.X
申请日：2014-11-28
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C07D311/92 , C08G8/20
摘要： 本发明的精制方法为下式(1)所示的化合物或具有下式(2)所示结构的树脂的精制方法，其包括使含有不能与水任意混合的有机溶剂和前述化合物或前述有机溶剂和前述树脂的溶液(A)与酸性的水溶液接触的工序。(下式中，X是氧原子或硫原子，R1是单键或烃基，R2是烷基或羟基等，在此，R2中的至少一个是羟基，R3是单键或亚烷基，m是1～6，m2是1～5，p是0或1，n是1～4。)
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公开(公告)号：CN103619892B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280027219.X
申请日：2012-05-30
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C08G8/04 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D161/06 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094
摘要： 本发明提供一种新型的酚醛系树脂，其能够用作半导体用的涂布剂、抗蚀剂用树脂，树脂中的碳浓度高、氧浓度低、耐热性比较高、溶剂溶解性也比较高，能够应用湿式工艺。还提供对于形成新型的光致抗蚀剂下层膜有用的材料、使用该材料而形成的下层膜、以及使用该材料的图案形成方法等；所述光致抗蚀剂下层膜的溶剂溶解性比较高、能够应用湿式工艺、作为多层抗蚀剂用下层膜耐蚀刻性优异。本发明的树脂是使具有特定的结构的化合物与具有特定的结构的醛在酸性催化剂的存在下反应而获得的。另外，本发明的光刻用下层膜形成材料至少包含该树脂和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN104981463A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201480007952.4
申请日：2014-02-04
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C07D311/86 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C07D311/82 , C07D311/86 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要： 本发明的光刻用下层膜形成材料，其含有下述通式(1)所示的化合物。(式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基可以具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的烯基或羟基，在此，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～4的整数，n是1～4的整数，p是0或1)。
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公开(公告)号：CN103282396B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201180063557.4
申请日：2011-12-14
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C08G14/04 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C08G8/10 , C08G8/00 , C08G14/04 , C09D161/34 , G03F7/004 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/0276
摘要： 目的是提供一种高碳浓度和低氧浓度的芳烃树脂，其可用作半导体用涂层剂或者抗蚀剂用树脂；提供一种用于形成光刻的底层膜的组合物，所述底层膜作为多层抗蚀工艺的底层膜具有优异的耐蚀刻性，提供一种由所述组合物形成的底层膜，以及提供一种使用所述底层膜形成图案的方法。本发明的特征在于在酸性催化剂的存在下，芳烃、芳族醛和酚衍生物反应从而得到芳烃树脂，所述芳烃树脂具有90-99.9质量%的高碳浓度和在丙二醇单甲醚乙酸酯中10质量%以上的溶解度。
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公开(公告)号：CN103827163A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280047440.1
申请日：2012-09-04
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C08G61/02 , C08L65/00 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/094 , C08G61/02 , C08G61/12 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/592 , C08L65/00 , G03F7/0041 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要： 本发明提供树脂中的碳浓度较高、耐热性较高、溶剂溶解性也较高、能够适用湿式工艺的具有新型的芴结构的树脂及其制造方法，以及对于形成耐热性和蚀刻耐性优异的新型的抗蚀剂下层膜作为多层抗蚀剂用下层膜而言有用的下层膜形成材料以及使用该材料的图案形成方法等。本发明的树脂具有下述通式(1)所示的结构。通式(1)中，R3和R4各自独立地是苯环或萘环，芴骨架或(二)苯并芴骨架的桥头位的碳原子与其它的芳香环的碳原子键合，芴骨架或(二)苯并芴骨架的芳香环的碳原子与其它的芴骨架或(二)苯并芴骨架的桥头位的碳原子键合。
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公开(公告)号：CN103619892A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280027219.X
申请日：2012-05-30
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C08G8/04 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D161/06 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094
摘要： 本发明提供一种新型的酚醛系树脂，其能够用作半导体用的涂布剂、抗蚀剂用树脂，树脂中的碳浓度高、氧浓度低、耐热性比较高、溶剂溶解性也比较高，能够应用湿式工艺。还提供对于形成新型的光致抗蚀剂下层膜有用的材料、使用该材料而形成的下层膜、以及使用该材料的图案形成方法等；所述光致抗蚀剂下层膜的溶剂溶解性比较高、能够应用湿式工艺、作为多层抗蚀剂用下层膜耐蚀刻性优异。本发明的树脂是使具有特定的结构的化合物与具有特定的结构的醛在酸性催化剂的存在下反应而获得的。另外，本发明的光刻用下层膜形成材料至少包含该树脂和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN103282396A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180063557.4
申请日：2011-12-14
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C08G14/04 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C08G8/10 , C08G8/00 , C08G14/04 , C09D161/34 , G03F7/004 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/0276
摘要： 目的是提供一种高碳浓度和低氧浓度的芳烃树脂，其可用作半导体用涂层剂或者抗蚀剂用树脂；提供一种用于形成光刻的底层膜的组合物，所述底层膜作为多层抗蚀工艺的底层膜具有优异的耐蚀刻性，提供一种由所述组合物形成的底层膜，以及提供一种使用所述底层膜形成图案的方法。本发明的特征在于在酸性催化剂的存在下，芳烃、芳族醛和酚衍生物反应从而得到芳烃树脂，所述芳烃树脂具有90-99.9质量%的高碳浓度和在丙二醇单甲醚乙酸酯中10质量%以上的溶解度。
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公开(公告)号：CN106094440B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610562638.3
申请日：2012-08-09
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/09 , H01L21/027
摘要： 提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法。一种下述通式(1)所示的化合物作为光刻用下层膜的应用，式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1各自独立地是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的链烯基或羟基，其中，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～6的整数，n是1～4的整数。
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