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公开(公告)号：CN107407885A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680016780.6
申请日：2016-03-15
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 印刷版用硅酮组合物，其是至少包含含SiH基的化合物、下述通式（I）表示的化合物、以及下述通式（II）表示的化合物和/或下述通式（III）表示的化合物的印刷版用硅酮组合物，前述通式（I）表示的化合物的D、前述通式（II）表示的化合物的G和前述通式（III）表示的化合物的J为乙酰氧基和/或二烷基肟基。A-Si-（D） 3（I） （通式（I）中，A表示与SiH基进行氢化硅烷化反应的非水解性的官能团。） E-Si-（G） 3（II） （通式（II）中，E表示不与SiH基进行氢化硅烷化反应的非水解性的官能团。） Si-（J）4 （III） 提供用于得到虽然是高速固化型的硅橡胶层、但与下层的粘接性优异、而且斥墨性、耐损伤性也优异的平版印刷版原版或平版印刷版的印刷版用硅酮组合物。
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公开(公告)号：CN107210201A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680010408.4
申请日：2016-02-10
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/18
Abstract: 本发明的目的在于提供可提高涂布液的保存稳定性、且可向半导体衬底均匀扩散的p型杂质扩散组合物。为实现上述目的，本发明具有以下构成。即，p型杂质扩散组合物，其特征在于，包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂，作为所述(C)有机溶剂，含有(C1)环状酯系溶剂。
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公开(公告)号：CN107073987A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060842.9
申请日：2015-11-10
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 提供具有即使在容易附着于非描绘部分的印墨的情况下也能使其充分排斥、且该排斥效果持久的斥墨层的无水平版印刷版原版、和施用前述无水平版印刷版原版的印刷方法。平版印刷版原版，其为至少具有热敏层和斥墨层的平版印刷版原版，前述斥墨层中含有斥墨性的液体，前述液体在1大气压下的沸点为150℃以上。此外，印刷物的制造方法为包括下述步骤的印刷物的制造方法：在使用平版印刷版将包含10质量%以上且50质量%以下的感光性成分的印墨转印至被印刷体上后、对该被印刷体照射紫外线的步骤，前述平版印刷版的印刷版原版在基板上至少具有斥墨层，该斥墨层中包含的斥墨性的液体的表面张力为30mN/m以下。
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公开(公告)号：CN105378895A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480037504.9
申请日：2014-06-30
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/1876 , C08G77/08 , C08G77/80 , C08K3/32 , C08K3/36 , C08K2003/329 , C09D11/03 , C09D11/102 , C09D11/52 , C09D183/04 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L31/0682 , H01L31/103 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , C08K3/38
Abstract: 本发明提供一种杂质扩散组合物，其含有(A)通式(1)表示的聚硅氧烷、和(B)杂质扩散成分。(式中，R1表示碳原子数为6～15的芳基，多个R1可以分别相同或不同。R2表示羟基、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为2～10的链烯基、碳原子数为2～6的酰基、碳原子数为6～15的芳基中的任一种，多个R2可以分别相同或不同。R3及R4表示羟基、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为2～10的链烯基、碳原子数为2～6的酰基中的任一种，多个R3及R4可以分别相同或不同。n:m＝95:5～25:75。)。所述杂质扩散组合物对半导体衬底具有优异的印刷性、杂质扩散性，且烧成、扩散工序中不易产生裂纹，烧成后形成对于其他杂质扩散剂具有充分的掩蔽性的烧成膜。
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公开(公告)号：CN101969103B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201010256778.0
申请日：2005-05-19
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/54
CPC classification number: H05B33/14 , C07D209/86 , C07D209/88 , C07D307/91 , C07D333/54 , C07D401/04 , C07D405/04 , C07D405/10 , C07D409/04 , C07D409/10 , C07D413/04 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0065 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , Y10S428/917
Abstract: 本发明涉及一种发光元件，该发光元件是在阳极和阴极之间至少存在发光层，通过电能而发光的发光元件，其中该发光层含有通式(3)所示的蒽化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101589482B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880003179.9
申请日：2008-01-25
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0005 , H01L51/0048 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管，其通过含有特定的噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材料，能用喷墨等涂布工艺进行制膜，具有高电荷迁移率，即使在大气中也可以维持高开关比。
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公开(公告)号：CN102027612A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117108.6
申请日：2009-05-11
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , C01B31/02 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0072 , H01L51/0545 , H01L51/10
Abstract: 碳纳米管复合体，其在碳纳米管表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物，所述共轭系聚合物在重复单元中含有环中具有含氮双键的稠合杂芳基单元和噻吩单元。本发明可减少场效应晶体管的磁滞，所述场效应晶体管具有含有碳纳米管的半导体层。
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公开(公告)号：CN101969103A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010256778.0
申请日：2005-05-19
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/54
CPC classification number: H05B33/14 , C07D209/86 , C07D209/88 , C07D307/91 , C07D333/54 , C07D401/04 , C07D405/04 , C07D405/10 , C07D409/04 , C07D409/10 , C07D413/04 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0065 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , Y10S428/917
Abstract: 本发明涉及一种发光元件，该发光元件是在阳极和阴极之间至少存在发光层，通过电能而发光的发光元件，其中该发光层含有通式(3)所示的蒽化合物。
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公开(公告)号：CN1984897B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200580023508.2
申请日：2005-05-19
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C07D307/91 , C07D333/76 , C07D405/04 , C07D409/10 , C09K11/06 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC classification number: H05B33/14 , C07D209/86 , C07D209/88 , C07D307/91 , C07D333/54 , C07D401/04 , C07D405/04 , C07D405/10 , C07D409/04 , C07D409/10 , C07D413/04 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0065 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , Y10S428/917
Abstract: 本发明涉及发光元件材料，其特征在于：该发光元件材料含有下述通式(1)或通式(3)所示蒽化合物，通过本发明可得到具有高发光效率和优异耐久性的发光元件。式(1)中R1-R10为氢、烷基、环烷基、杂环基等，R1-R10中的至少一个为通式(2)所示的取代基；式(2)中R11-R18为氢、烷基、环烷基。X为氧原子或硫原子，Y为单键，亚芳基或亚杂芳基。R11-R18中的任一个用于与Y连接，α用于与蒽骨架连接；式(3)中R19-R37为氢、烷基、环烷基、杂环基等。n为1或2。A为亚杂芳基或亚芳基，R19-R27中的任一个及R28-R37中的任一个用于与A连接。
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公开(公告)号：CN101589482A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200880003179.9
申请日：2008-01-25
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0005 , H01L51/0048 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管，其通过含有特定的噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材料，能用喷墨等涂布工艺进行制膜，具有高电荷迁移率，即使在大气中也可以维持高开关比。
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