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公开(公告)号：CN211122584U
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201922250884.7
申请日：2019-12-16
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要： 本实用新型公开了一种光学元件表面非接触式洁净监测及处理系统，包括：光传输管道或箱体；光学元件支撑单元，其设置在光传输管道或箱体的底部；光学元件倾斜设置在光学元件支撑单元上；照明单元，其设置在光学元件支撑单元上；风刀单元，其设置在光学元件支撑单元上，其风刀单元位于光学元件的上边缘；相机监测单元，其设置在光传输管道或箱体的上方，且相机监测单元的照射镜头与光学元件的表面垂直。该光学元件表面非接触式洁净监测及处理系统可以实现对光学元件表面颗粒污染物的实时拍照采样，通过对污染物的粒径及分布信息进行统计，记录表面颗粒污染物的变化情况；该系统采用风刀单元可以实现对光学元件表面颗粒污染物的有效去除。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208879140U
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201821724624.8
申请日：2018-10-24
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要： 本实用新型公开了一种用于光学元件在线表面洁净监测和处理的装置，包括：光学元件表面颗粒物在线检测系统，其暗场成像系统位于光学元件的上方且垂直与光学元件；用于对光学元件进行洁净处理的洁净处理装置，其通过水平运动机构和竖直伸缩机构实现对擦拭机构的位置移动，进而可实现对光学元件的表面擦拭；上位机，其与光学元件表面颗粒物在线检测系统和洁净处理机构通信连接。本实用新型的装置可用于对光学元件的表面进行实时在线监测，同时根据暗场监测的结果来进行非常及时的洁净处理，操作简单便捷，也避免了人工作业带来二次污染的风险，从而减少了光学元件的损伤，有效保障了高功率固体激光装置的稳定运行。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206926105U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720714632.3
申请日：2017-06-19
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要： 本实用新型涉及激光修复领域。本实用新型提供了一种用于制备熔石英光学元件表面损伤的装置，用于人为制备出熔石英光学元件的表面损伤，以供研究其修复过程，其技术方案可概括为：用于制备熔石英光学元件表面损伤的装置，其特征在于，包括光学平台、二维平移台、金刚石压针、配重装置、显微镜及支撑装置。本实用新型的有益效果是：简单方便，适用于人为制备出熔石英光学元件的表面损伤。
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公开(公告)号：CN205752977U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620420060.3
申请日：2016-05-11
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： H01S3/117
摘要： 本实用新型提供了一种二维声光Q开关调节装置，所述的装置用于实现二维声光Q开关在俯仰和偏转两个自由度的无级调节。本实用新型在固定底座上方设置偏转调节底座，偏转调节底座边缘带有精细齿轮结构，在偏转调节齿轮的作用下可实现对声光Q开关水平偏转的调节。偏转调节底座上设置支撑件并固定。支撑件上方设置Q开关支撑台，Q开关支撑台在俯仰运动齿轮调节副的作用下可实现俯仰方向的调节，并可用固定螺栓固定。Q开关支撑台上方直接安装声光Q开关。本装置结构简单，调节方便，可以充分利用声光Q开关的声光优质。
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公开(公告)号：CN211134839U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201922250112.3
申请日：2019-12-16
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要： 本实用新型公开了一种用于光学元件表面颗粒污染物的处理系统，包括：底板，其上通过支撑柱放置有光学元件；风刀及离子棒单元，其通过支撑单元连接在底板上，且风刀及离子棒单元位于光学元件的一端，并使风刀及离子棒单元的出风口正对光学元件的上表面；静电吸附电极，其包括平行设置的正电极棒和负电极棒，正电极棒和负电极棒分别通过电极支撑架连接在底板上，且正电极棒位于光学元件的上方，负电极棒位于光学元件的的下方。通过风刀及离子棒产生离子风或高速气流将光学元件表面的污染物去除并使污染物荷电，采用静电吸附电极在光学元件末端或将静电吸附电极带动在光学元件表面进行来回运动，对污染物进行收集，从而达到污染物去除的目的。
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公开(公告)号：CN206990779U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720931111.3
申请日：2017-07-28
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： G01R33/032
摘要： 本实用新型公开了一种基于单模-拉制小芯单模-单模光纤结构的传感器，包括：第一单模光纤；拉制小芯单模，其输入端与第一单模光纤的输出端熔接；拉制小芯单模光纤的表面附着超磁致伸缩材料层；第二单模光纤，其输入端与拉制小芯单模光纤的输出端熔接。本实用新型中，当超辐射发光二极管光源发出的光在第一单模光纤中传输，进入拉制小芯单模光纤中形成干涉，部分波长的光在其中形成波谷，而后进入第二单模光纤中继续传输，当带有超磁致伸缩材料层的拉制小芯单模光纤处于磁场环境中导致超磁致伸缩材料发生微小形变及波导折射率从而影响波导干涉条件变化，导致谐振波长的偏移，依据谐振波长的偏移量，获得磁场的变化量。
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公开(公告)号：CN206981987U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720533803.2
申请日：2017-05-15
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/064 , B23K26/70
摘要： 本实用新型公开了一种用于光学元件的激光预处理装置，包括：用于发出激光的激光光源；依次设置在激光传输方向上的分光劈板、反射镜、光束整形系统和放置待处理光学元件的电动平移台；其中，激光光源发出的激光经分光劈板之后经反射镜传输至光束整形系统，光束整形系统对激光进行光束整形，将本身高斯分布的激光光斑整形成平顶均匀分布的方光斑，最后辐照到光学元件表面来对光学元件进行激光预处理。通过本实用新型的激光预处理装置，形成平顶聚焦的均匀方形激光光斑使整个预处理过程辐照的能量密度均匀，并且能够通过倍率切换结构来轻松调节光斑的尺寸，进而调节到达光学元件表面激光能量密度的目的。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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