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公开(公告)号：CN105158322B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510310832.8
申请日：2015-06-09
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于多晶硅中痕量杂质分析的前处理装置，包括置于加热板上且设有密封外罩的样品瓶。密封外罩的顶部设有混合气体出口，其下部设有水平布置的环形氮气吹扫管线；环形氮气吹扫管线上设有氮气接口Ⅱ，该氮气接口Ⅱ连有带氮气加热器开关的氮气加热装置；氮气加热装置连有干燥器的出气口Ⅰ，该干燥器的进气口Ⅰ连有金属离子过滤器的出气口Ⅱ；金属离子过滤器的进气口Ⅱ经尘埃过滤器连有氮气管路；混合气体出口连有气体缓冲器的进气口Ⅲ，该气体缓冲器的出气口Ⅲ连有吸收塔；吸收塔的顶部设有连自来水进口的喷淋头，其下部一侧设有废液出口。本发明操作方便、重现性好，实现了多晶硅中痕量元素的快速、准确分析。
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公开(公告)号：CN107585769B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710858647.1
申请日：2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法，其能够制备出纯度高、球度高的颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统，包括挡板、熔融装置以及喷射装置，挡板与喷射装置的喷射部间隔设置。经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过挡板分散为更小的多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统能够制备出纯度高、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的系统，因此也具有上述的有益。
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公开(公告)号：CN107121436B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710285638.8
申请日：2017-04-27
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅料品质的智能鉴别方法及鉴别装置，属于硅料生产技术领域。鉴别方法包括将硅料放置于输送装置上，在传送过程中经检测装置检测硅料的表面形貌，收集形貌信息，并基于收集到的形貌信息通过预设的深度学习模型计算待识别形貌信息与形貌信息样本的相似度取值对待识别形貌信息进行识别，控制装置控制输送装置按不同分类将硅料分别输送至相应的装放装置中。鉴别装置包括用于输送硅料的输送装置、检测装置、控制装置和用于盛放分类后的硅料的多个装放装置，检测装置与控制装置配合对硅料进行分类。此鉴别装置的鉴别方法避免了人工鉴别分类对硅料的二次污染，同时，其鉴别更加准确。
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公开(公告)号：CN106185138B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510426897.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: H01L21/677 , B65G1/04
Abstract: 本发明一种密闭式硅芯自动存取装置，具体为：密闭的存储空间(7)，及两侧的输送带II(12)、输送带Ⅰ(1)、存储箱(5)、可使存放硅芯的存储箱(5)进出的入口(2)和出口(16)、通风孔(6)，输送带Ⅰ(1)、输送带II(12)分别贯穿于入口(2)和出口(16)，入口(2)和出口(16)分别设闸门Ⅰ(17)、闸门II(18)，箱体外侧固定设棒形的把手(10)，密闭的存储空间(7)内设机械手II(11)和机械手I(4)，及位于其上可与棒形的把手(10)相配合的勾(19)。有益效果：操作便捷、省时省力、采用自动化控制，并具有良好的封闭空间，避免了硅芯的多环节污染。
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公开(公告)号：CN108002390A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711233911.9
申请日：2017-11-30
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035 , C23C24/04
Abstract: 本发明公开了一种还原炉电极及其涂层制备方法，采用铝制造电极体，电极体锥形段设置有银涂层，电极体除锥形段外的其余表面设置有陶瓷绝缘涂层；以拉法尔喷嘴加速经加热的压缩气体作为工作载气，高速的载气加速原材料粉末从喷枪喷出，以低温、高速和完全固态下碰撞电极体，通过颗粒的堆积效应形成具有高致密性、高热稳定性和高强结合性能的涂层。本发明具有如下优点：铝电极体表面更容易接受涂层材料；通过冷喷涂方法制备的电极体锥形段银涂层，可降低电极体与石墨的接触电阻，银涂层不易脱落；在除锥形段外的电极体表面喷涂有氧化铝涂层，大幅提高了电极体的绝缘性能；气涂层粒子沉积效率高，原材料的利用率高，涂层制备生产效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107986285A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711265493.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035 , C04B35/10 , C04B35/622 , C23C12/00 , C30B28/14 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开了一种还原炉底盘及其涂层制备方法，还原炉底盘采用不锈钢制成，底盘表面具有银涂层，可以使底盘表面保持较低的温度，进而杜绝无定型硅在底盘表面形成黑色膜层，使无定型硅以颗粒形式富集在底盘表面；底盘电极卡槽以及底盘表面绝缘面喷涂有银/氧化铝复合膜层，复合膜层使得氧化铝与基体结合强度更强，不易造成应变破裂；将外置绝缘保护变为内置绝缘保护，大幅提高了底盘与电极之间的绝缘性能；筛网表面设置有银/氧化铝复合涂层，复合涂层具有耐腐蚀、热稳定性高、耐冲刷等优点；该底盘涂层喷涂方法的优点是，涂层粒子沉积效率高，原材料的利用率可超过98％，且涂层制备过程的生产效率高。
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公开(公告)号：CN107961959A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711189046.2
申请日：2017-11-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种冷喷涂制备还原炉内壁涂层的方法，以拉法尔喷嘴加速经加热的压缩气体作为工作载气，高速的载气加速原材料粉末从喷枪喷出，以低温、高速和完全固态下碰撞还原炉内壁，原材料颗粒与还原炉内壁同时发生剧烈的塑性变形后沉积在内壁表面，进而通过颗粒的堆积效应形成涂层。该方法的优点是，涂层粒子沉积效率高，原材料的利用率可超过98％；涂层制备生产效率高，每小时能制备20kg以上的涂层材料，一次喷涂厚度可超500μm；涂层粒子与周围气氛不发生反应，几乎完全保留了原材料相同的特性；允许粒径分布较广的材料作为涂层原料，提高了原料利用率；涂层与基体的结合强度高，高温运行过程中不容易脱落，具有较长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107720759A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711115897.2
申请日：2017-11-13
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107 , C01B3/50 , C01B7/07
CPC classification number: C01B33/10778 , C01B3/50 , C01B7/0706
Abstract: 本发明涉及电子材料生产技术领域，公开了一种光纤级四氯化硅的制备方法及多晶硅生产中还原尾气的处理方法。光纤级四氯化硅的制备方法包括从还原尾气中分离出氯硅烷混合液、从氯硅烷混合液中分离出初级四氯化硅以及对初级四氯化硅进行提纯。其最大限度地利用中间产物，极大地降低生产体系对外界的依赖程度，成本较低。多晶硅生产中还原尾气的处理方法包括利用上述的光纤级四氯化硅的制备方法对多晶硅生产中还原尾气进行处理，并将前两次分离步骤所得的氢气、氯化氢、二氯二氢硅及三氯氢硅作为多晶硅生产的原料进行贮存，较大的利用中间产物，生产的三废排放量显著减小，利用中间产物生产出光纤级四氯化硅，创造了较大的经济效益。
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公开(公告)号：CN107720756A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711067662.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括有炉体、底盘和电极，还原炉的内部分成热气流层、晶硅生长区及冷气流层三个区域，冷气流层位于还原炉的底部，其与底盘相接；在底盘设置有氢气喷嘴，通过氢气喷嘴朝还原炉喷射氢气气流形成冷气流层；热气流层位于还原炉的顶部，热气流层底部与硅棒顶部的距离为100-500mm。本发明具有以下优点：第一，多晶硅硅棒高度低于还原炉顶部热气流层，避免硅棒暴露在顶部热气流层而导致硅棒横梁熔断、生长菜花料；第二，多晶硅生长区气相及多晶硅棒温度均保持在适合物料反应、沉积的温度，可以产出具有高品质的多晶硅整棒；第三，冷气流层可使还原炉底部始终保持在低温状态，阻止物料沉积在磁环、石墨底座及电极上。
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公开(公告)号：CN107601510A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710858917.9
申请日：2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的装置及方法，其能够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的装置，其包括用于将经导流口流出的熔融液硅分散的旋转装置。在实施过程中，经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；熔融多晶硅经导流口落在高速旋转的转盘上，高速转盘沿切向甩出分散多晶硅液滴，多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明中提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的装置，因此也具备有上述的有益效果。
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