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公开(公告)号：CN114512537A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210411916.0
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，属于芯片技术领域。所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法包括：在第一类材料衬底的正面形成所述IGBT的基础结构；在所述基础结构表面沉积第二类材料薄膜；在所述第二类材料薄膜表面沉积层间介质层薄膜，以形成待刻蚀结构；通过接触孔刻蚀工艺，并通过预选的对第三类材料和第二类材料具有高选择比的气体、及预选的对第二类材料和第一类材料具有高选择比的气体，对所述待刻蚀结构进行接触孔刻蚀，形成接触孔槽。本发明实施例可以提高单晶片内各区域的接触孔刻蚀深度均一性，并使得IGBT器件在抗闩锁性能上更加稳定。
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公开(公告)号：CN114220847B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210159453.3
申请日：2022-02-22
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有外延层；所述外延层上方依次设有第一重掺杂N+离子、P型硅、N型硅及第二重掺杂N+离子；所述P型硅中设有轻掺杂N型离子，所述N型硅中设有轻掺杂P型离子。所述LDMOSFET不需要高能量离子注入，具有工艺简单，成本低的特点。
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公开(公告)号：CN114464673A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210375514.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种双栅LDMOSFET器件、制造方法及芯片。该方法包括：在表面为N型硅层的半导体衬底上方依次外延N型外延层和P型外延层；通过光刻及干法刻蚀形成贯穿N型外延层、P型外延层和N型硅层的沟槽；干法刻蚀去除两沟槽间预设区域内的P型外延层和N型外延层，以露出预设区域内的N型硅层作为漏极；沉积二氧化硅材料，通过光刻及刻蚀处理，在沟槽与所述N型外延层和N型硅层对应的内壁上形成场氧层；栅氧化形成氧化物材料层，通过离子刻蚀形成绝缘氧化层和覆盖沟槽与P型外延层对应处内壁和场氧层的栅氧化层；在沟槽中沉积多晶硅，形成多晶硅层；光刻及离子注入，在P型外延层中形成源极。该方法减少了离子注入和高温推结的步骤。
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公开(公告)号：CN114441923A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210367078.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种瞬态热阻的模拟系统与方法。所述模拟系统包括：信号生成装置，用于生成一组激励信号，其中该组激励信号中的不同激励信号具有相同的占空比与不同的周期；测量电路，用于将所述不同激励信号分别施加在IGBT模块的等效热阻模型的两端，以测量所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻；以及转换装置，用于将所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻转换成所述占空比下的IGBT模块的瞬态热阻曲线。由此，本发明可搭建出一套针对IGBT模块的等效热阻仿真电路，通过改变仿真电路中的脉冲方波激励信号来快速获取IGBT模块的瞬态热阻曲线。
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公开(公告)号：CN114420760A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210311019.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底；第一阱区，形成于衬底内，具有第一导电类型；第二阱区，形成于第一阱区两侧，具有第二导电类型；体区，体区一部分形成于第一阱区内，另一部分突出于第一阱区的上表面，体区具有第一导电类型；漂移区，形成于体区的两侧，包括靠近体区的第一台阶和远离体区的第二台阶，第一台阶的上表面突出于第一阱区的表面，第二台阶的上表面与第一阱区的表面齐平，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面；漏极，形成于第二台阶的上表面；栅极，形成于体区和第一台阶的上表面。通过本发明提供的晶体管能够增加耗尽区的面积，分担部分的表面电场，提高击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114065674B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号：CN114361244A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210270476.1
申请日：2022-03-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区，所述体区以及漂移区形成在所述半导体衬底内，所述栅极形成在半导体衬底的上方，且一端与所述体区相连，另一端位于所述漂移区上方，所述源极区形成在所述体区内且位于栅极的一侧；所述漏极区形成在所述栅极的另一侧，所述漏极区形成在所述半导体衬底上方与所述漂移区相接。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。
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公开(公告)号：CN114220846A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210159448.2
申请日：2022-02-22
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有N型阱；所述N型阱上方依次设有第一P型体区、N型漂移区和第二P型体区；所述N型漂移区的中间设有间隙，所述间隙的深度小于所述N型漂移区的深度。所述LDMOSFET不仅有效的缩小了器件的尺寸，还大大提升了器件的性能。
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公开(公告)号：CN113851466B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111436654.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种隔离电容及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括衬底、下极板、上极板以及位于所述下极板与所述上极板之间的电介质层，还包括设置于所述下极板与所述衬底之间的隔离层；所述隔离层由介电常数在2~3之间的电介质材料形成，所述隔离层用于降低所述下极板与所述衬底之间的寄生电容。本发明在下极板与衬底之间增加超低介电常数的隔离层，大幅度降低下极板与衬底之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN114050818A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111182262.0
申请日：2021-10-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及隔离器技术领域，提供一种数字隔离器及芯片。所述数字隔离器包括：调制发送模块，用于将接收到的输入信号转换为全差分信号；隔离电容模块，与所述调制发送模块连接，用于传输所述全差分信号；有源共模滤波模块，与所述隔离电容模块连接，用于过滤所述隔离电容模块传输所述全差分信号过程中的共模瞬态脉冲；接收解调模块，与所述隔离电容模块连接，用于对过滤共模瞬态脉冲后的全差分信号进行解调并输出。本发明通过调制发送模块将输入信号转换为全差分信号，利用有源共模滤波模块过滤全差分信号传输过程中的共模瞬态脉冲，提高了数字隔离器的共模瞬态脉冲抑制能力。
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