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公开(公告)号：CN107134513A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710286221.3
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层、第二限制量子阱层和p型层，特征是：所述准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层和第二限制量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度宽0.03─0.3eV。本发明利用第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度更宽的特点，将更多的载流子限制在发光多量子阱中，提升电子和空穴的匹配度，从而进一步提升发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN106848010A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611224503.2
申请日：2016-12-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，特征是：准备层和黄光多量子阱层位置包含有倒六角锥结构，准备层是InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N叠层结构，x＞y，InxGa(1‑x)N层厚度是InyGa(1‑y)N层厚度的2‑5倍。平均In组分较高的InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N叠层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力，获得高质量的黄光多量子阱发光层，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄光发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN106783821A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611214568.9
申请日：2016-12-26
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48
摘要： 本发明公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法。该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。该全光谱LED封装方法，采用多基色LED芯片直接合成白光，全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN104037290B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410219231.1
申请日：2014-05-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlyInxGa1-x-yN薄膜的外延结构及生长方法，自下而上依次包括：衬底、AlN缓冲层、InxGa1-xN(0≤x≤1)缓冲层、AlyGa1-yN(0≤y≤1)掩模层和AlyInxGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层，其特征在于：在所述AlyGa1-yN掩模层中、InxGa1-xN(0≤x≤1)缓冲层和AlyInxGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层之间，设有呈间隔排布、竖向的微孔，在每个微孔的下对应位置的InxGa1-xN缓冲层中设有一个空腔；微孔的直径小于空腔的直径。本发明是通过一次性在线生长的外延工艺，在衬底与外延材料之间的缓冲层中设计了大量的空腔，这种空腔有两个作用：(1)增加了薄膜柔性，为应力的弛豫提供了变形空间，可以释放AlyInxGa1-x-yN薄膜所受到的来自衬底的应力；(2)对于发光器件，空腔增强了界面反射，故可提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN103560193B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310383588.9
申请日：2013-08-29
申请人： 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
摘要： 本发明公开了一种低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法，其结构包括：基板层，生长衬底上的外延层被转移至所述基板层之上；基板层与外延层之间，由上至下依次有阻挡保护层、稀释保护层和黏结层；N电极位于外延层之上。它利用由多种金属或合金的叠层构成的稀释保护层和阻挡保护层，克服了低成本、低熔点金属作为黏结层材料存在的抗腐蚀能力差、扩散能力强等易破坏发光二极管结构及光电性能等问题，从而可代替贵金属作为热压黏合材料，一方面极大减低了垂直式发光二极管的制备成本，另一方面较低的热压温度及压力，减小热压自身的残余应力，使器件的光电性能和可靠性得到提高。本发明主要用于半导体发光器件上。
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公开(公告)号：CN104362224A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410483424.8
申请日：2014-09-22
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供了一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构，通过在基板支撑材料表面制备合金准备层，并使之通过合金与基板支撑材料形成二元共混层，从而可获得具有高可靠性的半导体材料与金属的界面；通过在基板支撑材料的下方形成应力调制层并调整该层的热膨胀系数来平衡位于基板上方的LED薄膜带给基板的应力，以解决基板弯曲问题，并通过调整应力调制层的结构强度和厚度来增强基板的抗弯曲能力。
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公开(公告)号：CN104362080A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410491866.7
申请日：2014-09-24
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要： 本发明公开了一种在Si衬底上选择性生长GaN基薄膜材料的方法，它包括如下步骤：提供Si（111）衬底并在其上沉积SiO2介质膜；将所述SiO2介质膜制成线宽为微米数量级的图形，以使所述衬底被分割成一定尺寸的分立的生长平台；将所述衬底放入MOCVD反应室，以所述线宽为微米数量级的图形为掩膜进行区域选择性生长：采用单层AlN缓冲层生长GaN主层；所述单层AlN缓冲层在1000℃～1300℃条件下生长，厚度为300?～3000?。本发明实现了GaN基薄膜材料在Si衬底分立生长平台上真正分立生长，可充分释放外延层中的应力、有效控制裂纹的传递和增生，大大提升了Si衬底上生长GaN基薄膜材料的窗口，可有效节约GaN基薄膜材料及器件的生产成本，且本发明可广泛应用于各种GaN基薄膜材料的生长。
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公开(公告)号：CN104037290A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410219231.1
申请日：2014-05-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlyInxGa1-x-yN薄膜的外延结构及生长方法，自下而上依次包括：衬底、AlN缓冲层、InxGa1-xN（0≤x≤1）缓冲层、AlyGa1-yN（0≤y≤1）掩模层和AlyInxGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1）主层，其特征在于：在所述AlyGa1-yN掩模层中、InxGa1-xN（0≤x≤1）缓冲层和AlyInxGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1）主层之间，设有呈间隔排布、分布密度在5e6cm-2--5e8cm-2之间、竖向的微孔，在每个微孔的下对应位置的InxGa1-xN缓冲层中设有一个空腔，InxGa1-xN缓冲层为蜂窝状结构。本发明是在衬底与外延材料之间的缓冲层中设计了大量的空腔，这种空腔有两个作用：（1）增加了薄膜柔性，为应力的弛豫提供了变形空间，可以释放AlyInxGa1-x-yN薄膜所受到的来自衬底的应力；（2）对于发光器件，空腔增强了界面反射，故可提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN102778295B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210297106.3
申请日：2012-08-21
申请人： 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
IPC分类号： G01J3/443
摘要： 本发明公开了一种在线测量发光二极管外延片光致发光光谱装置，它包括反应室和控制系统，在反应室安装有MOCVD加热器、石墨衬底基座、外延片和，MOCVD喷头，特征是：在MOCVD喷头的石英棒孔中安装有石英棒和石英棒外套；激光光纤连接在激光器和激光发射准直头之间，复用光纤连接在激发接收准直头和石英棒之间，光谱光纤连接在光谱准直头和光纤光谱仪之间；控制系统对反应室、激光器和光纤光谱仪进行控制。本发明通过人为降低外延片的温度来提高光致发光的信号强度，再通过石英棒来激发和收集光致发光光谱，并在光纤光谱仪上显示出光致发光光谱。本发明具有实时监测外延片在反应室内的生长情况、保证外延片能够正常生长、减少经济损失等优点。
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公开(公告)号：CN1953220A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610072230.4
申请日：2006-04-14
申请人： 南昌大学
摘要： 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，包括在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构和在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜步骤，其中所述的沟槽的深度大于6微米，并且沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜水平方向上互不相连。用本发明的方法可以通过简单的衬底处理而生长出高质量、无裂纹和面积较大的铟镓铝氮薄膜。本发明同时还公开了一种使用硅衬底制备铟镓铝氮发光器件的方法。
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