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公开(公告)号：CN109037412A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810937533.0
申请日：2018-08-16
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/005 , H01L33/02
摘要： 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN108447908A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810420573.8
申请日：2018-05-04
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/7786
摘要： 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本发明，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN107068818A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106784190A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611224132.8
申请日：2016-12-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法，该GaN基LED的结构包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、n型层、量子阱层和p型层，在n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层，厚度为2─20μm，C元素掺杂浓度为1×1019─1×1021cm‑3；量子阱层通电时发射蓝光，量子阱层所发射的蓝光激发GaN黄带发光层发射黄光，蓝光和黄光可混合成不同颜色的光。通过调节输入电流的大小，来调制量子阱层发射的蓝光与GaN黄带发光层发射的黄光的配比，从而可获得不同颜色的光，包括黄光、白光和蓝光。这种LED可发射包含白光在内的多种颜色的光，光的颜色可轻松变换，易于实现复杂的照明效果，或用于光通信领域。
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公开(公告)号：CN104815805A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510120826.6
申请日：2015-03-19
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片的自动筛选系统和筛选方法，特别适用于筛除在光电参数测试后的加工过程中所产生的正向漏电不良的LED芯片。该自动筛选系统包括自动载物台、荧光显微镜、光学检测机和芯片拾取装置，自动载物台可在计算机的控制下沿XYZ轴运动，具有承载LED芯片、自动切换检测对象和自动聚焦的功能，光学检测机用以采集、显示和分析LED芯片的荧光图像，正常LED芯片和正向漏电流不良LED芯片会出现不同的荧光强度和颜色差异，据此光学检测机可判断LED芯片是否合格并输出相关信息，芯片拾取装置用以完成LED芯片的筛除工作。该筛选系统和筛选方法可自动检测并筛除正向漏电不合格的LED芯片，且该筛选系统及筛选方法无需接触LED芯片，不会给芯片造成二次损伤。
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公开(公告)号：CN104646314A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510051000.9
申请日：2015-02-02
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯粒的筛选方法，特别适用于筛除在光电参数测试后的加工过程中（包括衬底减薄、晶圆切割以及自动分选等）所产生的正向漏电不良的LED芯粒。它通过激发光源和激发滤光片获得固定波段的激发光照射在待测LED芯粒上，然后通过阻断滤光片和光学显微镜观察分析LED芯粒的荧光图像的强度和颜色分布，正常LED芯粒和正向漏电流不良LED芯粒会出现不同的荧光强度和颜色差异，从而可筛除不合格LED的芯粒。这种方法直观、方便、分辨率高、成本低，且无需接触LED芯粒，不会造成芯粒的二次损伤。
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公开(公告)号：CN103647005A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310640524.2
申请日：2013-12-04
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L21/02005 , B28D5/0005 , H01L33/0066 , H01L33/20
摘要： 本发明公开了一种用于AlGaInN材料体系薄膜生长的分割图形蓝宝石衬底，包括蓝宝石衬底本体，图形分割槽将蓝宝石衬底本体的上表面分割成多个相互独立的重复的图形单元，图形单元为AlGaInN材料的生长平台。蓝宝石衬底本体为平面蓝宝石衬底本体或图形蓝宝石衬底本体。图形分割槽为沟槽型图形分割槽或第二介质型图形分割槽。本发明的分割图形衬底是通过沟槽或第二介质将蓝宝石衬底分割成一个个相互独立的、互不相连的图形单元。这种被分割开来的AlGaInN外延薄膜能大大提升LED的波长均匀性，提高LED外延片的良率，并大大降低AlGaInN外延薄膜与蓝宝石衬底之间由于激光剥离带来的巨大热应力以及热冲击，可大大提升激光剥离的合格率，提升蓝宝石衬底垂直结构LED芯片的良率。
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公开(公告)号：CN108447854A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810299136.5
申请日：2018-03-30
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/58
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/58 , H01L2933/0033
摘要： 本发明公开了一种LED芯片的封装模块及其制备方法，LED芯片的封装模块包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜；四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形，四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上，四颗LED芯片发光面组成圆形；一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上，四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面，与二次光学系统完全匹配。本发明具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、制备方法简单、易实现、结构简单、成本低廉的优点，解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。
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公开(公告)号：CN108336199A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810194487.X
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本发明通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN107134513A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710286221.3
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层、第二限制量子阱层和p型层，特征是：所述准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层和第二限制量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度宽0.03─0.3eV。本发明利用第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度更宽的特点，将更多的载流子限制在发光多量子阱中，提升电子和空穴的匹配度，从而进一步提升发光二极管的内量子效率。
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