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公开(公告)号：CN109037412A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810937533.0
申请日：2018-08-16
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/005 , H01L33/02
摘要： 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN108447908A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810420573.8
申请日：2018-05-04
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/7786
摘要： 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本发明，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN107482098A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710862656.8
申请日：2017-09-20
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/0062 , H01L33/20 , H01L2933/0016
摘要： 本发明公开了一种薄膜LED芯片结构，该芯片结构包括：基板底面金属层、键合基板、键合及光反射金属层、绝缘介质层、下电极、下掺杂层、非掺杂发光层、上掺杂层、粗化面、上欧姆接触层、上电极，特征是：上电极与下电极呈交错排列，上掺杂层的厚度大于下掺杂层的厚度。上掺杂层的厚度与下掺杂层的厚度之比r满足2≤r≤6，两个相邻上电极的分支间距w满足50微米≤w≤120微米。本发明能够使芯片上掺杂层和下掺杂层注入的载流子最大限度地在上电极对应的非掺杂发光区之外产生辐射复合发光，可以减少光传输到上电极下方区域的几率，从而减少上电极的光遮挡效应，可有效提高薄膜LED芯片的电光转换效率。
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公开(公告)号：CN107068818A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106784190A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611224132.8
申请日：2016-12-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法，该GaN基LED的结构包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、n型层、量子阱层和p型层，在n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层，厚度为2─20μm，C元素掺杂浓度为1×1019─1×1021cm‑3；量子阱层通电时发射蓝光，量子阱层所发射的蓝光激发GaN黄带发光层发射黄光，蓝光和黄光可混合成不同颜色的光。通过调节输入电流的大小，来调制量子阱层发射的蓝光与GaN黄带发光层发射的黄光的配比，从而可获得不同颜色的光，包括黄光、白光和蓝光。这种LED可发射包含白光在内的多种颜色的光，光的颜色可轻松变换，易于实现复杂的照明效果，或用于光通信领域。
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公开(公告)号：CN104815805A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510120826.6
申请日：2015-03-19
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片的自动筛选系统和筛选方法，特别适用于筛除在光电参数测试后的加工过程中所产生的正向漏电不良的LED芯片。该自动筛选系统包括自动载物台、荧光显微镜、光学检测机和芯片拾取装置，自动载物台可在计算机的控制下沿XYZ轴运动，具有承载LED芯片、自动切换检测对象和自动聚焦的功能，光学检测机用以采集、显示和分析LED芯片的荧光图像，正常LED芯片和正向漏电流不良LED芯片会出现不同的荧光强度和颜色差异，据此光学检测机可判断LED芯片是否合格并输出相关信息，芯片拾取装置用以完成LED芯片的筛除工作。该筛选系统和筛选方法可自动检测并筛除正向漏电不合格的LED芯片，且该筛选系统及筛选方法无需接触LED芯片，不会给芯片造成二次损伤。
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公开(公告)号：CN104646314A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510051000.9
申请日：2015-02-02
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯粒的筛选方法，特别适用于筛除在光电参数测试后的加工过程中（包括衬底减薄、晶圆切割以及自动分选等）所产生的正向漏电不良的LED芯粒。它通过激发光源和激发滤光片获得固定波段的激发光照射在待测LED芯粒上，然后通过阻断滤光片和光学显微镜观察分析LED芯粒的荧光图像的强度和颜色分布，正常LED芯粒和正向漏电流不良LED芯粒会出现不同的荧光强度和颜色差异，从而可筛除不合格LED的芯粒。这种方法直观、方便、分辨率高、成本低，且无需接触LED芯粒，不会造成芯粒的二次损伤。
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公开(公告)号：CN103938177A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410189925.5
申请日：2014-05-07
申请人： 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种可用氯气在线清洗的非钎焊MOCVD喷头，这种喷头用电火花加工成型的喷气缝代替传统粗糙的拉制不锈钢毛细管喷管，因此有较少的表面积，能减少外延记忆效应。由于喷头非钎焊，所以能使用氯气在线清洗，从而提高了MOCVD的生产效率，拓展了其应用范围。这种喷头制作简单，可靠性高，今后运行费用低。
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公开(公告)号：CN103647005A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310640524.2
申请日：2013-12-04
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L21/02005 , B28D5/0005 , H01L33/0066 , H01L33/20
摘要： 本发明公开了一种用于AlGaInN材料体系薄膜生长的分割图形蓝宝石衬底，包括蓝宝石衬底本体，图形分割槽将蓝宝石衬底本体的上表面分割成多个相互独立的重复的图形单元，图形单元为AlGaInN材料的生长平台。蓝宝石衬底本体为平面蓝宝石衬底本体或图形蓝宝石衬底本体。图形分割槽为沟槽型图形分割槽或第二介质型图形分割槽。本发明的分割图形衬底是通过沟槽或第二介质将蓝宝石衬底分割成一个个相互独立的、互不相连的图形单元。这种被分割开来的AlGaInN外延薄膜能大大提升LED的波长均匀性，提高LED外延片的良率，并大大降低AlGaInN外延薄膜与蓝宝石衬底之间由于激光剥离带来的巨大热应力以及热冲击，可大大提升激光剥离的合格率，提升蓝宝石衬底垂直结构LED芯片的良率。
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公开(公告)号：CN109360880A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811234462.4
申请日：2018-10-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本发明还公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料的制备方法。通过本发明可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。
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