公开(公告)号：CN2699481Y

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200420050744.6

申请日：2004-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志维 ,  王美匀

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

Abstract: 本实用新型提供了一种新的微小线宽金属硅化物结构，其包括：一基底；二柱状间隔物，设置于基底表面；一硅层，设置于上述柱状间隔物表面且填满两柱状间隔物的间隔区域；以及一金属硅化物层，设置于所述硅层表面。

公开(公告)号：CN220172124U

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202321174513.5

申请日：2023-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵翊翔 ,  张淑兰 ,  陈靖怡 ,  叶士维 ,  张佩珊 ,  郑雅忆 ,  葛于臣 ,  王毓萱 ,  黄俊贤 ,  许宏彰 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  林威戎

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置，包括由介电材料的多个侧壁所划定的凹洞；一导电结构，接壤(bordering)于该凹洞的底部；一层或多层材料，于该凹洞中且直接位于该导电结构上及直接位于该介电材料的该侧壁上，其中所述一层或多层材料包括阻障金属；及导电插塞，于该凹洞中且直接位于所述一层或多层材料上且直接位于该介电材料的该侧壁上。