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公开(公告)号：CN115841991A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210739677.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本申请提供了晶体管源极/漏极接触件及其形成方法。一种方法包括：在源极/漏极区域之上沉积层间电介质(ILD)；形成贯通ILD的接触开口，其中，接触开口暴露源极/漏极区域；在被暴露的源极/漏极区域上形成金属‑半导体合金区域；在金属‑半导体合金区域上沉积第一导电材料层；沿着接触开口的侧壁以及在所述第一导电材料层之上沉积隔离材料；蚀刻隔离材料以暴露第一导电材料层，其中，在蚀刻隔离材料之后，隔离材料沿着接触开口的侧壁延伸；以及在被暴露的第一导电材料层上沉积第二导电材料层。
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公开(公告)号：CN115394717A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211159869.1
申请日：2016-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一源极/漏极特征于一基板之上；形成一介电层于源极/漏极特征之上；形成一接触沟槽穿过介电层以曝露源极/漏极特征；以一第一原子层沉积(ALD)工艺沉积一氮化钛(TiN)层于接触沟槽；以及沉积一钴层于接触沟槽中的TiN层之上。
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公开(公告)号：CN111261583A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911205552.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法，包括：移除第一电介质层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第一凹槽；在第一凹槽中形成第一导电层；移除第一导电层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第二凹槽；在第二凹槽中形成第二导电层，其中，第二导电层与第一导电层接触；在第二导电层上方形成第二电介质层；移除第二电介质层的一部分以形成由第二电介质层的侧壁限定的第三凹槽，其中，第二导电层通过第三凹槽被暴露；以及在第三凹槽中形成第三导电层，其中，第三导电层与第二导电层接触。
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公开(公告)号：CN111834297B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201910785179.9
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路器件及用于制作集成电路器件的方法。一种方法包括形成第一金属特征，在第一金属特征上方形成电介质层，蚀刻电介质层以形成开口，其中，第一金属特征的顶表面通过开口暴露，以及对第一金属特征的顶表面执行第一处理。第一处理是通过开口执行的，并且第一处理是使用第一工艺气体执行的。在第一处理之后，通过开口执行第二处理，并且第二处理是使用不同于第一工艺气体的第二工艺气体执行的。在开口中沉积第二金属特征。
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公开(公告)号：CN110224018A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810488000.9
申请日：2018-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 公开一种半导体结构。在一实施例中，结构包括具有源极/漏极区的主动区于基板上；介电层，位于主动区上并具有对准源极/漏极区的侧壁的侧壁；以及导电结构，沿着介电层的侧壁至源极/漏极区。源极/漏极区具有侧壁与自源极/漏极区的侧壁横向延伸的横向表面，且源极/漏极区还包含自源极/漏极区的侧壁横向延伸至源极/漏极区中的氮化区。导电结构包含沿着源极/漏极区的横向表面并沿着源极/漏极区的侧壁的至少一部分的硅化物区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276835A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710137094.7
申请日：2007-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/49 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/28097 , H01L21/82345 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种P型金属氧化物半导体装置及半导体装置，包括：一栅极结构，形成于一基底上，该栅极结构包括通过一栅极介电层与该基底分隔的一掺杂硼硅化金属栅电极层，其中该掺杂硼硅化金属栅电极层包括镍及铂且包括一铂高峰区，该铂高峰区邻接该栅极介电层的界面，且在该铂高峰区中铂浓度较镍浓度约大于5％。
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公开(公告)号：CN112582405B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011052596.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。示例性互连结构包括设置在介电层中的第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一源极/漏极接触件物理接触第一源极/漏极部件，并且第二源极/漏极接触件物理接触第二源极/漏极部件。具有第一通孔层配置的第一通孔、具有第二通孔层配置的第二通孔和具有第三通孔层配置的第三通孔设置在介电层中。第一通孔和第二通孔分别延伸至第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件并且物理接触第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一通孔的第一厚度和第二通孔的第二厚度相同。第三通孔物理接触栅极结构，栅极结构设置在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间。
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公开(公告)号：CN118610090A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202311539320.X
申请日：2023-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构；邻近所述栅极结构、在所述鳍之上形成源极/漏极区域；围绕所述栅极结构、在所述源极/漏极区域之上形成层间电介质(ILD)层；在所述ILD层中形成开口以暴露所述源极/漏极区域；在所述源极/漏极区域之上的所述开口中依次形成硅化物区域和阻挡层，其中，所述阻挡层包括氮化硅；降低所述阻挡层的暴露于所述开口的表面部分中的氮化硅的浓度；在进行所述降低之后，在所述阻挡层上形成晶种层；以及在所述晶种层上形成导电材料以填充所述开口。
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公开(公告)号：CN111261583B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201911205552.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法，包括：移除第一电介质层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第一凹槽；在第一凹槽中形成第一导电层；移除第一导电层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第二凹槽；在第二凹槽中形成第二导电层，其中，第二导电层与第一导电层接触；在第二导电层上方形成第二电介质层；移除第二电介质层的一部分以形成由第二电介质层的侧壁限定的第三凹槽，其中，第二导电层通过第三凹槽被暴露；以及在第三凹槽中形成第三导电层，其中，第三导电层与第二导电层接触。
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公开(公告)号：CN110718503B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910619176.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 通常地，本申请提供了涉及诸如金属接触件，通孔，线等的导电部件以及用于形成这些导电部件的方法的示例性实施例。在实例中，沿着侧壁形成阻挡层。通过湿蚀刻工艺沿着侧壁回蚀刻阻挡层的部分。在回蚀刻之后，暴露阻挡层的部分以及下面的介电焊接层。沿着阻挡层形成导电材料。本发明实施例涉及接触导电部件形成和结构。
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