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公开(公告)号：CN115528043A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210534894.7
申请日：2022-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/118
Abstract: 一种集成电路和其制造方法、以及在集成电路中的电路单元，集成电路包括在第一连接层中的多个水平导线、低于第一连接层的多个栅极导体、低于第一连接层的多个端子导体、以及导孔连接器其将多个水平导线中的一者与多个栅极导体中的一者或与多个端子导体中的一者直接地连接。集成电路也包括在高于第一连接层在第二连接层中的多个垂直导线，以及用于电路单元的多个引脚连接器。第一引脚连接器直接地连接在介于第一水平导线和在多个栅极导体中的一者的顶部上的第一垂直导线之间。第二引脚连接器直接地连接在介于第二水平导线和在电路单元的垂直边界的顶部上的第二垂直导线之间。
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公开(公告)号：CN115527938A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210677472.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括基底隔离层、第一源电极位于基底隔离层的第一侧的第一晶体管。桥柱延伸穿过基底隔离层，且金属电极将桥柱电连接至第一源电极。金属电极及第一源电极位于基底隔离层的同一侧。位于基底隔离层的相对侧的第二金属电极电连接至桥柱且电连接至位于基底隔离层的第二侧的导线。
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公开(公告)号：CN115472625A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210455846.9
申请日：2022-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/118 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 本揭示文件提供一种集成电路及其制造方法，包含一组晶体管，该组晶体管包含一组主动区、一组电轨、一第一组导体以及一第一导体。该组主动区沿着一第一方向延伸，且位于一第一层。该组电轨沿着该第一方向延伸，且位于一第二层。该组电轨具有一第一宽度。该第一组导体沿着该第一方向延伸，且位于该第二层，并与该组主动区重叠。该第一组导体具有一第二宽度。该第一导体沿着该第一方向延伸，且位于该第二层，并位于该组第一组导体之间。该第一导体具有该第一宽度，且将该组晶体管的一第一晶体管电性耦合到该组晶体管的一第二晶体管。
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公开(公告)号：CN115394720A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210470840.9
申请日：2022-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种集成电路装置和制造集成电路的方法，集成电路装置包括第一类型主动区域半导体结构、第一栅极导体、与第一类型主动区域半导体结构堆叠的第二类型主动区域半导体结构、以及第二栅极导体。集成电路装置也包括高于两个主动区域半导体结构的前侧导电层、和低于两个主动区域半导体结构的背侧导电层。集成电路装置也包括在前侧导电层中的前侧电源轨和前侧信号线、以及包括在背侧导电层中的背侧电源轨和背侧信号线。集成电路装置也包括连接到前侧电源轨的第一源极导电段、和连接到背侧电源轨的第二源极导电段。集成电路装置还包括连接到前侧信号线或者背侧信号线的漏极导电段。
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公开(公告)号：CN109585413B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201810614521.4
申请日：2018-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例是有关于一种半导体结构及其形成方法及标准单元结构，尤其是有关于形成通孔轨和深通孔结构以减少标准单元结构中的寄生电容。通孔轨结构形成在与导线不同的级中。通孔轨结构可以减少导线数量和在相同互连级上的导线之间提供较大的间距，从而减少导线之间的寄生电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114784002A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110835298.8
申请日：2021-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体单元结构及形成集成电路的方法，半导体单元结构包括在第一类型主动区域内对准的第一类型晶体管、在第二类型主动区域内对准的第二类型晶体管、第一电源轨道及第二电源轨道。第一类型主动区域及该第二类型主动区域中的每一者处于在第一方向上延伸的第一对准边界及第二对准边界之间，第一方向垂直于第二方向。第一电源轨道的长边缘与第一类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的第一距离与第二电源轨道的长边缘与第二类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的第二距离相差预定距离。
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公开(公告)号：CN111834361A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010274858.2
申请日：2020-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 具有标准单元的半导体器件包括第一电源线、第二电源线、设置在衬底上方的第一全环栅场效应晶体管(GAA FET)以及设置在第一GAA FET之上的第二GAA FET。第一电源线和第二电源线位于彼此垂直不同的层级处。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN107039525B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201610903438.X
申请日：2016-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有防止诸如电迁移的可靠性问题的通孔轨的集成电路。在一些实施例中，集成电路具有在半导体衬底上方布置的多个第一导电接触件。在多个第一导电接触件上方布置第一金属互连引线，且在第一金属互连引线上方布置第二金属互连引线。通孔轨布置在第一金属互连引线上方且电连接第一金属互连引线和第二金属互连引线。通孔轨具有在多个导电接触件的两个或多个上方连续延伸的长度。通孔轨的长度在第一金属互连引线和第二金属互连引线之间且沿着通孔轨的长度提供了增加的横截面积，从而减轻集成电路内的电迁移。本发明实施例涉及用于高功率电迁移的通孔轨解决方案。
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公开(公告)号：CN107146782B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710114441.8
申请日：2017-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体结构，该半导体结构包含有源区、第一导电线、导电通孔、通过导电通孔与导电线连接的第一导电金属段、设置在有源区的上方的第二导电金属段以及被配置为连接第一导电金属段和第二导电金属段的局部导电段。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法，更具体地涉及用于标准单元的中段制程带。
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公开(公告)号：CN108735705A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201711077497.7
申请日：2017-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 一种半导体装置或结构包括第一图案金属层，所述第一图案金属层设置在第一供电金属区与第二供电金属区之间，所述第一图案金属层包括内部路线及电源路线。跟随引脚将第一供电金属区耦合到电源路线。第二供电金属区比第一供电金属区宽。第一供电金属区具有与第一图案金属层实质上相同的厚度。第一供电金属区包含第一金属且跟随引脚包含第二金属。
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