一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法

    公开(公告)号:CN115044973B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202210673216.9

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法,本发明是为了解决现有CVD制备金刚石内杂质原子浓度过高,色心转换效率过低的问题。金刚石表面金属阵列外延生长方法:一、清洗;二、采用光刻工艺在金刚石基底上沉积复合金属膜,复合金属膜呈间隔的条纹状;三、将带有复合金属膜的金刚石放入CVD生长舱体内,启动微波发生器,升高气压和功率,使金刚石表面温度达到700~1000℃,通入甲烷和掺杂元素气体,进行外延生长。本发明通过在金刚石表面沉积金属图案,通过CVD原位沉积横向外延生长,工艺流程简单,制备得到了高杂质转换率、高荧光强度色心的样品,从而有效提升色心的自旋相干性能。

    一种金刚石电烙铁及其制备方法

    公开(公告)号:CN116352210A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310479228.2

    申请日:2023-04-28

    Abstract: 一种金刚石电烙铁及其制备方法,本发明要解决现有金属制烙铁头容易在高温下产生氧化、不沾锡、被酸性助焊剂腐蚀等问题。金刚石电烙铁的制备方法:一、将金刚石块件放置在激光切割机样品台上,用激光将金刚石块件切割成条状;二、再用激光将烙铁头基体的一端切割成多棱锥状,作为电烙铁头的接触端;三、使用磨床将烙铁头基体接触端的尖棱锥磨出圆角;四、在烙铁头基体表面镀上钛膜或钨膜,然后在惰性气氛下以600~900℃原位退火处理;五、将金属化后的烙铁头基体与热单元和外壳装配组装。本发明通过使用金刚石制备电烙铁头,使电烙铁头具有抗腐蚀抗氧化、导热快热效应高、超高硬度抗磨损、易沾锡、绝缘无电感、不损伤电子元器件等优点。

    一种法向加载薄板微拉伸试验装置

    公开(公告)号:CN116008071A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211576426.2

    申请日:2022-12-09

    Abstract: 本发明提供了一种法向加载薄板微拉伸试验装置,其解决了现有试验装置采用螺杆机械施压,无法灵活改变法向压力大小的技术问题,其压力加载装置设有固定板框、左压力加载装置、右压力加载装置、导向装置;左压力加载装置设有左电动推杆,其左端与固定板框连接,左电动推杆、第一推板、左压头加载装置从左向右连接;右压力加载装置设有右电动推杆,其右端与固定板框连接,右电动推杆、第二推板、氮气弹簧、第三推板、压力传感器、第四推板、右压头加载装置从右向左连接;左压头加载装置与右压头加载装置正对间隔设置;导向装置设有导杆,导杆分别贯穿并与第一推板、第二推板、第三推板、第四推板滑动连接,可广泛应用于薄板力学性能测试技术领域。

    一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法

    公开(公告)号:CN115044973A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210673216.9

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法,本发明是为了解决现有CVD制备金刚石内杂质原子浓度过高,色心转换效率过低的问题。金刚石表面金属阵列外延生长方法:一、清洗;二、采用光刻工艺在金刚石基底上沉积复合金属膜,复合金属膜呈间隔的条纹状;三、将带有复合金属膜的金刚石放入CVD生长舱体内,启动微波发生器,升高气压和功率,使金刚石表面温度达到700~1000℃,通入甲烷和掺杂元素气体,进行外延生长。本发明通过在金刚石表面沉积金属图案,通过CVD原位沉积横向外延生长,工艺流程简单,制备得到了高杂质转换率、高荧光强度色心的样品,从而有效提升色心的自旋相干性能。

    一种高导热微型器件的制备方法

    公开(公告)号:CN114103125B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202111160572.2

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本申请提供了一种高导热微型器件的制备方法,其解决了现有微型器件导热性不理想的技术问题;包括:(1)根据器件尺寸和微结构定制化设计3D打印模型,并将3D打印模型导入3D打印机中,设置打印参数;(2)将3D打印浆料加入3D打印机中进行打印,获得导热器件模型;(3)将导热器件模型置于紫外灯下进行光固化反应,固化时间为10‑60分钟;(4)将步骤(3)得到的导热器件模型在室温条件下干燥24h;(5)将步骤(4)得到的导热器件模型放到水热反应釜中进行水热反应;(6)将步骤(5)得到的导热器件模型浸入高分子溶液中进行浸渍处理,取出后吸干表面的高分子,干燥后获得导热器件。本申请广泛应用于微型电子器件制作技术领域。

    一种在Mo衬底上制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法

    公开(公告)号:CN114657533A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210360654.X

    申请日:2022-04-07

    Abstract: 一种在Mo衬底上制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法,本发明是为了解决现有以金属衬底,采用CVD法制备纳米金刚石得到的纳米金刚石数量少、形状不规则的问题。制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法:一、清洗Mo片及Mo托;二、将Mo片放置在MPCVD装置的沉积系统腔体内,Mo托放置在Mo片上,抽真空后通入H2和CH4,调节微波功率,进行气相沉积,得到带有纳米金刚石的Mo片;三、关闭沉积系统,冷却后将带有纳米金刚石的Mo片放入去离子水中超声,得到纳米金刚石分散液。本发明通过Mo托将等离子体位置提高,使等离子体边缘远离Mo片,减小H等离子体刻蚀,在Mo衬底上制备得到了具有规则晶型的纳米金刚石颗粒。

    利用铁催化作用在本征金刚石表面制备欧姆接触的方法

    公开(公告)号:CN114628249A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202210258284.9

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 利用铁催化作用在本征金刚石表面制备欧姆接触的方法,本发明解决半导体器件在金属‑半导体接触处会产生较大的能量损耗等问题。制备欧姆接触的方法:在清洗后的金刚石上匀胶处理,再进行光刻处理,然后在光刻后的金刚石表面磁控溅射沉积Fe层,经过清洗去胶,将表面镀制有铁的金刚石置于石英管中密封,石英管内充有保护气体,然后转移至管式炉中,在800~950℃下退火处理,在本征金刚石表面制备欧姆接触。本发明通过控制退火温度和时间获得最小的接触电阻率,极大提高了导电性能,触点结合性能较好可以长时稳定的工作,由于Fe的存在引线难度降低易于表面形成机械稳定的接触,降低了表面整体石墨化的温度,简化了制备流程。

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