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公开(公告)号：CN101838262A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010145971.7
申请日：2010-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D403/12 , C07D403/14 , C07D413/12 , C07D413/14 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L27/32
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D403/12 , C07D403/14 , C07D413/12 , H01L27/3209 , H01L27/3283 , H01L51/0061 , H01L51/007 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H05B33/20
Abstract: 本发明的课题在于：提供激发能大的物质，特别是具有比发射可见光的磷光化合物的三重激发能宽的能隙的化合物；提供具有双极性的化合物；提高发光元件的元件特性；以及提供耗电量少且驱动电压低的发光装置及电子设备。本发明提供：在同一分子中包括具有电子传输性的杂芳环的噁二唑骨架或喹喔啉骨架和具有空穴传输性的咔唑骨架的具有杂芳环的咔唑衍生物；将所述具有杂芳环的咔唑衍生物用于发光层或载流子传输层的发光元件；以及应用所述发光元件的发光装置及电子设备。
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公开(公告)号：CN101814583A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910223199.3
申请日：2009-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0085 , H01L51/009 , H01L51/5036 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置及电子设备。因为被人眼感知为优质的红色的光的波长为620nm附近的波长，所以本发明的课题在于提供于620nm附近具有发射光的峰值的发光元件。此外，本发明的课题还在于提供可获得光视效率高的红色的发射光的发光元件。本发明提供将以下述通式(G1)表示的有机金属配合物用作客体材料并将低分子化合物用作主体材料而形成的发光元件、发光装置、电子设备。
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公开(公告)号：CN101812057A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010119727.3
申请日：2010-02-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D413/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H05B33/14 , C07D413/10 , C09K11/06 , C09K2211/1048 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/5016 , H05B33/20
Abstract: 本发明涉及噁二唑衍生物、使用噁二唑衍生物的发光元件及发光装置。目的之一在于提供一种新的噁二唑衍生物作为激发能大的物质，尤其是三重激发能大的物质或者提供具有双极性的新的噁二唑衍生物。目的之一在于提供一种通式(G1)所表示的噁二唑衍生物。在通式中，R1及R2分别表示氢原子、碳数为1至4的烷基或者取代或未取代的碳数为6至10的芳基。但是，R1及R2中的至少一方表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基。此外，Ar1表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基。
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公开(公告)号：CN101615623A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910164150.5
申请日：2006-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/11286 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/13 , H01L27/285 , H01L51/0042 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/0533
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种存储器电路、非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置，其中在制造过程之后可以将数据添加到存储装置，并且可以防止因重写导致的伪造等现象。本发明的另一个目的是提供一种具有高可靠性且廉价的非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置。一种存储元件包括第一导电层、第二导电层、厚度大于等于0.1纳米且小于等于4纳米且与该第一导电层接触的第一绝缘层，以及夹在该第一导电层、第一绝缘层和第二导电层之间的有机化合物层。
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公开(公告)号：CN101541916A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044338.5
申请日：2007-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L2251/5384 , H01L2251/552
Abstract: 本发明可提供具有高发射效率和长寿命的发光元件。通过形成包括发光元件的发光装置，可提供具有低功率消耗和长寿命的发光装置。发光装置包括发光元件，发光元件在第一电极和第二电极之间包括发光层。发光层包括具有空穴传输性质的第一有机化合物、具有电子传输性质的第二有机化合物和有机金属络合物。有机金属络合物的中心金属为属于第9族和第10族之一的元素，并且有机金属络合物的配位体为具有吡嗪骨架的配位体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101321773A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045339.7
申请日：2006-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07F15/00 , C07D241/12 , C07D241/18 , C07D241/24 , C07D471/06 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: C09K11/06 , C07F15/0033 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H05B33/14
Abstract: 合成了具有由通式(G1)表示的结构的有机金属配合物并应用于发光元件。在该通式中，R1代表含1－4个碳原子的烷基、含1－4个碳原子的烷氧基或含1－5个碳原子的烷氧基羰基；R2和R3各自表示氢或1－4个碳原子的烷基；Ar代表含6－25个碳原子的亚芳基；M是选自第9族元素和第10族元素的中心金属。
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公开(公告)号：CN101263126A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033318.3
申请日：2006-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D241/42 , H01L51/50
CPC classification number: C07D241/42 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L27/3244 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L2251/5323 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种通式(1)表示的喹喔啉衍生物。式(1)中R1至R12各代表氢原子，卤原子，烷基，烷氧基，酰基，二烷基氨基，二芳基氨基，取代的或未取代的乙烯基，取代的或未取代的芳基，取代的或未取代的杂环基。Ar1代表取代的或未取代的联苯基和取代的或未取代的三联苯基；Ar2代表取代的或未取代的苯基，取代的或未取代的联苯基，取代的或未取代的三联苯基，以及取代的或未取代的单环杂环基。
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公开(公告)号：CN101253150A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680032170.1
申请日：2006-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供具有优异的发光效率的新型材料，包含该新型材料的发光元件，以及使用该发光元件的发光装置。本发明提供了由以右通式(1)表示的蒽衍生物。
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公开(公告)号：CN101223138A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680025758.4
申请日：2006-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 目的是提供咔唑衍生物，该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中，R1表示选自以下基团中的任一个：含1－4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基，和含1－12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。
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公开(公告)号：CN101219959A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710307375.2
申请日：2007-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/61 , C07D209/86 , H01L51/54
CPC classification number: C07D209/86 , C07C211/54 , C07C211/58 , C07C211/61 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/94 , C09K11/06 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的在于提供新的蒽衍生物。另外，本发明的目的在于提供发光效率高的发光元件。另外，本发明的目的在于提供使用寿命长的发光元件。另外，本发明的目的在于通过使用这些发光元件来提供使用寿命长的发光装置及电子设备。本发明提供由通式(1)表示的蒽衍生物。另外，由通式(1)表示的蒽衍生物由于具有高发光效率，所以通过将该蒽衍生物用于发光元件，可以获得发光效率高的发光元件。另外，通过将由通式(1)表示的蒽衍生物用于发光元件，可以获得使用寿命长的发光元件。
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