-
公开(公告)号:CN104756224B
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201380043992.X
申请日:2013-10-30
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/304 , H01J37/317
CPC分类号: H01L22/26 , C23C14/48 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种离子注入系统,该离子注入系统具有配置成向工件提供聚点离子束的离子注入设备,该聚点离子束具有与其相关的射束密度,其中该工件具有与其相关的晶体结构。扫描系统沿一轴或多轴相对于彼此地反复扫描聚点离子束与工件中的一个或多个。还提供控制器,该控制器配置成在工件上的预定位置暴露于聚点离子束时确立工件的预定局部温度。由此在该预定位置获得工件晶体结构的预定局部失序,其中控制器配置成控制聚点离子束的射束密度以及与扫描系统相关的占空比中的一个或多个,从而在工件上的预定位置确立该工件的局部温度。
-
公开(公告)号:CN107223282A
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201580066523.9
申请日:2015-10-14
申请人: 约翰·安德鲁·亨特 , 史蒂文·托马斯·科伊尔 , 迈克尔·帕特里克·哈塞尔希勒 , 塞及·C·霍斯曼
发明人: 约翰·安德鲁·亨特 , 史蒂文·托马斯·科伊尔 , 迈克尔·帕特里克·哈塞尔希勒 , 塞及·C·霍斯曼
IPC分类号: H01J37/08 , H01J37/24 , H01J37/304 , H01J37/305 , H01J37/317 , G01N1/44
CPC分类号: H01J37/243 , G01N1/44 , H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/304 , H01J37/305 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J2237/081 , H01J2237/24514 , H01J2237/24535 , H01J2237/30483 , H01J2237/31 , H01J2237/3151 , H01J2237/316
摘要: 用于离子束样本制备和镀覆的装置中测定、使用和指示离子束工作性能的方法和装置。束探针可用于测量离子束一个部分的一种或多种工作特性,生成与一种或多种工作特性存在已知关系的探针信号。该束探针可生成与达到样本的喷镀涂层的一种或多种特性存在已知关系的信号。离子束装置可与从束探针处接收到的信号响应,调制一种或多种离子束特性。探针信号可用于离子束装置中,指示一种或多种离子束工作特性。相关装置和方法还可测量探针信号与离子束工作特性之间的已知关系。
-
公开(公告)号:CN107204270A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201710127429.0
申请日:2017-03-06
申请人: 住友重机械离子技术有限公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/304
摘要: 本发明提供一种离子注入装置及扫描波形制作方法,其课题为在衬底表面准确地实现不均匀的二维离子注入量分布。本发明的离子注入装置(10)具备:射束扫描仪(26),沿射束扫描方向提供往复射束扫描;第2射束测量部(50),在射束扫描仪(26)的下游测量射束扫描方向的射束电流强度分布;及控制装置(60)。控制装置(60)具备扫描波形制作部,所述扫描波形制作部判断在给定的扫描波形的基础上通过第2射束测量部(50)测量的测量射束电流强度分布是否适合目标不均匀剂量分布,当适合时,将给定的扫描波形与目标不均匀剂量分布建立对应关联。
-
公开(公告)号:CN107112184A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201580070384.7
申请日:2015-12-28
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/30 , H01J37/304 , H01J37/317
摘要: 本发明提供一种通过确定优化扫描宽度来改善混合式扫描注入机的生产率的方法。本发明还提供一种调谐经扫描离子束的方法,其中,确定期望束电流,用以利用期望特性来注入工件。利用设置法拉第杯来调谐所述经扫描射束。使用设置法拉第杯的时间信号来调整扫描宽度,以获得最佳扫描宽度。针对与期望剂量相对应的期望通量值来调谐光学器件。当获得期望通量值时,控制通量分布的均匀性。进一步测量离子束的角度分布。
-
公开(公告)号:CN103098167B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180012345.3
申请日:2011-03-04
申请人: 艾克塞利斯科技公司
发明人: 佐藤秀
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/147 , H01J37/304
CPC分类号: H01J37/3171 , H01J37/1472 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/24507 , H01J2237/30455 , H01J2237/30483 , H01J2237/31703
摘要: 本发明提供一种用于改进经历沿着束线的压力增加的离子束的注入均匀性的方法及装置。该方法包括产生以基本上恒定的速度横越工件来移动离子束的主扫描波形。也产生具有固定高度和波形的补偿波形(例如,二次波形),且将该补偿波形与主扫描波形混合(例如,通过可变混频器)以形成束扫描波形。可通过瞬时真空压力信号来调节混合比率,与连续修改扫描波形相比较,该调节可以以高很多的速度执行且更简单。该混合提供包括非恒定斜率的束扫描波形,该非恒定斜率在离子束横越工件移动时改变离子束的速度。因此,具有非恒定斜率的所获得的束扫描波形能够解决沿着快速扫描方向的剂量中的压力非均匀性问题。
-
公开(公告)号:CN102623289B
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201210018367.7
申请日:2012-01-19
申请人: 汉辰科技股份有限公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/304
CPC分类号: H01J37/3171 , H01J2237/304 , H01J2237/31703
摘要: 本发明是有关于一种决定用以控制工件离子植入的相对扫描速度,要选择使用离子植入设备的离子束,扫描实际工件的相对速度分布特性,首先,模拟一虚拟工件的植入状况。基于一离子束分布特性与一相对速度分布特性,计算虚拟工件上的剂量分布。然后,基于所计算的剂量分布与用于计算该剂量分布的相对速度分布特性,决定一新相对速度分布特性。然后,使用该新相对速度分布特性,计算一新剂量分布。反复决定新相对速度分布特性与计算相应的新剂量分布,直到新剂量分布符合一个或多个预定标准。当新剂量分布符合一个或多个预定标准时,储存新相对速度分布特性作为选定相对速度分布特性。
-
公开(公告)号:CN102800550B
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201210067360.4
申请日:2012-03-14
申请人: 日新离子机器株式会社
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/304
摘要: 本发明提供离子注入装置,其包括质量分离磁铁,即使在伴随基板尺寸的大型化,带状离子束的长度方向的尺寸增大的情况下,与以往的技术相比,该质量分离磁铁的耗电量小、磁极间的磁场分布均匀且尺寸小。离子注入装置包括:离子源,生成带状离子束;质量分离磁铁,具有一对磁极,该一对磁极隔着离子束的主平面相对设置,通过在磁极之间产生的磁场,使离子束的行进方向在离子束的长度方向上偏转;分析狭缝,使包含所希望的离子种类的离子束通过;处理室,配置有基板,通过分析狭缝后的离子束照射到该基板上。在磁极之间产生的磁场的方向倾斜地横穿通过质量分离磁铁内部的离子束的主平面。
-
公开(公告)号:CN103000481B
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201210191876.X
申请日:2012-06-11
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/304
CPC分类号: H01L22/10 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703 , H01L21/265
摘要: 一种监测晶圆离子分布的装置,包括第一传感器和第二传感器。第一传感器、第二传感器和晶圆置于均匀的离子注入流轮廓的有效区域内。控制器基于来自第一传感器和第二传感器的感测信号确定晶圆的每个区域的离子剂量。此外,控制器调节离子束的扫描频率或晶圆的移动速度以实现晶圆上的离子均匀分布。本发明还提供了一种离子注入监测装置。
-
公开(公告)号:CN102394209B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201110252293.9
申请日:2009-11-02
申请人: FEI公司
发明人: R.J.杨 , B.彼得森 , M.莫里亚蒂 , R.J.P.G.尚珀斯
IPC分类号: H01J37/305 , H01J37/304 , G01N1/28
CPC分类号: H01J37/3056 , G01N1/286 , H01J37/304 , H01J2237/24455 , H01J2237/30466 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 本发明涉及样本厚度的测量和终点确定。一种用于TEM样本产生的改进的方法。SEM-STEM检测器在双射束FIB/SEM中的使用允许使用FIB对样本进行薄化,同时使用STEM信号来监视样本厚度。本发明的优选实施例能够通过使用可再现且适合于自动化的精确终点检测方法来测量S/TEM样本的厚度或产生S/TEM样本。优选实施例还使得能够在TEM薄片产生过程中进行自动终点确定,并在手动薄化期间为用户提供关于样本厚度的直接反馈。本发明的优选实施例因此提供用于确定样本薄化的缺点的改进方法和将部分地或完全地使终点确定自动化以提高TEM样本产生的生产量和可再现性的方法。
-
公开(公告)号:CN102282642B
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201080004718.8
申请日:2010-04-20
申请人: KHS有限责任公司
IPC分类号: H01J37/244 , H01J37/304 , H01J33/02 , B65B55/08 , A61L2/08
CPC分类号: H01J37/244 , A61L2/087 , H01J37/304 , H01J2237/164 , H01J2237/2441 , H01J2237/24507
摘要: 所述方法和装置用于监测电子束的强度。为了探测所述电子束强度的变化,探测和评估所述电子束直接或间接产生的电磁辐射。这尤其是指紫外线辐射和/或可见光范围内的辐射。
-
-
-
-
-
-
-
-
-