公开(公告)号：CN112909102A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110065123.3

申请日：2021-01-18

申请人： 中山德华芯片技术有限公司

发明人： 杨文奕 ,  何键华 ,  黄嘉敬 ,  杜伟 ,  胡丹

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。一种太阳能电池，其特征在于，包括柔性衬底(1)；置于柔性衬底(1)表面的粘结层(2)；设置于粘结层(2)表面的背金属层(3)；设置于背金属层(3)表面的电池材料层(4)；等间隔设置于电池材料层(4)表面的正面电极层(5)；设置于背金属层(3)表面的截止层(6)，且截止层(6)与电池材料层(4)相邻；嵌设于截止层(6)中的背电极(7)；设置于正面电极层(5)之外的电池材料层(4)表面，以及背电极(7)之外的截止层(6)表面的减反膜层(8)。本发明提供的太阳能电池制备方法，成本低、良率高、功重比高。

公开(公告)号：CN112838136A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011614322.7

申请日：2020-12-31

申请人： 中北大学

发明人： 王俊强 ,  武晨阳 ,  刘丽丽 ,  李孟委

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/109

摘要： 本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种石墨烯超带宽光电探测器，包括衬底层、绝缘隔离层、谐振腔波导结构和异质结，所述衬底层上设置有谐振腔波导结构，所述谐振腔波导结构上设置有绝缘隔离层，所述绝缘隔离层上设置有异质结。本发明将石墨烯与二氧化钛结合形成异质结，将石墨烯能探测红光到可见光的特性与二氧化钛材料能吸收紫光的材料特性相结合，使光电探测器的光谱响应包含红外到可见光甚至到紫光的区域，且石墨烯本身的高载流子迁移率等特性也可以提高探测器的光响应度和光增益。

公开(公告)号：CN110473927B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201910433678.1

申请日：2019-05-23

申请人： 中国计量大学

发明人： 李灵惠 ,  陈达 ,  秦来顺 ,  黄岳祥 ,  梁俊辉

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜（Cu2O/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过对电化学沉积制备的CuSCN光电薄膜进行一定时间下的碱液浸泡处理，促使CuSCN原位反应生成Cu2O，实现了原位构建Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜，在较大程度上解决了CuSCN光电薄膜光生载流子迁移率较低和复合率较高等问题，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN112735945A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202110141383.4

申请日：2021-02-02

申请人： 河南大学

发明人： 董琛 ,  徐冰洁 ,  刘冬梅 ,  刘荣 ,  谭付瑞

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种氯化亚锡掺杂的无机钙钛矿薄膜、其制备方法及应用，属于新能源材料技术领域。针对现有技术存在的无法获得高湿环境下相结构稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的问题，本发明提出了一种亚锡离子（Sn2+）和氯离子（Cl−）共同掺杂CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的方法，通过在钙钛矿前驱体溶液中加入一定量的SnCl2无机盐，再利用反溶剂旋涂法便可制得晶粒尺寸减小、薄膜应力增强、立方相结构更加稳固的CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜。该方法能够在保持CsPbI2Br材料光电性能的基础上，实现其在湿气环境下相结构稳定性的显著改善。该方法操作简单、效果明显，将其应用于无机钙钛矿太阳能电池可以有效提高器件的耐久性。

公开(公告)号：CN112635587A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011629182.0

申请日：2020-12-30

申请人： 杭州紫芯光电有限公司

发明人： 王顺利 ,  陶江伟 ,  张丽滢 ,  徐金阳 ,  郭道友 ,  常裕鑫

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及一种基于TiO2/Ga2O3纳米相结的柔性日盲紫外探测器及其制备方法，探测器包括Ag上电极，柔性钛片下电极，位于所述Ag上电极和所述柔性钛片下电极之间的TiO2/α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列和石墨烯/Ag纳米线复合电极，其中，柔性钛片作为柔性钛片衬底；所述TiO2/α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列包括位于所述柔性钛片衬底上TiO2层，位于所述TiO2层上的α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列，所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列包括若干间隔设置的α/β‑Ga2O3相结纳米柱；所述石墨烯/Ag纳米线复合电极位于所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱背离所述TiO2层一端，所述Ag上电极部分覆盖所述石墨烯/Ag纳米线复合电极。本发明的多异质结结构日盲紫外探测器，日盲特性稳定，具有优异的化学和热稳定性，有望在可穿戴、便捷式的紫外探测器领域广泛应用。

公开(公告)号：CN112563118A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011526666.2

申请日：2020-12-22

申请人： 河南大学

发明人： 周正基 ,  袁胜杰 ,  武四新 ,  常倩倩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供了一种In掺杂CdS薄膜、制备方法及制备的CIGS电池，步骤如下：（1）制备CIGS吸收层薄膜；（2）向硝酸镉溶液中加入氨水和硫脲溶液，混合后加入步骤（1）制备得到的CIGS吸收层薄膜，水浴加热；（3）将In(NO3)3溶液加入恒压漏斗中，稀释后逐滴滴加到水热溶液中，控制滴加速度为4 s每滴；（4）滴加完毕后，得到In掺杂CdS薄膜。本发明通过在CdS缓冲层过程中连续滴加In(NO3)3溶液，通过调节溶液中In离子的浓度和滴加速度，控制缓冲层中In、Cd的比例，制备了平整致密的In掺杂CdS薄膜。用In掺杂CdS薄膜做缓冲层的CIGS电池光电转换效率由13.43%提高到16.39%。

公开(公告)号：CN112466992A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011292895.2

申请日：2020-11-18

申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所

发明人： 王经纬 ,  刘铭 ,  宁提 ,  谭振 ,  王成刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0392

摘要： 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基衬底层依次进行除气处理和束流校正；在束流校正后的硅基衬底层上外延生长碲化镉复合衬底层；在碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲化镉导电层；在p型掺杂高电导率碲化镉导电层上外延生长碲镉汞吸收层。碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基衬底层；碲化镉复合衬底层，层叠设置于硅基衬底层上；p型掺杂高电导率碲化镉导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲化镉导电层上。采用本发明，可以有效提升红外焦平面探测器芯片的均匀性指标。

公开(公告)号：CN112382688A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011106989.6

申请日：2020-10-16

申请人： 华南师范大学

发明人： 尹以安 ,  李佳霖

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于光电探测器的技术领域，具体涉及一种基于柔性的氧化镓/氮化镓结构的光电探测器及制备方法。所述光电探测器的结构为依次排布的电极、柔性衬底、p‑GaN层、GaN层、n型β‑Ga2O3层以及电极；所述n型β‑Ga2O3层为利用Si掺杂得到，其一表面为微纳倒梯形结构，所述为微纳倒梯形结构为经过光刻和湿法刻蚀等形成多个倒梯形结构紧密排布形成，所采用的柔性导电衬底，可应用于便携式可穿戴紫外线检测等领域，当器件向上弯曲可使氮化镓产生压电电荷，更容易使空穴‑电子对分离且加快载流子迁移率，所采用的背照式倒梯形结构可大幅度地提高探测器的光吸收效率，使得光电探测器具有更高的灵敏度和更快的响应速度。

公开(公告)号：CN109637925B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201811557586.6

申请日：2018-12-19

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 颜涛 ,  叶宁 ,  温孟洁 ,  张六文 ,  周明奇

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0392 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/513

摘要： 本发明提供了一种氧化镁锌薄膜，镁的摩尔含量是60％至75％。本发明还提供了氧化镁锌薄膜的制备方法，包括：清洗衬底，然后将衬底导入分子束外延生长系统；对衬底进行氢气氛热清洁；对衬底进行氧气氛退火原位处理；生长氧化锌缓冲层；生长氧化镁锌薄膜。本发明的氧化镁锌薄膜为单相纤锌矿氧化镁锌，镁含量高，带隙调控范围宽，使得氧化镁锌薄膜在深紫外波段得到更好应用。

公开(公告)号：CN109817757B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201910049102.5

申请日：2019-01-18

申请人： 中国空间技术研究院

发明人： 郭楠 ,  贾怡 ,  常慧聪 ,  肖林

IPC分类号： H01L31/112 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种二硒化钨薄片/氧化锌纳米带结型场效应晶体管光电探测器及其制备方法，该光电探测器为纳米材料结型场效应晶体管光电探测器，具体是指将p型的二硒化钨(WSe2)薄片和n型的氧化锌(ZnO)纳米带接触形成p‑n结，同时WSe2薄片作为感光材料连接在顶栅电极与ZnO纳米带导电沟道之间。WSe2薄片受光激发产生光生载流子形成导电通道，顶栅电压通过该导电通道施加到p‑n结处，调节ZnO纳米带中耗尽区的宽度来实现沟道电导的调节，提高器件的光增益和响应速度。