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公开(公告)号：CN110212087B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910454272.1
申请日：2019-05-29
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 一种无需外场辅助的自旋轨道扭矩器件，包括：驱动区、钉扎区一、钉扎区二、读出区，钉扎区一、读出区和钉扎区二依次排列设置，且均设置在驱动区上方。通过畴壁结构在电流驱动下的移动，实现了在没有外场条件下磁矩方向的改变。这一结构可以通过层间耦合的方式使电流驱动的磁性层与氧化物势垒层接触，因而解决了过去很多无场翻转方案无法与现有磁性存储隧道结整合的问题。同时，这一器件结构中不存在梯度结构，也更符合现有晶圆生产的实际工艺技术。
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公开(公告)号：CN110190183B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910332089.4
申请日：2019-04-24
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及一种具有从低温到室温的反常Hall效应的单晶薄膜制备方法，其中包括以下具体步骤：提供MgO基底，并将该MgO基底置于超高真空系统中；利用分子束外延技术生长Fe1+yTe薄膜于该MgO基底表面上。利用本发明所述方法可制备出高质量、超薄的铁磁薄膜，在低温与室温下都具有明显的反常霍尔效应，说明薄膜具有铁磁性的特征。
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公开(公告)号：CN111864056A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010704973.9
申请日：2020-07-21
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种In1-xAlxSb薄膜、磁阻传感元件及其制造方法，In1-xAlxSb薄膜中x的取值范围为0.05≤x≤0.15。制备方法为：将基底的温度升至350～400℃，同时加热蒸发InSb源、AlSb源，真空蒸镀制得In1-xAlxSb层，并在保护气氛下退火结晶。这种方法制得的In1-xAlxSb薄膜，具有比硅和砷化镓更高的电子迁移率，同时通过掺杂调节禁带宽度的手段，禁带宽度被调控至接近硅或者砷化镓，因此在保持InSb薄膜高电子迁移率的同时优化了温度性能。由本发明的In1-xAlxSb薄膜制得的磁阻传感元件，工作温度高于纯InSb磁阻器件，达到硅和砷化镓磁阻器件的工作温度，同时又具有比硅和砷化镓磁阻器件更高的灵敏度。磁阻传感器件制备采用蒸电极、光刻、划片、引线和分装等标准器件工艺。
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公开(公告)号：CN111733452A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010366848.1
申请日：2020-04-30
申请人： 深圳先进技术研究院
摘要： 本发明涉及柔性自支撑单晶磁性Fe3O4薄膜材料的制备方法、单晶磁性Fe3O4薄膜及其应用、单晶结构；制备方法包括如下步骤：选择晶面取向为(001)的STO基片；在STO基片上制备单晶SAO层；在单晶SAO层上制备单晶磁性Fe3O4薄膜，形成STO/SAO/Fe3O4单晶结构；将制得的STO/SAO/Fe3O4单晶结构浸泡于水中溶解单晶SAO层，STO基片与单晶磁性Fe3O4薄膜分离，制得柔性自支撑单晶磁性Fe3O4薄膜材料。柔性自支撑单晶磁性Fe3O4薄膜材料具有优异的柔性、自支撑特性，室温下饱和磁化强度大，在柔性自旋电子器件等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111725390A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910835894.9
申请日：2019-09-05
申请人： 东芝存储器株式会社
摘要： 实施方式提供包括磁阻效应元件的磁存储装置，所述磁阻效应元件设有具有优异特性的隧道势垒层。实施方式涉及的磁存储装置包括层叠构造(10)，所述层叠构造具备具有可变的磁化方向的第1磁性层(11)、具有固定了的磁化方向的第2磁性层(12)以及设在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间且含有镁(Mg)以及氧(O)的非磁性层(13)，所述非磁性层还含有从氟(F)、硫(S)、氢(H)以及锂(Li)选择的添加元素。
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公开(公告)号：CN111725389A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910732600.X
申请日：2019-08-09
申请人： 东芝存储器株式会社
摘要： 实施方式提供一种能够提高器件的特性的磁性器件。实施方式的磁性器件包括：设置于基板(80)的上方的第1磁性体(12A)；基板(80)与第1磁性体(12A)之间的第2磁性体(11A)；第1磁性体(12A)与第2磁性体(11A)之间的非磁性体(13A)；设置于基板(80)与第2磁性体(11A)之间并包括非晶层的第1层(199A)；以及设置于第1层(199A)与第2磁性体(11A)之间并包括结晶层的第2层(190A)。
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公开(公告)号：CN111647942A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010455831.3
申请日：2020-05-26
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： C30B29/02 , C30B25/18 , C30B33/02 , C30B23/02 , C23C14/30 , C23C14/18 , C23C14/58 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本发明公开了一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜，包括石墨烯层以及分别位于石墨烯层上、下表面的第二异质铁磁层和第一异质铁磁层，所述石墨烯层在第一异质铁磁层上直接外延生长得到，所述第二异质铁磁层在石墨烯层上外延生长得到。本发明还公开了前述薄膜的制备方法，本发明具有界面晶格外延特性的优点。
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公开(公告)号：CN106549101B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201610517904.0
申请日：2016-07-04
申请人： 爱思开海力士有限公司
摘要： 所公开技术的实施方式提供了包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：磁性隧道结MTJ结构，该结构包括具有可改变的磁化方向的自由层、具有钉扎的磁化方向的钉扎层以及夹在自由层与钉扎层之间的隧道阻挡层；以及下层，位于MTJ结构之下，其中，下层包括第一下层和第二下层，第一下层具有硅基合金，第二下层位于第一下层上，并且包含金属。
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公开(公告)号：CN111615756A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980007466.5
申请日：2019-01-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 公开一种磁性穿隧结(MTJ)，其中自由层(FL)与第一金属氧化物(垂直非等向性增强层)及第二金属氧化物(穿隧阻障)的第一及第二界面各别产生垂直磁非等向性(PMA)以增加热稳定性。在一些实施例中，盖层为导电金属氮化物(例如，MoN)相对于第一界面接触垂直非等向性增强层的相反表面，相较于TiN盖层，减少氧及氮的相互扩散并保持可接受的电阻面积(RA)乘积。在其他实施例中，盖层可以包括绝缘氮化物，例如AlN，其与导电金属合金以最小化RA。此外，可以在盖层与垂直非等向性增强层之间插入金属缓冲层。因此，减少电性短路并且增加磁阻比。
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公开(公告)号：CN107580729B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201680026484.4
申请日：2016-04-18
申请人： 罗切斯特大学
摘要： 本发明涉及一种用于切换纳米磁体(100)的磁化状态的基本元件，所述基本元件包括具有表面(103)的重金属条带(102)。铁磁性纳米磁体(101)邻近于所述表面(103)设置。所述铁磁性纳米磁体(101)具有第一磁化平衡状态和第二磁化平衡状态，平行和反平行与所述表面(103)的法线。所述第一磁化平衡状态或所述第二磁化平衡状态可在无外部磁场时由穿过所述重金属条带(102)的电荷流设定。还描述了一种用于切换纳米磁体的磁化状态的方法。
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