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公开(公告)号：CN111501098B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202010286084.5
申请日：2020-04-13
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 邹传巍
摘要： 本申请实施例提供一种半导体外延设备中的反应腔室，包括自上而下依次叠置的上拱顶、基座环、支撑座，所述上拱顶、基座环、支撑座配合围成所述反应腔室的反应腔，所述反应腔中设置有用于承载待加工工件的承载台，所述上拱顶包括拱顶环和透明的拱顶本体，所述拱顶本体与所述拱顶环连接，所述拱顶环叠置在所述基座环上，所述拱顶本体具备向上拱起的顶面和与所述承载台的承载面平行的底面。通过将承载面和底面设置为一对相对且相互平行的表面，使得当反应进行时，氢气等反应气体在竖直方向上的扩散程度均一，提高了平板状硅源中心处和边缘处气体浓度的一致性，增加了平板状硅源外延反应的均匀性。
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公开(公告)号：CN112144112B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011001140.2
申请日：2020-09-22
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 徐柯柯
摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和设置在工艺腔室中的承载盘，工艺腔室的内壁上具有排气口和多个进气口，多个进气口包括至少一个主进气口和至少一个副进气口，半导体工艺设备还包括工艺隔板，工艺隔板与承载盘平行设置，工艺隔板与承载盘之间形成主气流区，工艺隔板背离与承载盘的一侧形成有副气流区，主进气口与主气流区位置匹配，副进气口与副气流区位置匹配，工艺隔板上形成有至少一个沿厚度方向贯穿工艺隔板的导气孔。本发明提供的半导体工艺设备能够在避免第一工艺气体和第二工艺气体相互冲击的同时，通过导气孔精确地改变基片部分位置的外延层沉积速度，提高了外延层在基片上沉积的均匀性和基片各位置外延层沉积速率的可控性。
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公开(公告)号：CN114761627A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202180006961.1
申请日：2021-06-01
申请人： 伊尔德兹技术大学 , 伊尔德兹技术转移有限公司
发明人： 法提赫·阿克尤丽
摘要： 本发明涉及利用化学气相沉积领的低压化学气相沉积(LPCVD)法生长高质量异质外延β‑Ga2O3晶体的方法，其中所述方法包括以下工艺步骤：制备具有沿不同方向倾斜切割的六边形表面的基底，使得倾斜角在2°至10°的范围内，通过氩气将在第二区（2）中加热的镓获得的蒸气物理地输送到泵（4）/样品，用单独的陶瓷或难熔金属管将氧气驱动到系统中，并在基底上方将其直接垂直地转移到样品上，在所述表面上形成β‑Ga2O3核心层，使得生长表面上的Ga∶O表面原子的比例在10∶1至1∶10的范围内，以确保Ga和O的表面原子在加热的基板上形成β‑Ga2O3晶体，以5nm‑2000nm的厚度和10nm/h‑500nm/h的生长速率生长β‑Ga2O3的核心区域，保持在先前步骤中产生的核心层上的生长过程，使得β‑Ga2O3生长速率在100nm/h至10µm/h之间的范围内。
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公开(公告)号：CN114753002A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210460401.X
申请日：2022-04-28
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
IPC分类号： C30B25/16 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/42 , C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在低Ⅴ/Ⅲ比情况下，用MOCVD生长的本征掺杂GaAs时，会对GaAs形成C掺杂，当外圈C掺杂浓度低于内圈时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔043载气流量，使得外圈的V族源浓度相对内圈降低，从而使得外圈的掺杂浓度相对内圈升高，提高内外圈掺杂均匀性。当外圈C掺杂浓度高于内圈时，通过减小流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔043的载气流量，使得外圈的V族源浓度相对内圈升高，从而使得外圈的掺杂浓度相对内圈降低，提高内外圈掺杂均匀性，通过本发明提供方法，可以解决MOCVD生长GaAs本征掺杂的内外圈掺杂不均匀问题，提升片内该膜层的掺杂均匀性。
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公开(公告)号：CN114737254A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210648825.9
申请日：2022-06-09
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种碳化硅外延生长装置及生长工艺方法。该生长装置包括：反应模块及旋转托盘组件，反应模块内设有反应腔，旋转托盘组件配置于反应腔的底部，旋转托盘组件包括：石墨托盘及旋转支撑部，石墨托盘上设有用于放置衬底的凹陷部，凹陷部内设有环状的第一凹槽，第一凹槽被配置为衬底的边缘在石墨托盘上的投影落在第一凹槽内，石墨托盘上设有多个边缘C源气体流路，多个边缘C源气体流路沿第一凹槽的周向排布，且将第一凹槽与旋转支撑部的内腔连通，多个边缘C源气体流路将注入至旋转支撑部的内腔的C源气体引导至第一凹槽，C源气体经第一凹槽引导至衬底的边缘侧。以提高衬底的边缘侧C含量，抑制边缘N的掺杂效率，实现掺杂浓度均匀的目的。
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公开(公告)号：CN114737174A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210460389.2
申请日：2022-04-28
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/30 , C30B25/14 , C30B25/10 , C30B29/40 , C30B29/42
摘要： 本发明公开了一种能减少外延生长表面颗粒的MOCVD装置及方法，该方法包括：提供一MOCVD装置，该装置包含一传递箱，与传递箱相邻的第一反应腔，与传递箱相邻的第二反应腔，此外针对此装置，还提出了一种减少表面颗粒的材料生长方法，生长含In组分材料基片位于第一反应腔，生长不含In组分材料时，基片位于第二反应腔。使用本装置及本方法能有效减少外延片表面的颗粒，提高良品率。
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公开(公告)号：CN113638043B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110936866.3
申请日：2021-08-16
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质，其中，系统包括：冷却室，用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体；气体温度计，用于获取吹扫气体的第一温度信息；温度调节机构；测温计，用于获取外延片的第二温度信息；气体循环机构；控制器，用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却，并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温；该系统根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息，防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。
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公开(公告)号：CN114457424A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210271324.3
申请日：2022-03-18
申请人： 广州志橙半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种感应加热外延设备，包括：主腔体，主腔体连接有工艺气体进气管组；上感应加热装置、下感应加热装置，上感应加热装置包括上加热板，下感应加热装置包括下加热板，上加热板、下加热板分别覆盖在主腔体上下两侧，上加热板、下加热板外侧均设置有电磁感应加热线圈；保温及冷却装置，包括：两个保温冷却板，保温冷却板连接有冷却气体进气管组，两个保温冷却板分别设置在上加热板、下加热板外侧。本申请通过直接电磁感应加热线圈平行布置，通过电磁感应加热线圈直接加热加热装置（上加热板和下加热板），大大提高了加热效率；同时在保温层增加有较大的进气口，在冷却过程中可以加大冷却气体的流量及流速，大大减少冷却所需时间。
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公开(公告)号：CN114457419A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210049044.8
申请日：2022-01-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要： 本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法，包括：在Sb源提供的Sb束流保护下，基于GaSb衬底生长缓冲层；打开As源针阀至第一开度，将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护，其中，所述第一开度大于所需的目标开度，所述目标开度对应于所需的As束流，以及在第一开度的As束流保护氛围下浸润预设时长后，降低As针阀开度至所述目标开度；执行第一周期的InAs/GaSb超晶格生长；在所述第一周期结束前，将As源针阀开启至所述目标开度，以在As束流保护保护下，执行第二周期的InAs/GaSb超晶格生长。本公开的方法先将打开As源针阀至第一开度，并持续指定的时长，再调整至所需的目标开度，从而能够使As束流快速达到期望水平，提高InAs/GaSb超晶格的生长效率。
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公开(公告)号：CN114411247A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210072642.7
申请日：2022-01-21
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本申请提供了一种外延反应设备，涉及外延层工艺设备技术领域。外延反应设备包括传送装置及至少一反应装置；反应装置包括高温反应室、供气模组及抽气模组，高温反应室用于为晶圆提供加工时所需的环境条件，供气模组和抽气模组相对设置于高温反应室，供气模组用于供应反应气体，抽气模组用于抽取残留的气体；传送装置设置于高温反应室及与供气模组位于同一侧，传送装置用于取放晶圆。本申请提供的外延反应设备，有效解决了副产物掉落至晶圆的风险问题。另外在进行清洁维护时，省去了传送装置和供气模组分离的工序，简化工序，降低成本，操作可靠，提高了生成效率。
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