公开(公告)号：CN104685637A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380043422.0

申请日：2013-06-21

申请人： 挪威科技大学(NTNU)

发明人： H·沃曼 ,  B-O·芬兰 ,  D·C·金姆

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184

摘要： 一种物质组合物，特别是光电池，其包括：至少一个核心半导体纳米线，其在石墨衬底上，所述至少一个核心纳米线已经外延生长在所述衬底上，其中所述纳米线包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物或至少一种IV族元素；半导体壳，其围绕所述核心纳米线，所述壳包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物或至少一种IV族元素以使所述核心纳米线和所述壳分别形成n-型半导体和p-型半导体，或反之亦然；和外部导电涂层，其围绕所述壳，所述外部导电涂层形成电极触点。

公开(公告)号：CN104685637B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201380043422.0

申请日：2013-06-21

申请人： 挪威科技大学(NTNU)

发明人： H·沃曼 ,  B-O·芬兰 ,  D·C·金姆

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184

摘要： 一种物质组合物，特别是光电池，其包括：至少一个核心半导体纳米线，其在石墨衬底上，所述至少一个核心纳米线已经外延生长在所述衬底上，其中所述纳米线包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素；半导体壳，其围绕所述核心纳米线，所述壳包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素以使所述核心纳米线和所述壳分别形成n‑型半导体和p‑型半导体，或反之亦然；和外部导电涂层，其围绕所述壳，所述外部导电涂层形成电极触点。

公开(公告)号：CN113840654A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202080012915.8

申请日：2020-01-15

申请人： 挪威科技大学NTNU ,  新泰福股份有限公司 ,  昆塔菲尔公司

发明人： 陈德 ,  库马·兰詹·鲁特 ,  艾萨克·耶波亚

IPC分类号： B01J27/19 ,  C01B3/34 ,  C01B3/38 ,  C01B3/44 ,  B01J37/02 ,  B01J37/16 ,  B01J37/18 ,  B01J8/04 ,  C10G3/00

摘要： 本发明涉及用于通过使用吸附强化蒸汽重整产生的氢气进行快速加氢热解或快速热解来由生物质制备生物燃料的方法。本发明还涉及固定床串联催化改质方法，以及用于这些方法的反应器和加氢脱氧(HDO)催化剂。

公开(公告)号：CN111509039A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010356455.2

申请日：2014-06-23

申请人： 挪威科技大学(NTNU)

发明人： B-O·费姆兰 ,  D·L·戴斯 ,  H·沃曼

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/48 ,  H01L29/22 ,  C30B29/40 ,  C30B23/08 ,  H01L21/20 ,  C30B29/02 ,  H01L29/16 ,  C30B25/10 ,  H01L29/20

摘要： 本发明的题目是石墨衬底上的III-V或II-VI化合物半导体膜。包括在石墨衬底上的膜的物质组合物，所述膜在所述衬底上外延生长，其中所述膜包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物。

公开(公告)号：CN105474360A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046331.7

申请日：2014-06-23

申请人： 挪威科技大学(NTNU)

发明人： B-O·费姆兰 ,  D·L·戴斯 ,  H·沃曼

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/045 ,  H01L29/151 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22

摘要： 包括在石墨衬底上的膜的物质组合物，所述膜在所述衬底上外延生长，其中所述膜包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物。