直描式曝光装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111913363B

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202010380624.6

    申请日:2020-05-08

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 提供能够将各种尺寸的基板充分地真空吸附于工作台并且进行曝光的实用的直描式曝光装置。在形成有大量真空吸附孔(21)的工作台(2)载放基板(S)并真空吸附,在使曝光图案的光工作台(2)通过搬运系统(3)而移动并在曝光区域中通过时,通过曝光单元(1)照射曝光图案的光而曝光。与最大尺寸的基板(S)对应地形成有大量的真空吸附孔(21),薄板(71)堵塞基板(S)未堵塞的真空吸附孔(21)。薄板(71)具有吸附孔(73)或者开口(75、76),通过将薄板机构(72)定位而成为不对基板(S)的真空吸附进行阻碍的状态。薄板(71)以及薄板机构(72)安装于工作台(2),并与工作台(2)一体地移动。

    两面曝光装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109725501B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN201811284435.8

    申请日:2018-10-31

    发明人: 名古屋淳

    IPC分类号: G03F7/20 G03F9/00

    摘要: 本发明的目的是在基板的间歇进给中的停止位置的精度较低的情况下也能够以较高的精度进行校准。通过曝光单元(2)经由配置在夹着被输送系统(1)从卷拉出并间歇性地进给的基板(W)的位置处的一对第一第二掩模(3、4)将光向基板(W)照射而曝光。在曝光之前,照相机(8)对第一掩模(3)的校准标记(31)、第二掩模(4)的校准标记(41)及基板(W)的校准用开口(Wm)进行摄影,根据其摄影数据,校准机构进行校准。在来自照相机(8)的摄影数据中有校准用开口(Wm的像的缺失的情况下使基板(W)及或照相机(8)移动而将缺失消除。在摄影数据中有掩模标记(31、41)的缺失的情况下,使一对掩模(3、4)一体地移动而将缺失消除。

    光源装置、曝光装置以及光源控制方法

    公开(公告)号:CN107850850B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201680030951.0

    申请日:2016-06-02

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 公开一种能够使不同的多个波长的光以希望的光量比例出射的光源装置、具备该光源装置的曝光装置以及光源控制方法。光源装置(19)具备控制部(10),其基于第1波长特性的光与第2波长特性的光的规定的光量比例、以及从分别对利用光集聚部集聚的出射光所含的第1波长特性的光的光量与第2波长特性的光的光量进行测定的传感器输出的光量测定值,生成分别控制第1发光元件以及第2发光元件的输出的输出控制信号,并将生成的输出控制信号分别输出到第1发光元件以及第2发光元件。

    平面度测定方法以及销高度调整方法

    公开(公告)号:CN109073351B

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201880001042.3

    申请日:2018-02-21

    发明人: 金内伸朗

    IPC分类号: G01B5/28 G01C9/00

    摘要: 本发明提供能够简便地测定大量的销的上端所构成的假想面那样的面的平面度的实用的技术。在使在具有平坦的上表面以及下表面且厚度均匀的测定板(5)上安装有水平仪(6)的测定单元(4)载置在大量的销(3)中的相邻的三根销(3)上的状态下,利用水平仪(6)对正交的两个水平方向上的测定板(5)的倾斜进行测定,对各三根销(3)依次进行该步骤。在第二次以后的步骤中,重复选择此前选择过的销(3)中的一个并且针对所有的销(3)对测定板(5)的倾斜进行测定。根据测定板(5)的倾斜,将上端处于最高的位置的销(3)与上端处于最低的位置的销(3)之间的高度的差异作为平面度而计算。

    曝光装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108628106A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201810250735.8

    申请日:2018-03-26

    发明人: 名古屋淳

    IPC分类号: G03F7/20

    CPC分类号: G03F7/70733

    摘要: 提供一种可根据基板的品种进行最优化的清洁的曝光装置。在搬入手部(31)的前端经由具备伸缩机构(42)的臂(41)安装有清洁辊(4),搬入手部(31)在将基板(W)载置于台板(1)之后返回到待机位置时,一边使清洁辊(4)接触基板(W)一边水平移动,对基板(W)进行清洁。利用来自控制器(6)的输入部(64)的输入,能够将包含载置于台板(1)的基板(W)的边缘在内的、从该边缘起靠内侧的任意的位置设定为清洁开始点(Ps),控制器(6)能够避开富余地使清洁辊(4)进行清洁。

    光源装置、曝光装置以及光源控制方法

    公开(公告)号:CN107850850A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680030951.0

    申请日:2016-06-02

    IPC分类号: G03F7/20

    CPC分类号: G03F7/20

    摘要: 公开一种能够使不同的多个波长的光以希望的光量比例出射的光源装置、具备该光源装置的曝光装置以及光源控制方法。光源装置(19)具备控制部(10),其基于第1波长特性的光与第2波长特性的光的规定的光量比例、以及从分别对利用光集聚部集聚的出射光所含的第1波长特性的光的光量与第2波长特性的光的光量进行测定的传感器输出的光量测定值,生成分别控制第1发光元件以及第2发光元件的输出的输出控制信号,并将生成的输出控制信号分别输出到第1发光元件以及第2发光元件。

    曝光光学系统、曝光头以及曝光装置

    公开(公告)号:CN105074573B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201480009463.2

    申请日:2014-02-19

    发明人: 小森一树

    摘要: 提供一种具备校正成像光学系统的像差的微透镜阵列的曝光光学系统、曝光头以及曝光装置。曝光光学系统(100)包括:排列有对来自光源的光(B)进行调制的像素部(74)的空间光调制元件(34)、在平面上排列有对由所述空间光调制元件(34)调制过的光进行聚光的微透镜(64a)的微透镜阵列(64)、将通过所述空间光调制元件(34)调制过的光(B)在所述微透镜阵列(64)上成像的第1成像光学系统(52)以及将由所述微透镜阵列(64)聚光的光(B)在感光材料P上成像的第2成像光学系统(58),所述微透镜阵列(64)根据与所述第2成像光学系统(58)的光轴(58C)的距离,排列有形状不同的多个种类的微透镜(64a)。

    氧化铟锡图案曝光装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103926808B

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201310547903.7

    申请日:2013-11-07

    IPC分类号: G03F9/00 G03F1/42

    摘要: 本发明提供一种氧化铟锡图案曝光装置,其能够防止干涉条纹的产生,良好地保持膜标记的图像识别。在膜掩模(1)的与膜标记(60)对应的位置形成有掩模孔(2),膜掩模(1)被切开而开出孔。掩模孔(2)的尺寸充分大于膜标记(60)的尺寸,由于该掩模孔(2),不会在膜标记(60)的上部发生膜掩模(1)和掩模架(3)的贴合,不会在标记上产生干涉条纹。

    曝光光学系统、曝光装置以及曝光方法

    公开(公告)号:CN104067177B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201280067948.8

    申请日:2012-12-26

    发明人: 小森一树

    IPC分类号: G03F7/20 H01L21/027

    CPC分类号: G03F7/70275 G03F7/70291

    摘要: 提供一种根据微透镜的孔径形状而通过开口阵列来抑制主波束周边的旁瓣,进行高精细曝光的曝光装置以及曝光方法。通过在微透镜(64a)的射出侧设置遮光部(66b),使在微透镜(64a)的焦点位置附近的旁瓣(Bb)的位置进行移动。在通过第二开口阵列(68)之前主波束(Ba)收敛为左右,此外,旁瓣(Bb)在离主波束(Ba)的中心的的范围中与现有例相比相对强度大约抑制为1/10左右。在通过第二开口阵列(68)集中激光(B)的结果,能够作为具有能够忽略主波束(Ba)的周围的旁瓣(Bb)的光强度分布的激光(B)。