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公开(公告)号：CN103786064A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310491957.6
申请日：2013-10-18
CPC classification number: B03C1/30 , B03C2201/18 , B23Q11/1069 , Y02P70/171
Abstract: 本发明提供一种冷却系统，能够可靠地将离泵较远处的冷却介质的悬浮物吸入泵中。储存从机床（10）排出的冷却介质的罐（50），通过分隔部件（52）将罐框体（51）内划分为外围冷却介质槽（53）和中央冷却介质槽（54）。在分隔部件（52）上形成有在深度方向延伸并能够连通外围冷却介质槽（53）和中央冷却介质槽（54）的狭缝（52a）。向过滤装置（70）送出的泵（60）的吸入口（61）配置在中央冷却介质槽（54）。从机床（10）排出的冷却介质，不通过外围冷却介质槽（53）而向中央冷却介质槽（54）被供给。通过过滤装置（70）过滤的冷却介质的至少一部分不通过中央冷却介质槽而向外围冷却介质槽（53）供给。
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公开(公告)号：CN102953044A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210305330.2
申请日：2012-08-24
IPC: C23C16/27 , C23C16/513 , F16C3/06
CPC classification number: C23C14/0611 , C23C16/26 , C23C16/458 , C23C16/50 , F16C3/03 , F16C2206/04 , F16C2326/06 , F16D3/06 , F16D2250/0046 , F16D2300/10 , H01J37/32669
Abstract: 多个花键轴(10)绕柱状等离子体(70a)布置，并且多个花键轴(10)在真空室(60)内沿柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准。多个同轴地对准的花键轴(10)定位为在相应的阳花键部(16)之间形成轴向间隙。多个阳花键部(16)的轴向间隙定位在柱状等离子体(70a)的沿柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。
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公开(公告)号：CN102373437B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110227869.6
申请日：2011-08-05
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/26 , C23C16/50 , C23C16/515 , F16C3/03 , F16C2206/04 , H01J37/34 , H01J37/3447
Abstract: 一种形成在第一轴(10)的表面上的DLC薄膜(121)，其通过如下方式形成：在真空沉积室(30)中产生圆柱形的等离子体(3a)、将原料气体供应到真空沉积室(30)内、以及向作为被覆本体的第一轴(10)施加脉冲电压。将遮蔽轭(11)的夹具(41)附接至作为不形成第一轴(10)的DLC薄膜(121)的非被覆部分的轭(11)、且与要形成DLC薄膜(121)的作为被覆部分的花键配合部(12)保持分隔间距，以防止花键配合部(12)中的DLC薄膜(121)的硬度减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101578389A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200780048449.3
申请日：2007-11-09
CPC classification number: C23C8/26 , C23C8/80 , C23C14/024 , C23C14/0605 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C28/044 , C23C28/046 , C23C28/322 , C23C28/343 , C23C28/347 , F16C33/12 , F16C33/122 , F16C33/14 , F16C33/16 , F16C2206/04 , F16C2223/14 , F16C2223/60 , Y10T428/12625 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的高耐腐蚀性构件，具备：不锈钢制的基材、在基材的表面的至少一部分被覆的中间层、和在中间层的表面的至少一部分被覆的非晶碳膜，至少在基材的表面的温度为450℃以下的低温下形成中间层和非晶碳膜而成。此外，本发明的高耐腐蚀性构件，具备：表层部进行了氮化处理的不锈钢制的基材、和在基材的表层部的表面的至少一部分被覆的非晶碳膜，其通过至少在基材的表面的温度为450℃以下的低温下进行氮化处理和非晶碳膜的形成而成。上述的高耐腐蚀性构件在制造工序中，没有将不锈钢制的基材的表面暴露于高温(＞450℃)。因此，保持基材的耐腐蚀性与原来的不锈钢的耐腐蚀性同等。
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公开(公告)号：CN103786064B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310491957.6
申请日：2013-10-18
CPC classification number: B03C1/30 , B03C2201/18 , B23Q11/1069 , Y02P70/171
Abstract: 本发明提供一种冷却系统，能够可靠地将离泵较远处的冷却介质的悬浮物吸入泵中。储存从机床（10）排出的冷却介质的罐（50），通过分隔部件（52）将罐框体（51）内划分为外围冷却介质槽（53）和中央冷却介质槽（54）。在分隔部件（52）上形成有在深度方向延伸并能够连通外围冷却介质槽（53）和中央冷却介质槽（54）的狭缝（52a）。向过滤装置（70）送出的泵（60）的吸入口（61）配置在中央冷却介质槽（54）。从机床（10）排出的冷却介质，不通过外围冷却介质槽（53）而向中央冷却介质槽（54）被供给。通过过滤装置（70）过滤的冷却介质的至少一部分不通过中央冷却介质槽而向外围冷却介质槽（53）供给。
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公开(公告)号：CN102953044B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210305330.2
申请日：2012-08-24
IPC: C23C16/27 , C23C16/513 , F16C3/06
CPC classification number: C23C14/0611 , C23C16/26 , C23C16/458 , C23C16/50 , F16C3/03 , F16C2206/04 , F16C2326/06 , F16D3/06 , F16D2250/0046 , F16D2300/10 , H01J37/32669
Abstract: 多个花键轴(10)绕柱状等离子体(70a)布置，并且多个花键轴(10)在真空室(60)内沿柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准。多个同轴地对准的花键轴(10)定位为在相应的阳花键部(16)之间形成轴向间隙。多个阳花键部(16)的轴向间隙定位在柱状等离子体(70a)的沿柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。
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公开(公告)号：CN103925306A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410018490.8
申请日：2014-01-15
CPC classification number: F16D13/64 , C21D1/06 , C21D1/58 , C21D1/74 , C21D7/13 , C21D9/0068 , C21D9/46 , C23C8/02 , C23C8/26 , C23C8/34 , C23C8/80 , F16D13/648 , F16D27/115
Abstract: 本发明提供滑动部件、离合器片及其制造方法，该滑动部件具备：母材部（110），其由钢材构成；氮扩散层（120），其以10～50μm的厚度形成于母材部（110）的表面侧；氮化合物层（130），其以10～50μm的厚度形成于氮扩散层（120）的表面侧且成为最外表面，通过进行以下工序来形成氮化合物层（130）以及氮扩散层（120），所述工序为：第一加热工序，在570～660℃的氨环境中对由钢材构成的材料进行加热处理；第二加热工序，接着第一加热工序而在660～690℃中比第一加热工序的温度高的温度的非氧化环境并且非氨环境中对材料进行加热处理；油冷工序，接着第二加热工序而以60～80℃的油温进行油冷。
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公开(公告)号：CN102373437A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110227869.6
申请日：2011-08-05
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/26 , C23C16/50 , C23C16/515 , F16C3/03 , F16C2206/04 , H01J37/34 , H01J37/3447
Abstract: 一种形成在第一轴(10)的表面上的DLC薄膜(121)，其通过如下方式形成：在真空沉积室(30)中产生圆柱形的等离子体(3a)、将原料气体供应到真空沉积室(30)内、以及向作为被覆本体的第一轴(10)施加脉冲电压。将遮蔽轭(11)的夹具(41)附接至作为不形成第一轴(10)的DLC薄膜(121)的非被覆部分的轭(11)、且与要形成DLC薄膜(121)的作为被覆部分的花键配合部(12)保持分隔间距，以防止花键配合部(12)中的DLC薄膜(121)的硬度减小。
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