公开(公告)号：CN102953044A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210305330.2

申请日：2012-08-24

Applicant: 株式会社捷太格特 ,  株式会社CNK

Inventor： 安藤淳二 ,  铃木知朗 ,  小川友树 ,  岩井昭宪 ,  吉村信义 ,  桥富弘幸

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/513 ,  F16C3/06

CPC classification number: C23C14/0611 ,  C23C16/26 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  F16C3/03 ,  F16C2206/04 ,  F16C2326/06 ,  F16D3/06 ,  F16D2250/0046 ,  F16D2300/10 ,  H01J37/32669

Abstract: 多个花键轴(10)绕柱状等离子体(70a)布置，并且多个花键轴(10)在真空室(60)内沿柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准。多个同轴地对准的花键轴(10)定位为在相应的阳花键部(16)之间形成轴向间隙。多个阳花键部(16)的轴向间隙定位在柱状等离子体(70a)的沿柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。

公开(公告)号：CN102373437B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110227869.6

申请日：2011-08-05

Applicant: 株式会社捷太格特 ,  株式会社CNK

Inventor： 安藤淳二 ,  铃木知朗 ,  小川友树 ,  铃木雅裕 ,  山川和芳 ,  久保俊哉 ,  桥富弘幸 ,  山本大悟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  F16C3/03 ,  F16C2206/04 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种形成在第一轴(10)的表面上的DLC薄膜(121)，其通过如下方式形成：在真空沉积室(30)中产生圆柱形的等离子体(3a)、将原料气体供应到真空沉积室(30)内、以及向作为被覆本体的第一轴(10)施加脉冲电压。将遮蔽轭(11)的夹具(41)附接至作为不形成第一轴(10)的DLC薄膜(121)的非被覆部分的轭(11)、且与要形成DLC薄膜(121)的作为被覆部分的花键配合部(12)保持分隔间距，以防止花键配合部(12)中的DLC薄膜(121)的硬度减小。

公开(公告)号：CN101578389A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200780048449.3

申请日：2007-11-09

Applicant: 株式会社捷太格特 ,  株式会社CNK

Inventor： 齐藤利幸 ,  铃木雅裕 ,  桥富弘幸

IPC: C23C16/26 ,  C23C8/38 ,  C23C8/50 ,  C23C14/14 ,  C23C28/00 ,  C23C28/04 ,  F16C33/24

CPC classification number: C23C8/26 ,  C23C8/80 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0605 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  C23C28/044 ,  C23C28/046 ,  C23C28/322 ,  C23C28/343 ,  C23C28/347 ,  F16C33/12 ,  F16C33/122 ,  F16C33/14 ,  F16C33/16 ,  F16C2206/04 ,  F16C2223/14 ,  F16C2223/60 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的高耐腐蚀性构件，具备：不锈钢制的基材、在基材的表面的至少一部分被覆的中间层、和在中间层的表面的至少一部分被覆的非晶碳膜，至少在基材的表面的温度为450℃以下的低温下形成中间层和非晶碳膜而成。此外，本发明的高耐腐蚀性构件，具备：表层部进行了氮化处理的不锈钢制的基材、和在基材的表层部的表面的至少一部分被覆的非晶碳膜，其通过至少在基材的表面的温度为450℃以下的低温下进行氮化处理和非晶碳膜的形成而成。上述的高耐腐蚀性构件在制造工序中，没有将不锈钢制的基材的表面暴露于高温(＞450℃)。因此，保持基材的耐腐蚀性与原来的不锈钢的耐腐蚀性同等。

公开(公告)号：CN102953044B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210305330.2

申请日：2012-08-24

Applicant: 株式会社捷太格特 ,  株式会社CNK

Inventor： 安藤淳二 ,  铃木知朗 ,  小川友树 ,  岩井昭宪 ,  吉村信义 ,  桥富弘幸

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/513 ,  F16C3/06

CPC classification number: C23C14/0611 ,  C23C16/26 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  F16C3/03 ,  F16C2206/04 ,  F16C2326/06 ,  F16D3/06 ,  F16D2250/0046 ,  F16D2300/10 ,  H01J37/32669

Abstract: 多个花键轴(10)绕柱状等离子体(70a)布置，并且多个花键轴(10)在真空室(60)内沿柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准。多个同轴地对准的花键轴(10)定位为在相应的阳花键部(16)之间形成轴向间隙。多个阳花键部(16)的轴向间隙定位在柱状等离子体(70a)的沿柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。

公开(公告)号：CN102373437A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110227869.6

申请日：2011-08-05

Applicant: 株式会社捷太格特 ,  株式会社CNK

Inventor： 安藤淳二 ,  铃木知朗 ,  小川友树 ,  铃木雅裕 ,  山川和芳 ,  久保俊哉 ,  桥富弘幸 ,  山本大悟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  F16C3/03 ,  F16C2206/04 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种形成在第一轴(10)的表面上的DLC薄膜(121)，其通过如下方式形成：在真空沉积室(30)中产生圆柱形的等离子体(3a)、将原料气体供应到真空沉积室(30)内、以及向作为被覆本体的第一轴(10)施加脉冲电压。将遮蔽轭(11)的夹具(41)附接至作为不形成第一轴(10)的DLC薄膜(121)的非被覆部分的轭(11)、且与要形成DLC薄膜(121)的作为被覆部分的花键配合部(12)保持分隔间距，以防止花键配合部(12)中的DLC薄膜(121)的硬度减小。