晶闸管存储器单元集成电路

    公开(公告)号:CN105580085A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201480042157.9

    申请日:2014-07-18

    发明人: G.W.泰勒

    IPC分类号: G11C11/39

    摘要: 一种半导体存储器器件包括在基底上形成的存储器单元(MC)的阵列,所述存储器单元(MC)每个从负载元件和晶闸管实现,负载元件和晶闸管定义可切换电流路径,所述可切换电流路径的状态表示由MC存储的易失性位值。对应于所述阵列的各个行的至少一个字线在所述基底上形成,并耦接到针对对应行的MC电流路径。对应于所述阵列的各个列的位线在所述基底上形成,并可以耦接到针对对应列的MC晶闸管的调制掺杂QW界面。电路被配置成对(多个)字线施加电信号以便生成电流,所述电流根据MC的电流路径的状态将所述MC负载元件的相变材料编程为高或低电阻状态中的一个,以用于非易失性备份和恢复目的。

    光纤耦合器阵列
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105026968A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201380065181.X

    申请日:2013-12-12

    发明人: G.W.泰勒 Y.张

    IPC分类号: G02B6/26 G02B6/42 G02B6/36

    摘要: 一种组件包含:光纤,每个光纤具有波导纤芯;光子集成电路(IC),包含对应于光纤的平面内波导;以及具有支撑光纤的凹槽的衬底,被接合到光子IC。衬底和光子IC能够具有金属凸块,所述金属凸块协作以提供衬底与光子IC之间的机械接合和电连接。由衬底凹槽支撑的光纤的部分能够限定与光纤纤芯隔开的平坦表面。光子IC能够包含无源波导结构,该无源波导结构具有对接到对应光纤的平坦表面(用于光信号的渐逝耦合)的第一耦合截面以及对接到对应平面内波导(用于光学信号的绝热斑点大小转换)的第二耦合截面。