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公开(公告)号:CN105580085A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201480042157.9
申请日:2014-07-18
发明人: G.W.泰勒
IPC分类号: G11C11/39
CPC分类号: G11C13/0004 , G11C11/39 , G11C13/0097 , G11C14/0045 , G11C14/009 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233
摘要: 一种半导体存储器器件包括在基底上形成的存储器单元(MC)的阵列,所述存储器单元(MC)每个从负载元件和晶闸管实现,负载元件和晶闸管定义可切换电流路径,所述可切换电流路径的状态表示由MC存储的易失性位值。对应于所述阵列的各个行的至少一个字线在所述基底上形成,并耦接到针对对应行的MC电流路径。对应于所述阵列的各个列的位线在所述基底上形成,并可以耦接到针对对应列的MC晶闸管的调制掺杂QW界面。电路被配置成对(多个)字线施加电信号以便生成电流,所述电流根据MC的电流路径的状态将所述MC负载元件的相变材料编程为高或低电阻状态中的一个,以用于非易失性备份和恢复目的。
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公开(公告)号:CN105378930A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201480034881.7
申请日:2014-06-11
发明人: G.W.泰勒
IPC分类号: H01L29/15
CPC分类号: H01L29/0688 , B82Y10/00 , G02B6/125 , H01L21/0259 , H01L27/144 , H01L27/15 , H01L29/0665 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/155 , H01L29/66977 , H01L29/7786 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/18 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01S5/026 , H01S5/06203 , H01S5/18358 , H01S5/309 , H01S5/34 , H01S5/3412
摘要: 半导体器件包括:衬底,支承包括与量子阱中的量子点(QD-in-QW)结构偏移的至少一个调制掺杂的量子阱(QW)结构的多个层。所述调制掺杂的QW结构包括被通过间隔壁层与至少一个QW间隔开的电荷片层。所述QD-in-QW结构具有嵌入在一个或多个QW中的QD。所述QD-in-QW结构可以包括至少一个被通过势垒层分离开的模板/发射子结构配对,所述模板子结构与所述发射子结构相比具有更小的大小的QD。
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公开(公告)号:CN105026968A
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201380065181.X
申请日:2013-12-12
CPC分类号: G02B6/305 , G02B6/1228 , G02B6/14 , G02B6/421 , G02B6/423 , G02B6/4249 , G02B6/4257
摘要: 一种组件包含:光纤,每个光纤具有波导纤芯;光子集成电路(IC),包含对应于光纤的平面内波导;以及具有支撑光纤的凹槽的衬底,被接合到光子IC。衬底和光子IC能够具有金属凸块,所述金属凸块协作以提供衬底与光子IC之间的机械接合和电连接。由衬底凹槽支撑的光纤的部分能够限定与光纤纤芯隔开的平坦表面。光子IC能够包含无源波导结构,该无源波导结构具有对接到对应光纤的平坦表面(用于光信号的渐逝耦合)的第一耦合截面以及对接到对应平面内波导(用于光学信号的绝热斑点大小转换)的第二耦合截面。
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