公开(公告)号：CN105026968A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201380065181.X

申请日：2013-12-12

申请人： 康涅狄格州大学 ,  欧培拉太阳能公司

发明人： G.W.泰勒 ,  Y.张

IPC分类号： G02B6/26 ,  G02B6/42 ,  G02B6/36

CPC分类号： G02B6/305 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/14 ,  G02B6/421 ,  G02B6/423 ,  G02B6/4249 ,  G02B6/4257

摘要： 一种组件包含：光纤，每个光纤具有波导纤芯；光子集成电路（IC），包含对应于光纤的平面内波导；以及具有支撑光纤的凹槽的衬底，被接合到光子IC。衬底和光子IC能够具有金属凸块，所述金属凸块协作以提供衬底与光子IC之间的机械接合和电连接。由衬底凹槽支撑的光纤的部分能够限定与光纤纤芯隔开的平坦表面。光子IC能够包含无源波导结构，该无源波导结构具有对接到对应光纤的平坦表面（用于光信号的渐逝耦合）的第一耦合截面以及对接到对应平面内波导（用于光学信号的绝热斑点大小转换）的第二耦合截面。

公开(公告)号：CN105378930A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480034881.7

申请日：2014-06-11

申请人： 欧培拉太阳能公司 ,  康涅狄格大学

发明人： G.W.泰勒

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L29/0688 ,  B82Y10/00 ,  G02B6/125 ,  H01L21/0259 ,  H01L27/144 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/122 ,  H01L29/127 ,  H01L29/155 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7786 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/18 ,  H01L33/005 ,  H01L33/06 ,  H01S5/026 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3412

摘要： 半导体器件包括：衬底，支承包括与量子阱中的量子点（QD-in-QW）结构偏移的至少一个调制掺杂的量子阱（QW）结构的多个层。所述调制掺杂的QW结构包括被通过间隔壁层与至少一个QW间隔开的电荷片层。所述QD-in-QW结构具有嵌入在一个或多个QW中的QD。所述QD-in-QW结构可以包括至少一个被通过势垒层分离开的模板/发射子结构配对，所述模板子结构与所述发射子结构相比具有更小的大小的QD。

公开(公告)号：CN105580085A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480042157.9

申请日：2014-07-18

申请人： 欧培拉太阳能公司 ,  康涅狄格大学

发明人： G.W.泰勒

IPC分类号： G11C11/39

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C11/39 ,  G11C13/0097 ,  G11C14/0045 ,  G11C14/009 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： 一种半导体存储器器件包括在基底上形成的存储器单元（MC）的阵列，所述存储器单元（MC）每个从负载元件和晶闸管实现，负载元件和晶闸管定义可切换电流路径，所述可切换电流路径的状态表示由MC存储的易失性位值。对应于所述阵列的各个行的至少一个字线在所述基底上形成，并耦接到针对对应行的MC电流路径。对应于所述阵列的各个列的位线在所述基底上形成，并可以耦接到针对对应列的MC晶闸管的调制掺杂QW界面。电路被配置成对（多个）字线施加电信号以便生成电流，所述电流根据MC的电流路径的状态将所述MC负载元件的相变材料编程为高或低电阻状态中的一个，以用于非易失性备份和恢复目的。