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公开(公告)号：CN102057441B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN200980121131.2
申请日：2009-04-03
申请人： 赛鼎矽公司
发明人： 沃德克·库尔贾诺韦茨
CPC分类号： H01L27/101 , H01L23/5252 , H01L27/0207 , H01L27/11206 , H01L29/42368 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供了独立于核心电路工艺制造技术的一次性可编程存储单元，该一次性可编程存储单元具有带有低阈值电压的反熔丝器件。具有通道晶体管和反熔丝器件的双晶体管存储单元或具有双重厚度栅氧化层的单晶体管存储单元形成在高压阱中，该高压阱是为高压晶体管形成的。反熔丝器件的阈值电压不同于存储器件的核心电路中任何晶体管的阈值电压，但是具有与核心电路中的晶体管相同的栅氧化层厚度。通道晶体管具有与核心电路中的任何晶体管的阈值电压不同的阈值电压，并且具有不同于核心电路中任何晶体管的栅氧化层厚度。通过省略用于在I/O电路中制造的高压晶体管的阈值调整注入中的一些或全部，降低反熔丝器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN102612717B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201080049218.6
申请日：2010-10-29
申请人： 赛鼎矽公司
发明人： 沃德克·库尔贾诺韦茨
CPC分类号： G11C17/16 , H01L27/112 , H01L27/11206
摘要： 一种具有双阱的一次可编程存储单元，改进了电介质击穿，同时将漏电流降到最小。所述存储单元是利用用于核心电路和I/O(输入/输出)电路的标准CMOS工艺制造而成。具有存取晶体管和反熔丝器件的双晶体管存储单元或具有双重厚度栅极氧化层114和116的单晶体管存储单元100形成在双阱102和104中。双阱在类型上彼此相反，其中一个可为N型阱102，而另一个可为P型阱104。所述反熔丝器件形成具有薄栅极氧化层，且形成于与用于核心电路的阱相似的阱中。所述存取晶体管形成具有厚栅极氧化层，且形成于与用于I/O电路的阱相似的阱中。
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公开(公告)号：CN102612717A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201080049218.6
申请日：2010-10-29
申请人： 赛鼎矽公司
发明人： 沃德克·库尔贾诺韦茨
CPC分类号： G11C17/16 , H01L27/112 , H01L27/11206
摘要： 一种具有双阱的一次可编程存储单元，改进了电介质击穿，同时将漏电流降到最小。所述存储单元是利用用于核心电路和I/O(输入/输出)电路的标准CMOS工艺制造而成。具有存取晶体管和反熔丝器件的双晶体管存储单元或具有双重厚度栅极氧化层114和116的单晶体管存储单元100形成在双阱102和104中。双阱在类型上彼此相反，其中一个可为N型阱102，而另一个可为P型阱104。所述反熔丝器件形成具有薄栅极氧化层，且形成于与用于核心电路的阱相似的阱中。所述存取晶体管形成具有厚栅极氧化层，且形成于与用于I/O电路的阱相似的阱中。
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公开(公告)号：CN102308338A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007103.0
申请日：2010-02-05
申请人： 赛鼎矽公司
发明人： 沃德克·库尔贾诺韦茨
摘要： 通过将一个数据位存储在至少两个OTP存储单元中以用于提高OTP存储器的可靠性的方法和系统，特别是提高反熔丝存储器的可靠性。因此通过在每位多单元模式中同时读取至少两个OTP存储单元，读出每一个数据位。通过将一个数据位存储在至少两个OTP存储单元中，因为其他的单元提供了固有的冗余，所以对有缺陷的单元或弱的可编程单元进行补偿。在每位多单元模式中读出数据的正常运行之前，通过一次编程一个数据位和校验在单端读取模式中所有的已编程位，确保了编程的可靠性。通过用于反熔丝存储器的新的程序/校验算法，以高速和最小功率损耗来实现编程和校验。除了提高可靠性之外，相对于每位单个单元的存储器，提高了读取容限和读取速度。
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公开(公告)号：CN102057441A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121131.2
申请日：2009-04-03
申请人： 赛鼎矽公司
发明人： 沃德克·库尔贾诺韦茨
CPC分类号： H01L27/101 , H01L23/5252 , H01L27/0207 , H01L27/11206 , H01L29/42368 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供了独立于核心电路工艺制造技术的一次性可编程存储单元，该一次性可编程存储单元具有带有低阈值电压的反熔丝器件。具有通道晶体管和反熔丝器件的双晶体管存储单元或具有双重厚度栅氧化层的单晶体管存储单元形成在高压阱中，该高压阱是为高压晶体管形成的。反熔丝器件的阈值电压不同于存储器件的核心电路中任何晶体管的阈值电压，但是具有与核心电路中的晶体管相同的栅氧化层厚度。通道晶体管具有与核心电路中的任何晶体管的阈值电压不同的阈值电压，并且具有不同于核心电路中任何晶体管的栅氧化层厚度。通过省略用于在I/O电路中制造的高压晶体管的阈值调整注入中的一些或全部，降低反熔丝器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN106463177A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580011531.3
申请日：2015-01-22
申请人： 赛鼎矽公司
发明人： 沃德克·库尔贾诺韦茨 , 穆拉德·阿布达特
摘要： 描述了一种用于非易失性存储器(NVM)的冗余方案。该冗余方案提供用于在非易失性存储器中使用缺陷单元以提高成品率的手段。算法基于当在单元组中检测到缺陷单元时，针对将要被编程至单元组的数据将编程数据反相。缺陷单元被偏置为逻辑状态“1”或“0”，其被有效地预设以存储其偏置逻辑状态。待被存储在缺陷单元中的、具有与该单元的偏置逻辑状态互补的逻辑状态的数据位导致编程数据被反相并且被编程。反相状态位被编程，以指示编程数据的反相后的状态。在读取期间，反相状态位使得已存储的数据将被重新反相为其原始的编程数据状态。
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公开(公告)号：CN105849861A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201580002116.1
申请日：2015-04-02
申请人： 赛鼎矽公司
发明人： 沃德克·库尔贾诺韦茨
IPC分类号： H01L21/02 , G11C17/16 , H01L21/316 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C17/16 , H01L21/823462 , H01L23/5252 , H01L27/11206
摘要： 一种具有可变厚度栅极氧化物的反熔丝存储器单元。所述可变厚度栅极氧化物通过以下步骤形成：在反熔丝晶体管的沟道区上沉淀第一氧化物；从沟道区的薄氧化物区移除第一氧化物；以及然后在薄氧化物区热生长第二氧化物。剩余的第一氧化物限定沟道区的厚氧化物区。第二氧化物生长发生在剩余的第一氧化物下方，但以小于薄氧化物区中氧化物热生长的速率生长。这使得厚氧化物区中的第一氧化物和第二氧化物的组合的厚度大于薄氧化物区中的第二氧化物。
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公开(公告)号：CN102308338B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201080007103.0
申请日：2010-02-05
申请人： 赛鼎矽公司
发明人： 沃德克·库尔贾诺韦茨
摘要： 通过将一个数据位存储在至少两个OTP存储单元中以用于提高OTP存储器的可靠性的方法和系统，特别是提高反熔丝存储器的可靠性。因此通过在每位多单元模式中同时读取至少两个OTP存储单元，读出每一个数据位。通过将一个数据位存储在至少两个OTP存储单元中，因为其他的单元提供了固有的冗余，所以对有缺陷的单元或弱的可编程单元进行补偿。在每位多单元模式中读出数据的正常运行之前，通过一次编程一个数据位和校验在单端读取模式中所有的已编程位，确保了编程的可靠性。通过用于反熔丝存储器的新的程序/校验算法，以高速和最小功率损耗来实现编程和校验。除了提高可靠性之外，相对于每位单个单元的存储器，提高了读取容限和读取速度。
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