公开(公告)号：CN101896993B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200880120106.8

申请日：2008-12-01

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： 袁述 ,  康学军

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/56 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括提供一包括衬底的晶片，在所述衬底上设置有多个外延层。在所述多个外延层的之上远离所述衬底处形成图案。在所述多个外延层之上远离所述衬底并且在所述图案之间形成导电金属的第二衬底。用柔软的缓冲材料至少部分地封装所述第二衬底、所述多个外延层和所述衬底。通过将激光束穿过所述衬底施加到所述衬底和所述多个外延层的界面上，在晶片级使所述衬底与所述多个外延层分离，而所述多个外延层是完整的，同时保持所述多个外延层的电特性和机械特性，所述激光束具有轮廓分明的边缘。

公开(公告)号：CN101410991B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200680048138.2

申请日：2006-12-19

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： 袁述 ,  林菁

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28575

摘要： 一种在衬底上制造半导体器件的工艺，该半导体器件包括至少一个金属层。该工艺包括，移除该衬底并施加一第二衬底；以及通过在该至少一个金属层上应用电磁辐射束来退火该至少一个金属层。

公开(公告)号：CN101896993A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120106.8

申请日：2008-12-01

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： 袁述 ,  康学军

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/56 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括提供一包括衬底的晶片，在所述衬底上设置有多个外延层。在所述多个外延层的之上远离所述衬底处形成图案。在所述多个外延层之上远离所述衬底并且在所述图案之间形成导电金属的第二衬底。用柔软的缓冲材料至少部分地封装所述第二衬底、所述多个外延层和所述衬底。通过将激光束穿过所述衬底施加到所述衬底和所述多个外延层的界面上，在晶片级使所述衬底与所述多个外延层分离，而所述多个外延层是完整的，同时保持所述多个外延层的电特性和机械特性，所述激光束具有轮廓分明的边缘。

公开(公告)号：CN100452328C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN03827089.7

申请日：2003-09-19

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： 康学军 ,  吴大可 ,  爱德华·罗伯特·佩里

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/285 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L31/024 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18 ,  H01S5/024

摘要： 本发明公开了一种用于在衬底上制作发光器件的方法，所述发光器件具有包括多个外延层的晶片和处在外延层上的远离衬底的第一欧姆接触层。该方法包括以下步骤：(a)向欧姆接触层施加导热金属的种子层；(b)在种子层上电镀相对较厚的导热金属层；以及(c)移去衬底。本发明还公开了相应的发光器件。发光器件是GaN发光二极管或激光二极管。

公开(公告)号：CN101351887B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200680039046.8

申请日：2006-09-01

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： 袁述 ,  康学军 ,  林世鸣

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L21/02 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： 一种例如高电子迁移率晶体管的晶体管的制造方法，每一个晶体管包括在共用衬底之上的多个外延层，该方法包括：(a)在多个外延层的第一表面上形成多个源极接点；(b)在第一表面上形成至少一个漏极接点；(c)在第一表面上形成至少一个栅极接点；(d)在栅极接点、源极接点和漏极接点之上和之间形成至少一个绝缘层；(e)在至少一个绝缘层的至少一部分上形成导电层，以连接源极接点；以及(f)在导电层之上形成至少一个热沉层。

公开(公告)号：CN101743619A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880023028.X

申请日：2008-07-03

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： 康学军 ,  袁述 ,  林卉敏 ,  林世鸣

IPC分类号： H01L21/26 ,  H01L23/12 ,  H01L21/36 ,  H01L27/00

摘要： 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供其上设有多个外延层的衬底以及在保持外延层完整的情况下将衬底与外延层分离。这种方式保留了这些外延层的电气、机械和光学特性。

公开(公告)号：CN1998094B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200580014815.4

申请日：2005-03-01

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： S·袁 ,  X·康

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/64

摘要： 在半导体发光二极管上制造反射层。一种用于在半导体发光二极管上制造反射层的方法，该半导体发光二极管具有衬底上的若干外延层的晶片；该方法包括在若干外延层的正面上施加第一欧姆接触层，该第一欧姆接触层是反射材料以还用作反射层。

公开(公告)号：CN101351887A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680039046.8

申请日：2006-09-01

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： 袁述 ,  康学军 ,  林世鸣

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L21/02 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： 一种例如高电子迁移率晶体管的晶体管的制造方法，每一个晶体管包括在共用衬底之上的多个外延层，该方法包括：(a)在多个外延层的第一表面上形成多个源极接点；(b)在第一表面上形成至少一个漏极接点；(c)在第一表面上形成至少一个栅极接点；(d)在栅极接点、源极接点和漏极接点之上和之间形成至少一个绝缘层；(e)在至少一个绝缘层的至少一部分上形成导电层，以连接源极接点；以及(f)在导电层之上形成至少一个热沉层。

公开(公告)号：CN101317278A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044817.2

申请日：2006-09-01

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： 袁述 ,  康学军 ,  吴大可

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/32341

摘要： 本发明公开了一种具有多个外延层的用于光发射的半导体器件，该多个外延层具有用于光发射的n型层和用于光反射的p型层。p型层具有用于导电金属外部层的至少一个种子层。该至少一个种子层是用于提供对外部层和光反射层的不同热膨胀的缓冲的材料。

公开(公告)号：CN101536196A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780030477.2

申请日：2007-08-16

申请人： 霆激技术有限公司

发明人： 康学军 ,  陈震 ,  武田棋 ,  林卉敏 ,  袁述

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/405

摘要： 一种提高发光二极管的外部光效率的方法，该方法包括蚀刻发光二极管的n型层的外部表面以形成表面纹理，所述表面纹理减小内部光反射以增大光输出。还公开相应的发光二极管。