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公开(公告)号：CN107431016A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680018934.5
申请日：2016-03-24
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/76
Abstract: 本发明是一种填埋平坦化膜的制造方法，其具有下述工序：第1涂布工序，在具有凹部的构件的包含上述凹部的区域，涂布包含多元胺和第1溶剂的第1涂布液而在上述凹部填埋第1涂布液；以及第2涂布工序，在包含填埋有第1涂布液的上述凹部的区域，涂布包含具有2个以上羧基的有机物和沸点为200℃以下且SP值为30(MPa)1/2以下的第2溶剂的第2涂布液。
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公开(公告)号：CN1575236A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02820890.0
申请日：2002-10-22
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B41M5/26 , C07D471/06 , C07D221/14 , C07D403/04 , C07F17/02
CPC classification number: C09B5/62 , C07F17/00 , C07F17/02 , C09B57/08 , G11B7/244 , G11B7/247 , G11B7/249 , G11B7/2534 , G11B7/2542
Abstract: 在记录层中含有一种或多种选自具有金属茂残基的酰亚胺化合物的化合物的光记录媒体，以及由通式(1)表示的酰亚胺化合物，其中，环AR表示取代或未取代的芳环残基或将两个或多个芳环残基通过一个或多个连接基团连接而形成的残基；n表示结合到环AR上的酰亚胺基团的数目；Am表示结合到各酰亚胺基团的氮原子上的取代基A1～An中的任何一个；m表示1～n的整数，条件是，从A1～An中选择的至少一个取代基是具有至少一个取代或未取代的金属茂残基的取代基。
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公开(公告)号：CN107004599A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065169.8
申请日：2015-12-14
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/3205 , C01B33/12 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/14 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供一种基板中间体，其具备：在厚度方向具有配置导电体的孔的基板，以及在所述孔的壁面形成的密合层，所述密合层包含具有阳离子性官能团且重均分子量为2000以上1000000以下的聚合物(A)、与1分子中具有2个以上羧基的多元羧酸化合物(B)或其衍生物的反应物。
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公开(公告)号：CN117070147A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311043410.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C09D183/08 , H01L21/027 , C09D7/63
Abstract: 一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；添加剂(C)，所述添加剂(C)选自由具有羧基且重均分子量46以上195以下的酸(C‑1)和具有氮原子且重均分子量17以上120以下的碱(C‑2)组成的组中的至少一种以及极性溶剂(D)，所述交联剂(B)在分子内具有环结构，所述交联剂(B)中的羧基数相对于所述化合物(A)中的全部氮原子数的比率，即COOH/N为0.1以上3.0以下。
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公开(公告)号：CN106537564B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201580038048.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102099113A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128305.8
申请日：2009-07-22
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B01J23/755 , C07C2/10 , C07C11/08 , C07C11/107 , C07B61/00
CPC classification number: C07C2/10 , B01J23/755 , B01J23/94 , B01J37/035 , B01J38/14 , C07C6/04 , C07C2521/12 , C07C2523/755 , Y02P20/52 , Y02P20/584 , C07C11/02
Abstract: 本发明提供一种催化剂，其为使镍负载于包含二氧化硅和氧化铝的载体的催化剂，使用该催化剂使乙烯低聚时，在长时间内催化剂的劣化少，并能以高的生产率来制造低聚物。本发明的催化剂为使镍的化合物负载于包含二氧化硅和氧化铝的载体的乙烯低聚催化剂，其特征在于，所述镍的负载量相对于所述载体的重量为0.0001～1重量％，并且，所述载体中的二氧化硅与氧化铝的摩尔比(SiO2/Al2O3)为100～2000。另外，本发明的制造方法的特征在于，使用所述催化剂使乙烯低聚。
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公开(公告)号：CN113365820A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080012316.6
申请日：2020-01-22
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 一种在多层抗蚀剂工艺中使用的下层膜形成用材料，其满足：(i)由以下数学式(1)定义的元素构成比率Re为1.5～2.8，(ii)玻璃化转变温度为30～250℃，(iii)包含至少1种(优选为2种以上)具有特定结构单元的树脂。数学式(1)中，NH为下层膜形成用材料的固体成分中的氢原子的数目，NC为下层膜形成用材料的固体成分中的碳原子的数目，NO为下层膜形成用材料的固体成分中的氧原子的数目。
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公开(公告)号：CN111183395A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201880064822.2
申请日：2018-05-30
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本发明的下层膜形成用树脂材料是用于形成多层抗蚀剂工艺所使用的抗蚀剂下层膜的下层膜形成用树脂材料，其包含环状烯烃聚合物(I)，使用流变仪，在氮气气氛下、以剪切模式、测定温度范围30～300℃、升温速度3℃/min、频率1Hz的条件测定得到的上述下层膜形成用树脂材料的固体粘弹性中，表示储能弹性模量(G’)曲线与损耗弹性模量(G”)曲线的交点的温度为40℃以上200℃以下。
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公开(公告)号：CN107004599B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201580065169.8
申请日：2015-12-14
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/3205 , C01B33/12 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/14 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供一种基板中间体，其具备：在厚度方向具有配置导电体的孔的基板，以及在所述孔的壁面形成的密合层，所述密合层包含具有阳离子性官能团且重均分子量为2000以上1000000以下的聚合物(A)、与1分子中具有2个以上羧基的多元羧酸化合物(B)或其衍生物的反应物。
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公开(公告)号：CN106537564A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038048.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。
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