公开(公告)号：CN102747367B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210034420.2

申请日：2012-02-15

申请人： 三星显示有限公司 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 金善一 ,  崔新逸 ,  朴智荣 ,  金湘甲 ,  权五柄 ,  金童基 ,  金相泰 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  尹暎晋 ,  李昔准 ,  李俊雨 ,  林玟基 ,  张*勋 ,  秦荣晙

IPC分类号： C23F1/16 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L51/0023 ,  H01L2251/308

摘要： 本发明的示例性实施例公开了一种用于蚀刻铟氧化物层的非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法，所述非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。

公开(公告)号：CN102747367A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210034420.2

申请日：2012-02-15

申请人： 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 金善一 ,  崔新逸 ,  朴智荣 ,  金湘甲 ,  权五柄 ,  金童基 ,  金相泰 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  尹暎晋 ,  李昔准 ,  李俊雨 ,  林玟基 ,  张*勋 ,  秦荣晙

IPC分类号： C23F1/16 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L51/0023 ,  H01L2251/308

摘要： 本发明的示例性实施例公开了一种用于蚀刻铟氧化物层的非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法，所述非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。

公开(公告)号：CN102648269B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201080040535.1

申请日：2010-11-15

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 林玟基 ,  张尚勋 ,  慎蕙赢 ,  刘仁浩

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K13/04

CPC分类号： C23F1/38

摘要： 本发明公开了一种用于单层钼膜的蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重，包括：5～25wt％的过氧化氢(H2O2)；0.5～3wt％的环胺化合物；0.5～5wt％的添加剂，所述添加剂包括选自由柠檬酸二氢钠、柠檬酸氢二钠、磷酸氢二钠、柠檬酸三钠，和醋酸盐组成的组中的至少一种；和余量水。

公开(公告)号：CN102822391B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201180016453.8

申请日：2011-04-28

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 林玟基 ,  权五柄 ,  李喻珍 ,  刘仁浩

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26

摘要： 本发明提供一种用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物，基于组合物的总量，包含：5wt％～20wt％的过硫酸盐；0.01wt％～2wt％的氟化合物；1wt％～10wt％的选自无机酸、无机酸盐及它们的混合物中的一种或多种；0.3wt％～5wt％的环状胺化合物；0.1wt％～5wt％的氯化合物；0.1wt％～5wt％的对甲苯磺酸；及其余为水。

公开(公告)号：CN106995922A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710033540.3

申请日：2011-04-28

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 林玟基 ,  权五柄 ,  李喻珍 ,  刘仁浩 ,  李俊雨 ,  朴英哲 ,  张尚勋

IPC分类号： C23F1/42 ,  H01L21/3213

CPC分类号： C23F1/16 ,  H01L21/32134 ,  C23F1/42

摘要： 本发明涉及一种用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物，基于组合物的总重量，包含：5wt％～20wt％的过硫酸盐，0.01wt％～2wt％的氟化合物，1wt％～10wt％的选自无机酸、无机酸盐及它们的混合物中的一种或多种，0.3wt％～5wt％的环状胺化合物，0.01wt％～5wt％的氯化合物，及其余为水。

公开(公告)号：CN102471898B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201080033704.9

申请日：2010-07-21

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 林玟基 ,  李昔准 ,  张尚勋 ,  朴英哲

IPC分类号： C23F1/44 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20

CPC分类号： C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

摘要： 本发明涉及一种用于形成金属线的蚀刻组合物，能批量湿蚀刻由选自Ti、Ti合金、Al和Al合金组成的组中的至少一种制成的单层膜或多层膜，并能蚀刻很多层从而极大地增加了蚀刻工艺的生产率，且能提高蚀刻速率并防止损坏底层膜和设备，以及能均匀蚀刻图形/非图形从而展示了较好的蚀刻特性；此外由于无需昂贵的设备以及便于形成大面积的栅极和源极/漏极，因此也很经济。

公开(公告)号：CN102827611A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210102583.X

申请日：2012-04-09

申请人： 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 郑钟铉 ,  金善一 ,  朴智荣 ,  金湘甲 ,  宋溱镐 ,  崔新逸 ,  权五柄 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  李昔准 ,  林玟基 ,  张尚勋 ,  秦荣晙

IPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/16 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂包含过硫酸盐、氟化物、无机酸、环胺、磺酸、以及有机酸及其盐中的一种。