公开(公告)号：CN101886266B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

申请人： 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

发明人： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN102939407A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

申请人： 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

发明人： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC分类号： C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

摘要： 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN102939407B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

申请人： 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

发明人： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC分类号： C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

摘要： 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN101886266A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

申请人： 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

发明人： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN101424888A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810174803.3

申请日：2008-10-31

申请人： 东进世美肯株式会社

发明人： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/84

摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。

公开(公告)号：CN101398639A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810211419.6

申请日：2008-09-22

申请人： 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

发明人： 李智鲜 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425

摘要： 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。

公开(公告)号：CN101265579A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

申请人： 东进世美肯株式会社

发明人： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC分类号： C23F1/18

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。

公开(公告)号：CN108018558B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201711043223.6

申请日：2017-10-31

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 梁熙星 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC分类号： C23F1/20 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52

摘要： 本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。

公开(公告)号：CN113257875A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110187862.X

申请日：2021-02-07

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金载运 ,  朴弘植 ,  郑锺铉

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 公开了制造导电图案的方法、显示装置及制造显示装置的方法。所述制造导电图案的方法包括：在基底上形成导电金属材料层和导电覆盖材料层；在导电覆盖材料层上形成作为蚀刻掩模的光致抗蚀剂图案；通过使用第一蚀刻剂对导电覆盖材料层进行蚀刻来形成第一导电覆盖图案；通过使用第二蚀刻剂对导电金属材料层和第一导电覆盖图案进行蚀刻来形成导电金属层和第二导电覆盖图案；以及通过使用第三蚀刻剂对第二导电覆盖图案进行蚀刻来形成导电覆盖层。第二导电覆盖图案包括与导电金属层叠置的第一区域以及与导电金属层不叠置的第二区域，并且导电覆盖层的形成步骤包括对第二导电覆盖图案的第二区域进行蚀刻以形成导电覆盖层。

公开(公告)号：CN104451681B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410497650.1

申请日：2014-09-25

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 金俸均 ,  朴弘植 ,  尹升好 ,  金善一 ,  金相佑 ,  李大雨 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/02 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。