公开(公告)号：CN102939407B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN101886266B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN102939407A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN101886266A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN101424888A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810174803.3

申请日：2008-10-31

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。

公开(公告)号：CN101398639A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810211419.6

申请日：2008-09-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 李智鲜 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。

公开(公告)号：CN101265579A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC: C23F1/18

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。

公开(公告)号：CN108054176B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201810026111.8

申请日：2013-06-26

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴弘植 ,  李旺宇 ,  金俸均 ,  郑钟铉 ,  林永祐 ,  金奎布 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  韩筵昊 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H05K1/09 ,  H05K3/06

Abstract: 一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10％并且低于按重量计约35％。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40％至按重量计约60％之间的磷酸、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸、按重量计约3％至按重量计约15％之间的乙酸、按重量计约0.01％至按重量计约0.1％之间的铜离子化合物、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸盐、按重量计约1％至按重量计约10％之间的乙酸盐，和余量的水。

公开(公告)号：CN111270236B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201911217843.6

申请日：2019-12-03

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  金镇奭 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  金承熙 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/26

Abstract: 本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。

公开(公告)号：CN106873319A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610685935.7

申请日：2016-08-18

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  朴弘植 ,  郑在祐 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  许舜范 ,  张斗瑛 ,  金东宽

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426

Abstract: 本发明公开一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物可在避免对金属图案的腐蚀和/或对有机/无机膜的损伤的前提下除去光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物组成为相对于所述剥离剂组合物的总重量而包含：15重量％至80重量％的非质子性极性溶剂，包含有N,N‑二甲基丙酰胺；25重量％至80重量％的质子性极性溶剂；1重量％至15重量％的胺系化合物。